In this paper, two types of assemblies using CNT-filled SACAs (with 0.03 wt% CNTs and without CNT) were prepared to investigate the influence of carbon nanotubes (CNTs) on the reliability properties of solderable anisotropic conductive adhesives (SACAs) with a low-melting-point alloy (LMPA). Two types of reliability test including thermal shock (TS: -55 to $125^{\circ}C$, 1000 cycles) and high-temperature and high-humidity (HTHH: $85^{\circ}C$, 85% RH, 1000 h) tests were conducted. The SACA assemblies with and without CNTs showed stable electrical reliability properties due to the formation of wide and stable metallurgical interconnection between corresponding metallizations by the molten LMPA fillers. Although the mechanical pull strength of CNT-filled SACA assemblies was decreased after thermal aging (because of the excessive layer growth and planarization of the IMCs), the CNT-filled SACA with 0.03wt% CNTs showed enhanced mechanical reliability properties compared with the SACA assemblies no CNTs. This enhancement in mechanical performance was due to the reinforcement effect of the CNTs. These results demonstrate that CNTs within the CNT-filled SACAs can improve the reliability properties of CNT-filled SACAs joints due to their superior physical properties.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.32
no.3
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pp.219-222
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2019
In this study, we fabricated plate-type shunt resistors with thermal stability by parallelly connecting metal alloy plates with positive temperature coefficient of resistance (TCR) and carbon nanotube (CNT) plates with negative TCR. The metal alloy plates, which were prepared by alloying Cu and Mn with a composition of 91 wt% of Cu and 9 wt% of Mn, showed around $800ppm/^{\circ}C$ of TCR, and the CNT plates prepared from the CNT solution by using the vacuum filtration method showed around $-800ppm/^{\circ}C$ of TCR. The shunt resistor that was fabricated by stacking metal alloy plates and CNT plates in this work showed about $46.93ppm/^{\circ}C$ of TCR. Therefore, we conclude that a shunt resistor with low TCR can be realized by simply adjusting the TCR of the metal alloy only, because the TCR of the CNT plate has an identical value.
Although CNTFETs have attracted great attention due to their ability to increase semiconductor device performance by about 13 times, the commercialization of CNTFETs has been challenging because of the immature deposition process of CNTs. To overcome these difficulties, circuit design method considering the known limitations of the CNTFET manufacturing process is receiving increasing attention. SRAM is a major element constituting microprocessor and is regularly and repeatedly positioned in the cache memory; so, it has the advantage that CNTs can be more easily and densely deposited in SRAM than other circuit blocks. In order to take these advantages, this paper presents a circuit design method for SRAM cells considering CNT density and then evaluates its performance improvement using HSPICE simulation. As a result of simulation, it is found that when CNTFET is applied to SRAM, the gate width can be reduced by about 1.7 times and the read speed also can be improved by about 2 times when the CNT density was increased in the same gate width.
Han Chang-Soo;Seo Hee-Won;Lee Hyung-Woo;Kim Soo-Hyun;Kwak Yoon-Keun
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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v.7
no.1
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pp.42-46
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2006
This paper presents a method for deposition an individual carbon nanotube (CNT). The alignment of a single CNT is very useful to perform studies related to applications in FET (Field Emitted Transistor), SET (Single Electron Transistor) and to make chemical sensor as well as bio sensors. In this study, we developed the deposition method of a CNT individualized in a solution. Using the electrokinetic method, we found the optimum conditions to assemble the nanotube and discussed about plausible explanation for the assembling mechanism. These results will be available to use for making the CNT sensor device.
In this paper, we propose a method to estimate the actuating voltage of the nanotweezer made by manual assembly using carbon nanotube. The nanotweezer is composed of two CNT arms that are made by the multiwalled carbon nanotube and tungsten tip. Since the each CNT arm has the macro actuator, the nanotweezer can manipulate a large particle and it is possible to close and open the CNT arm repeatedly. The closing voltage, i.e., actuating voltage is calculated using the capacitance between the carbon nanotubes in CNT arm. We demonstrate the actuation of the nanotweezer using the voltage calculated with the electrostatic force.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.10
no.1
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pp.47-53
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2011
From recent research, it has revealed that Electroacitve polymer(EAP) has a physical limitation. Carbon nanotube(CNT) is known as the promising material which has excellent electro-mechanical characteristics and is mostly defect-free. It is expected that a successful synthesis of CNT and Nafion known as a primary material for IPMC would make a great improvement on its electro-mechanic feature. In this paper, we suggest the method of synthesis of CNT with Nafion which improves electro-mechanical characteristic. Using mechanical dispersion with Nafion and Isopropyl Alcohol(IPA), we disperse Single-walled carbon nanotubes(SWCNT). For a uniformly layer of CNT, we used a spray gun on a hot plate by a simplified method. In the result, we fabricated a disperse SWCNT/Nafion composite uniformly.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.57
no.10
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pp.1876-1882
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2008
Nano manipulator is used to manufacture Carbon NanoTube(CNT) tips. Using nano manipulator, operator attaches a CNT at the apex of Atomic Force Microscope(AFM) tip, which requires a mastery of mechanics and long manufacture time. Nano manipulator is installed inside a Scanning Electron Microscope(SEM) chamber to observe the operation. This paper presents a control scheme for horizontal axes of nano manipulator via processing SEM image. Edges of AFM tip and CNT are first detected, and the position information so obtained is fed to control horizontal axes of nano manipulator. That is, a visual servoing loop is realized to control the axes more precisely in nano scale.
In this paper, we have investigated water content of semiconductive shield materials for power cables, EEA(Ethylene Ethyl Acrylate) is used polymer matrix. And filler is used CNT(Carbon Nanotube) and CB(Carbon Black). EEA, CNT and CB is favor moisture. In case of EEA, it has polyolefin resin that strong polarity combination. To research water content, experimental method used KF(Karl Fischer). KF method is Electrochemical titration based on chemical reaction. As a result, specification by KEPCO(Korea Electric Power Corporation) is lower than 800ppm. CNT and CB ratio of 80 versus 20 is best specimen that had lowest moisture content. It seem likely to increase crosslinking rate, CNT between CB.
In this paper, I propose the field emission tip for the E-beam array system that is made by carbon nanotubes(CNT). CNT is one of the most expected future materials, because of its great mechanical, chemical and electrical characteristics. So CNT can be used for many applications such as electron emitter, sensor, single electron transistor and AFM tip. And CNT will be applied to our E-beam array system as field emission tip so we will improve the system's electrical characteristics.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.3
no.1
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pp.23-29
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2002
The electronic properties of Carbon Nanotube(CNT) are currently the focus of considerable interest. In this paper, the electronic properties of finite length effect in CNT for the carbon nano-scale device is presented. To Calculate the electronic properties of CNT, Empirical potential method (the extended Brenner potential for C-Si-H) for carbon and Tight Binding molecular dynamic (TBMD) simulation are used. As a result of study, we have known that the value of the band gap decreases with increasing the length of the tube. The energy band gap of (6,6) armchair CNT have the ranges between 0.3 eV and 2.5 eV. Also, our results are in agreements with the result of the other computational techniques.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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