• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
• /
• pp.585-588
• /
• 1998

We investigated the ultra-low energy B, P, and As ion implantation using ungraded MDRANGE code to form nanometer junction depths. Even at the ultra-low energies that were simulated in paper, it was found that channeling cases must be carefully considered. In the cases of B, channeling occurred above 500 eV, in the cases of P, channeling occurred above 1 keV, and in the cases of As, channeling occurred above 2 keV. Comparing 2D dopant profiles of 1 keV B, 2 keV P, and 5 keV As with tilts, we demonstrated that most channeling cases occurred not lateral directions but depth directions. Through thus results, even below 5 keV energy ion implant considered here, it is estimated that channeling effects are important in the formation of nanometer junction depths.

• 한국진공학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.300-305
• /
• 1998

rf magnetron sputtering 증착법으로 Al2O3(0001)기판위에 적층생장시킨 Pt박막의 결정성 및 이의 구조적 특성을 backscattering spectrometry(BS)/channeling, transmission electron microscopy(TEM)등을 이용해 분석하였다. $MeV^4$He ion channeling 결과, 증착시 기판의 온도가 $600^{\circ}C$, 증착된 Pt층의 두께가 3500$\AA$이었을 때 최소산란수율(channeling minimum yield)이 4%인 결정성이 우수한 Pt박막이 생장되었음을 확인하였으며, 동일한 증 착조건하에서 증착된 Pt층은 $Al_2O_3$(0001)기판위에 6중 대칭구조를 지닌(111)면방향으로 적층 생장되었으며, (111)면방향을 중심으로 대칭적인 원자배열 구조를 갖고 있는 쌍정구조를 형 성하고 있었다. 단면 TEM 분석결과에서도 격자부정합에 의한 strain을 감소시키기 위하여 형성된 쌍정을 관찰할 수 있었으며 strain이 집중되는 쌍정경계면에서 표면거칠기의 증가 또는 관찰되었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제6권3호
• /
• pp.235-241
• /
• 1997

실리콘 기판위에 초고진공 Ionized Cluster Beam(UHV-ICB)증착법으로 적층 성장시 킨 $Y_2O_3$ 박막의 결정성 및 구조를 Backscattering Spectroscopy(BS)/channeling을 이용하여 분석하였다. 현재까지 타증착법에 의해 성장된 $Y_2O_3$박막의 channeling 최소수율은 0.8~0.95 로 거의 비정질이거나 다결정이었다. 이에 반해 UHV-ICB법으로 Si(100), Si(111) 기판 위에 적층 성장시킨 $Y_2O_3$ 박막의 channeling 최소수율은 각각 0.28, 0.25로 UHV-ICB법으로 성장 시킨 $Y_2O_3$박막이 타증착법으로 성장시킨 박막보다 상대적으로 우수한 결정성을 지니고 있 었다. 또한 실리콘 기판의 방향에 관계없이 $Y_2O_3$박막의 표면 영역이 계면 영역보다 결정성 이 좋았다. Si(111) 위에 적층 성장한 Y2O3박막은 실리콘 결정과 $0.1^{\circ}$어긋나서 (111)면으로 성장하였고, Si(100) 위에 적층 성장한 $Y_2O_3$박막은 실리콘 결정과 평행하게 double domain 구조를 지닌 (110)면으로 성장하였다. 산소공명 BS/channeling 결과 Si(111) 위에 적층 성장 한 $Y_2O_3$박막의 산소는 결정성을 갖고 있으나 Si(100) 위에 적층 성장한 $Y_2O_3$박막의 산소는 random하게 분포하고 있음을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1996년도 제11회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.92-92
• /
• 1996

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회
• /
• pp.144-144
• /
• 1993

• Tribology and Lubricants
• /
• 제26권2호
• /
• pp.122-128
• /
• 2010

Focused Ion Beam (FIB) has been used for site-specific TEM sample preparation and small scale fabrication. Moreover, analysis on the surface microstructure and phase distribution is possible by ion channeling contrast of FIB with high resolution. This paper describes FIB applications and deformed surface structure induced by sliding. The effect of FIB process on the surface damage was explored as well. The sliding experiments were conducted using high purity aluminum and OFHC(Oxygen-Free High Conductivity) copper. The counterpart material was steel. Pin-on-disk, Rotational Barrel Gas Gun and Explosively Driven Friction Tester were used for the sliding experiments in order to investigate the velocity effect on the microstructural change. From the FIB analysis, it is revealed that ion channeling contrast of FIB has better resolution than SEM and the tribolayer is composed of nanocrystalline structures. And the thickness of tribolayer was constant regardless of sliding velocities.

• Applied Microscopy
• /
• 제46권3호
• /
• pp.164-166
• /
• 2016

Electron channeling contrast imaging (ECCI) is a powerful analyzing tool for identifying lattice defects like dislocations and twin boundaries. By using diffraction-based scanning electron microscopy technique, it enables microstructure analysis, which is comparable to that obtained by transmission electron microscopy that is mostly used in defect analysis. In this report, the optimal conditions for investigating crystal defects are suggested. We could obtain the best ECCI images when both acceleration voltage and probe current are high (30 kV and 20 nA). Also, shortening the working distance (6 mm) enhances the quality of defect imaging.

• Applied Microscopy
• /
• 제48권4호
• /
• pp.130-131
• /
• 2018

Electron channeling contrast imaging (ECCI) is one of the imaging techniques in scanning electron microscopy based on a variation in electron backscattering yield depending on the direction of the primary electron beam with respect to the crystal lattice. The ECCI provides not only observation of the distribution of individual grains and grain boundaries but also identification of the defects such as dislocations, twins, and stacking faults. The ECCI at the interface between recrystallized and deformed region of shot peening treated nickel clearly demonstrates the microstructural evolution during the recrystallization including original grain boundaries, and thus can provide better insight into the recrystallization behavior.

• Tribology and Lubricants
• /
• 제11권5호
• /
• pp.156-161
• /
• 1995

The subsurface damaged layer in ultraprecisison machined single crystal Ge was examined by ion channeling. Single crystal Ge surfaces were prepared by chemo-mechanical polishing, mechanical polishing with 1/4 gm diamond abrasive, single point diamond turning and ultraprecision orthogonal flycutting. The extent of subsurface lattice disorder was compared to the crystal's orginal surface quality. Ion channeling is seen to be useful for quantitative measure of lattice disorder in finely finished surfaces.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제26권4호
• /
• pp.133-140
• /
• 2019

열 사이클 조건이 전해 Cr/Ni-P 이중도금 시편의 접합강도 및 균열성장거동에 미치는 영향을 분석하였다. 전해 Ni-P 도금층을 열처리를 통해 결정화 시킨 후 전해 Cr 도금 후 한번 더 열처리한 결과, Cr/Ni-P 계면에서 상호확산으로 인해 Cr-Ni 고용체 band layer가 관찰되었다. 열 사이클 전 접합강도는 25.6 MPa이였으나, 1,000사이클 후 Cr 도금층의 균열 밀도 및 표면 거칠기 증가로 인해 도금층과 접착제 사이의 기계적 고착효과가 향상되어 접착제와 Cr 도금층 사이에서 박리되었고, 접합강도는 47.6 MPa로 점차적으로 증가하였다.