Kim, Woo-Sup;Kim, Joon-Hee;Kim, Jong-Han;Hur, Kang-Heon
한국세라믹학회지
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제40권4호
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pp.346-349
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2003
Microwave dielectric characteristics and physical properties of the new Zr$_{1-x}$ (Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$)xTi $O_4$ (0.2$\leq$x$\geq$ 1.0) system have been investigated as a function of the amount of Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$$O_2$substitution. With increasing Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$$O_2$ content (x), two phase regions were observed: $\alpha$-Pb $O_2$ solid solution (x<0.4), mixture of the rutile type Zn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$Ti $O_4$ and the $\alpha$-Pb $O_2$ solid solution (x$\geq$0.4). In the$\alpha$-Pb $O_2$solid solution region below x<0.4, the Q.f$_{0}$ value sharply increased and the Temperature Coefficient of the Resonant Frequency(TCF) decreased with increasing Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$$O_2$ contents while dielectric constant (K) showed nearly same value. In the mixture region above x$\geq$4, the dielectric constant and TCF increased with increasing Bn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$$O_2$ content. Zr$_{1-x}$ (Zn$_{1}$3/Nb$_{2/3}$)xTi $O_4$ materials have excellent microwave dielectric properties with K=44.0, Q.f$_{0}$ : 41000 GHz and TCF =-3.0 ppm/$^{\circ}C$ at x=0.35.=0.35. x=0.35.=0.35.
One of the major reasons for not integrating a VCO on one-chip in a PLL (phase locked loop) system is the large chip-to-chip variation of the VCO (voltage controlled oscillator) center frequency. In this thesis, a simple bias technique is proposed to compensate the process fluctuation. The proposed bias technique is applied to the VCO and it reduces the deviation of the VCO center frequency from 35% to 8 %. With the suggested bias technique, a 400 MHz frequency synthesizer is designed for general purpose. It utilizes a programmable divider for various division ratio. The design methodology provides the possibility of the one-chip solution for a PLL system.
The multi-functional one-chip sensor has been fabricated to reduce output variation under various water environment. There were a temperature sensor, a piezoresistive type pressure sensor, and a electrode type conductivity sensor in the fabricated one-chip sensor. This sensor was measured water depth in the range of $0{\sim}180cm$, temperature in the range of $0{\sim}50^{\circ}C$, and salinity in the range of 0 $0wt%{\sim}5wt%$, respectively. Since the change of water depth in solution environment depends on various factors such as salinity, latitude, temperature, and atmospheric pressure, the water depth sensor is needed to be compensated. We tried to compensate the salinity and temperature dependence for the pressure in water by using lookup-table method.
Park, Yong-Sung;Park, Dae-Hee;Kwon, Young-Soo;Tomoji Kawai
대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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제52권8호
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pp.365-370
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2003
This research aims to develop an indicator-free DNA chip using micro-fabrication technology. At first, we fabricated a DNA microarray by lithography technology. Several probe DNAs consisting of thiol group at their 5-end were immobilized on the gold electrodes. Then indicator-free target DNA was hybridized by an electrical force and measured electrochemically in potassium ferricyanide solution. Redox peak of cyclic-voltammogram showed a difference between target DNA and mismatched DNA in an anodic peak current. Therefore, it is able to detect various genes electrochemically after immobilization of various probe DNAs and hybridization of indicator-free DNA on the electrodes simultaneously It suggested that this DNA chip could recognize the sequence specific genes.
As the railway transportation is getting faster and its operation speed has increased rapidly, its signal control has been complicated. For real time signal processing it is very important to prohibit any critical error from causing the system to malfunction. Therefore, handling complicated signals effectively while maintaining fault-tolerance capability is highly expected in modern railway transportation industry. In this paper, we suggest an SoC (Sytem-on-Chip) design method to integrate these complicated signal controlling mechanism with fault tolerant capability in a single chip. We propose an SoC solution which contains a high performance 32-bit embedded processor, digital filters and a PWM unit inside a single chip to implement ATO's, ATC's, ATP's and ATS's digital signal-processing units. We achieve an enhanced reliability against the calculation error by adding fault tolerance features to ensure the stability of each module.
W. Y. Uhm;T. S. Kang;D. An;Lee, B. H.;Y. S. Chae;Park, H. M.;J. K. Rhee
한국전자파학회:학술대회논문집
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한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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pp.69-73
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2002
We have designed and fabricated a low-cost, V-band CPW receiver chip set using GaAs PHEMT technology for the application of millimeter-wave wireless communication systems. Low noise amplifiers and down-converters were developed for this chip set. The fabricated low noise amplifier showed an S$\sub$21/ gain of 14.9 ㏈ at 60 ㎓ and a noise figure of 4.1 ㏈ at 52 ㎓. The down-converter exhibited a high conversion gain of 2 ㏈ at the low LO Power of 0 ㏈m. This work demonstrates that the GaAs PHEMT technology is a viable low-cost solution for V-band applications.
