In this paper, we propose the single poly-Si Flash EEPROM device with a new structure which does not need the high voltage switching circuits. The device was designed, fabricated and characterized. From the measurement results, it was found that the program, the erase and the read operations worked properly. The threshold voltage was 3.1 V after the program in which the control gate and the drain were biased with 12 V and 7 V for $100{\mu}S$, respectively. And it was 0.4 V after the erase in which the control gate was grounded and the drain were biased with 11 V for $200{\mu}S$. On the other hand, it was found that the program and the erase speeds were significantly dependent on the capacitive coupling ratio between the control gate and the floating gate. The larger the capacitive coupling ratio, the higher the speeds, but the target the area per cell. The optimum structure of the cell should be chosen with the consideration of the trade-offs.
In this paper, using surface micromachining technology with thick photoresist and aluminum, an SLM(Spatial Light Modulator), which is applied to the fields of adaptive optics and pattern recognition system, was fabricated and the electromechanical properties of the fabricated micro SLM are measured. In order to maximize fill-factor and remove mechanical coupling between micro SLM actuators, the micro SLM is composed of three aluminum layers so that spring structure and upper electrode are placed beneath the mirror plate, and $10\times10$ each mirror plate is individually actuated. Also, the micro SLM was designed to be able to modulate phase and amplitude of incoming light in order to have a continuity of phase modulation of incoming light. In the case of amplitude and phase modulation, maximum vertical displacement is 4$\mum$, and maximum angular displacement is $\pm4.6^{\corc}$ respectively. The height difference of the fabricated mirror plate was able to be reduced to 1100A with mirror plate planarization method using negative photoresist(AZ5214). The electromechanical properties of the fabricated micro SLM were measured with the optical measurement system using He-Ne laser and PSD(position sensitive device).
Modem electronic circuits are of importance for the function of communication, traffic systems and security systems. An intentional threat to these systems could be of big casualties and economic disasters. This paper has shown damage effect of microcontroller device with coupling caused by UWB-HPEM(Ultra Wideband-High Power Electromagnetics). The UWB measurements were done at an Anechoic Chamber using a RADAN UWB voltage source, which can generate a transient impulse of about 180 kV. The susceptibility level for microcontroller has been assessed by effect of various operation line lengths. The results of susceptibility analysis has showed that the effect of the reset line length on the MT(Ma1function Threshold) is larger than the effect of the different line length(Data, Power, Clock). With the knowledge of these parameters electronic system can be designed exactly suitable concerning the system requirements. Based on the results, susceptibility of microcontroller can be applied to protection plan to elucidate the effects of microwaves on electronic equipment.
In this study, a novel gas sensor based on evanescent field coupling between single mode side polished fiber and solvatochromic dye dispersed polymer waveguide was demonstrated. We fabricated a side polished optical fiber device as a volatile organic compounds gas detector. Solvatochromic dye was coated on the top of the side polished optical fiber to take advantage of evanescent field coupling. The solvatochromism can be defined as the phenomenon whereby a compound changes color, either by a change in the absorption or emission spectra of molecule, when reacted in different VOCs. The device reacted to polarity gases like a hexane, butane, xylene etc. The resonance wavelength was shifted by the xylene concentration which range was 0.1 ppm ~ 100 ppm. Also, the response with the concentration was lineer and the detection limit was 0.1 ppb.
In this paper, the superposition principle of a heat sink temperature rise is verified based on the mathematical model of a plate-fin heat sink with two mounted heat sources. According to this, the distributed coupling thermal impedance matrix for a heat sink with multiple devices is present, and the equations for calculating the device transient junction temperatures are given. Then methods to extract the heat sink thermal impedance matrix and to measure the Epoxy Molding Compound (EMC) surface temperature of the power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) instead of the junction temperature or device case temperature are proposed. The new thermal impedance model for the power converters in Switched Reluctance Motor (SRM) drivers is implemented in MATLAB/Simulink. The obtained simulation results are validated with experimental results. Compared with the Finite Element Method (FEM) thermal model and the traditional thermal impedance model, the proposed thermal model can provide a high simulation speed with a high accuracy. Finally, the temperature rise distributions of a power converter with two control strategies, the maximum junction temperature rise, the transient temperature rise characteristics, and the thermal coupling effect are discussed.