본 논문은 확률 펄스연산을 이용한 신경회로망이 on-Chip학습 알고리즘에 대해 기술하였다. 확률 펄스 연산은 임이의 펄스열에서 1과 0이 발생할 확률을 통해 표현된 수를 사용하여 계산하는 것을 일컫는다. 이러한 확률연산을 신경회로망에 적용하면 하드웨어 구현먼적을 줄일 수 있다는 것과 확률적인 특징으로 인해 지역 최소값으로부터 빠져 나와 광역 최적해에 도달할 수 있다는 장점을 갖고 있다. 또한 본 연구에서는 칩 냅에 학습할 수 있는 on-chip학습 알고리즘을 역전파 학습 알고리즘으로부터 유도하였다. 이렇게 유도된 알고리즘을 검증하기 위하여 비선형 패턴분리문제를 모의실험 하였다. 도한 활자체 및 필기체 숫자 인식에도 적용하여 좋은 결과를 얻었다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제7권3호
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pp.161-165
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2007
In this paper, mesoporous Pt on micro pillars Pt electrode is newly designed, fabricated, and characterized on silicon substrate for non-enzymatic electrochemical sensor micro-chip integrated with CMOS readout circuitry. The fabricated micro/nano Pt electrode has cylindrical hexangular arrayed nano Pt pores with a diameter of 3.2 nm which is formed on top of the micro pillars Pt electrode with approximately $6{\mu}m$ in diameter, $6{\mu}m$ in space, and $50{\mu}m$ in height. The measured current responses of the fabricated plane Pt, mesoporous Pt, and mesoporous Pt on the micro pillar Pt electrodes are approximately $9.9nA/mm^2,\;6.72{\mu}A/mm^2,\;and\;7.67{\mu}A/mm^2$ in 10mM glucose solution with 0.1M phosphate buffered saline (PBS) solution, respectively. In addition, the measured current responses of the fabricated plane Pt, mesoporous Pt, and mesoporous Pt on the micro pillar Pt electrodes are approximately $0.15{\mu}A/mm^2,\;0.56{\mu}A/mm^2,\;and\;0.74{\mu}A/mm^2$ in 0.1mM ascorbic acid (AA) solution with 0.1M phosphate buffered saline (PBS) solution, respectively. This experimental results show that the proposed micro/nano Pt electrode is highly sensitive and promising for CMOS integrated non-enzymatic electrochemical sensor applications. Since the micro-pillar Pt electrode can also be utilized with a micro-fluidic mixer in the sensor chip, the sensor chip can be much smaller, cheaper, and easier to be fabricated.
In chip plating, several parameters must be taken into consideration. Current density, solution concentration, pH, solution temperature, components volume, chip and media ratio, barrel geometrical shape were most likely found to have an effect to the process yields. The 3 types of barrels utilized in chip plating industry are the conventional rotating barrel. vibrational barrel (vibarrel), and the centrifugal type. Conventional rotating barrel is a close type and is commonly used. The components inside the barrel are circulated by the barrel's rotation at a horizontal axis. Process yield has known to have higher thickness deviation. The vibrational barrel is an open type which offers a wide exposure to electrolyte resulting to a stable thickness deviation. It rotates in a vertical axis coupled with multi-vibration action to facilitate mixed up and easy transportation of components, The centrifugal barrel has its plated work centrifugally compacted against the cathode ring for superior electrical contact with simultaneous rotary motion. This experiment has determined the effect of barrel vibration intensity to the plating thickness distribution. The procedures carried out in the experiment involved the overall plating process., cleaning, rinse, Nickel plating, Tin-Lead plating. Plating time was adjusted to meet the required specification. All other parameters were maintained constant. Two trials were performed to confirm the consistency of the result. The thickness data of the experiment conducted showed that the average mean value obtained from higher vibrational intensity is nearer to the standard mean. The distribution curve shown has a narrower specification limits and it has a reduced variation around the target value, Generally, intensity control in vi-barrel facilitates mixed up and easy transportation of components, However, it is desirable to maintain an optimum vibration intensity to prevent solution intrusion into the chips' internal electrode. A cathodic reaction can occur in the interface of the external and internal electrode. $2HD{\;}+{\;}e{\;}{\rightarrow}20H{\;}+{\;}H_2$ Hydrogen can penetrate into the body and create pressure which can cause cracks. At high intensity, the chip's motion becomes stronger, its contact between each other is delayed and so plating action is being controlled. However, the strong impact created by its collision can damage the external electrode's structure thereby resulting to bad plating condition. 1 lot of chip was divided into two equal partion. Each portion was loaded to the same barrel one after the other. Nickel plating and tin-lead plating was performed in the same station. Portion A maintained the normal barrel vibration intensity and portion B vibration intensity was increased two steps higher. All other parameters, current, solution condition were maintained constant. Generally, plating method find procedures were carried out in a best way to maintained the best plating condition. After plating, samples were taken out from each portion. molded and polished. Plating thickness was investigated for both. To check consistency of results. 2nd trial was done now using different lot of another characteristics.
본 연구에서는 화학 물질의 급성 안자극 시험을 수행하기 위한 세포 기반 미세유체 칩의 개발과 응용에 관한 연구를 수행하였다. 포토리소그래피와 소프트리소그래피 공정을 이용하여 미세유체 칩을 제작하였으며, 칩은 배양 면적이 다른 3개의 세포 배양 구획으로 이루어져 있다. 세포 기반 안자극 시험은 토끼 각막 상피 세포를 사용하여 수행하였다. 미세유체 칩에 배양된 세포에 화학 물질 수용액을 처리한 후 일정한 간격으로 세포를 관찰하고, 생존율 곡선을 기반으로 세포 사멸에 대한 속도 상수를 계산하였다. 세포-세포 사이의 연접, 세포-기판 사이의 부착, 초기 세포 수 변화가 세포 사멸 속도에 미치는 영향을 조사하여 미세유체 칩의 성능을 검증하였다. 안자극 시험의 표준물질인 sodium dodecylsulfate (SDS) 수용액의 다양한 농도 조건에서 안자극 시험을 수행하였다. 화학 물질의 수용액에 300초 동안 노출시킨 세포의 생존율을 이용하여 안자극을 시험하였다. 최종적으로 미세유체 칩의 각 구획에 대한 가중치를 기반으로 독성 점수(toxicity score, TS) 산출식을 얻었다. 본 연구에서 개발한 세포 기반 미세유체 칩은 화장품과 제약에 사용되는 화학 물질의 안자극 시험에 활용될 수 있을 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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