The fast development of electronic devices towards wireless, portable and multi-functionality desperately needs the self-powered and low maintenance power sources. The possibility to coupling the nanogenerator to wearable and portable electronic device facilitates the self powered device with independent and self sustained power source. Nanogenerator has ability to convert the low frequency mechanical vibration to electrical energy which is utilized to drive the electronic device [1]. The self powered power source has the ability to generate the power from environment and human activity has attracted much interest because of place and time independent. The human body motion based energy harvesting has created huge impact for future self powered electronics device applications. The power generated from the human body motion is enough to operate the future electronic devices. The energy harvesting from human body motion based on triboelectric effect has simple, cost-effective method [2, 3] and meet the required power density of devices. However, its output is still insufficient to driving electronic devices in continues manner so new technology and new device architecture required to meet required power. In the present work, we have fabricated the triboelectric nanogenerator using PDMS polymer. We have studied detail about the power output of the device with respect to different polymer thickness and varied separation distance.
In order to effectively protect electrical and electronic circuits which are extremely susceptible to lightning surges, multi-stage surge protection circuits are required. This paper presents the operational characteristics of the two-stage hybrid surge protection circuit in extra-low voltage DC power lines. The hybrid surge protective device consists of the gas discharge tube, transient voltage suppressor, and series inductor. The response characteristics of the proposed hybrid surge protective device to combination waves were investigated. As a result, the proposed two-stage surge protective device to combination wave provides the tight clamping level of less than 50V. The firing of the gas discharge tube to lightning surges depends on the de-coupling inductance and the rate-of-change of the current flowing through the transient voltage suppressor. The coordination between the upstream and downstream components of the hybrid surge protective device was satisfactorily achieved. The inductance of a de-coupler in surge protective circuits for low-voltage DC power lines, relative to a resistance, is sufficiently effective. The voltage drop and power loss due to the proposed surge protective device are ignored during normal operation of the systems.
The junction properties between the ferromagnet (FM) and two-dimensional electron gas (2DEG) system are crucial to develop spin electronic devices. Two types of 2DEG layer, InAs and GaAs channel heterostructures, are fabricated to compare the junction properties of the two systems. InAs-based 2DEG layer with low trans-mission barrier contacts FM and shows ohmic behavior. GaAs-based 2DEG layer with $Al_2O_3$ tunneling layer is also prepared. During heat treatment at the furnace, arsenic gas was evaporated and top AlAs layer was converted to aluminum oxide layer. This new method of forming spin injection barrier on 2DEG system is very efficient to obtain tunneling behavior. In the potentiometric measurement, spin-orbit coupling of 2DEG layer is observed in the interface between FM and InAs channel 2DEG layers, which proves the efficient junction property of spin injection barrier.
Poly(3-hexyl thiophene)(P3HT) and poly(3-dodecyl thiophene)(P3DT) were polymerized by oxidative coupling with ferric chloride. The P3HT light-emitting device emitted red light and it could be observable in the ordinary indoor light. The device had the turn-on electric field of about 3$\times$$10^7$ V/m. The maximum electroluminescene (EL) intensity was obtained when the thickness of polymer layer was about 130 nm in IT0/P3HT/Al device. The maximum external quantum yield was 0.002%. The maximum luminance was 21 cd/$m^2$. The EL intensity decreases with increasing the crystallinity of the polymer layer. By using the oriented poly(3-alkyl thiophene)(PAT) layer as an electroluminescent layer in the ITO/polymer/Al light-emitting devices, the polarized EL light emission was observed. The EL intensity ratio of parallel to perpendicular direction to the stretch direction for P3HT was about 1.40.
Park, Tae-Hyun;Huang, Guanghao;Kim, Eon-Tae;Oh, Min-Cheol
Current Optics and Photonics
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제1권3호
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pp.214-220
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2017
A wavelength filter based on a polymer Bragg reflector has received much attention due to its simple structure and wide tuning range. Tilted Bragg gratings and asymmetric Y-branches are integrated to extract the reflected optical signals in different directions. To optimize device performance, design procedures are thoroughly considered and various design parameters are applied to fabricated devices. An asymmetric Y-branch with an angle of $0.3^{\circ}$ produced crosstalk less than -25 dB, and the even-odd mode coupling was optimized for a grating tilt angle of $2.5^{\circ}$, which closely followed the design results. Through this experiment, it was confirmed that this device has a large manufacturing tolerance, which is important for mass production of this optical device.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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