• 한국전자파학회논문지
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• 제13권10호
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• pp.1025-1033
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• 2002

본 논문에서는 위성중계기용 Ku-대역 증폭기에 사용되어질 수 있는 온도보상회로에 대하여 기술하였다. 위성중계기용 증폭기에서 요구하는 온도 규격과 다양한 온도보상 방식의 장단점을 살펴본 후 위성중계기용 증폭기에 적합한 온도보상회로로서 능동 바이어스 회로, 감쇄기를 이용한 온도보상회로, ALC Loop를 이용한 온도 보상회로를 선정하여 각자의 회로를 설계하였다. 각각의 온도보상회로는 설계 결과와 일치하는 실험 결과를 얻을 수 있었다. 이러한 결과는 실제 Ku-대역 위성중계기용 능동부품인 채널증폭기, 저잡음 증폭기, 중간 주파수 증폭기 등에 사용되어졌으며, 설계 규격을 만족하는 결과를 얻을 수 있었다.

• 전기의세계
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• 제24권4호
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• pp.80-82
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• 1975

This paper presents a synthesis procedure of multi-channel active filters, which realizes an arbitrary N*N matrix of real rational functions in the complex variable s as a voltage transfer matrix. The resultant network reveals a transformerless grounded active RC(2N+1)-terminal network. The active network is consisted of six 2N-port RC networks with 2N single-ended operational amplifiers.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.146-154
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• 2002

전력증폭기 포화영역가지의 선형화 방법을 제안한다. 최적화된 계수론 갖는 전치왜곡기 이득 다항식을 도입한다. 전력증폭기는 포화영역 근처에서 동작할 때 가장 높은 효율을 가진다. 이 전치왜곡기 이득 다항식을 이용하여 전력증폭기의 비선형성을 보상함으로써 증폭기의 효율을 극대화 할 수 있다. 씨뮬레이션 결과 ACPR (Adjacent Channel Power Ratio)이 대역 가장자리에서 약 63 dB 개선된다. 선형화기의 수렴 및 재수렴 특성 역시 만족스러운 성능을 보인다.

• 전자통신동향분석
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• 제34권5호
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• pp.71-80
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• 2019

Gallium nitride (GaN) can be used in high-voltage, high-power-density/-power, and high-speed devices owing to its characteristics of wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. In this study, we investigate the technology trends for X-/Ku-band GaN RF power devices and MMIC power amplifiers, focusing on gate-length scaling, channel structure, and power density for GaN RF power devices and output power level and output power density for GaN MMIC power amplifiers. Additionally, we review the technology trends in gallium arsenide (GaAs) RF power devices and MMIC power amplifiers and analyze the technology trends in RF power devices and MMIC power amplifiers based on both GaAs and GaN. Furthermore, we discuss the current direction of national research by examining the national and international technology trends with respect to X-/Ku-band power devices and MMIC power amplifiers.

• ETRI Journal
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• 제24권2호
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• pp.81-96
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• 2002

This paper describes our design of a hybrid amplifier composed of a distributed Raman amplifier and erbium-doped fiber amplifiers for C- and L-bands. We characterize the distributed Raman amplifier by numerical simulation based on the experimentally measured Raman gain coefficient of an ordinary single mode fiber transmission line. In single channel amplification, the crosstalk caused by double Rayleigh scattering was independent of signal input power and simply given as a function of the Raman gain. The double Rayleigh scattering induced power penalty was less than 0.1 dB after 1000 km if the on-off Raman gain was below 21 dB. For multiple channel amplification, using commercially available pump laser diodes and fiber components, we determined and optimized the conditions of three-wavelength Raman pumping for an amplification bandwidth of 32 nm for C-band and 34 nm for L-band. After analyzing the conventional erbium-doped fiber amplifier analysis in C-band, we estimated the performance of the hybrid amplifier for long haul optical transmission. Compared with erbium-doped fiber amplifiers, the optical signal-to-noise ratio was calculated to be higher by more than 3 dB in the optical link using the designed hybrid amplifier.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권1호
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• pp.122-130
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• 2015

This paper presents a 6 Gb/s 4-channel arrayed transimpedance amplifiers (TIA) with the gain control for 4-channel passive optical network in $0.13{\mu}m$ complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. A regulated cascode input stage and inductive-series peaking are proposed in order to increase the bandwidth. Also, a variable gain control is implemented to provide flexibility to the overall system. The TIA has a maximum $98.1dB{\Omega}$ gain and an input current noise level of about 37.8 pA/Hz. The die area of the fabricated TIA is $1.9mm{\times}2.2mm$ for 4-channel. The power dissipation is 47.64 mW/1ch.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권11호
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• pp.40-47
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• 2009

본 논문에서는 mixed driving 방식을 이용하고 이미지 개선을 위해 $\gamma$-correction을 수행하는 QVGA급 TFT-LCD driver IC의 Source Driver를 설계한다. 240 RGB ${\times}$ 320 dots resolution을 가진 source driver는 720개의 채널을 통해 TFT-LCD 패널을 구동하고 18-bit의 RGB 데이터를 사용하여 26만 color를 수행한다. Mixed driving 방식은 종전의 좋은 구동력을 가진 channel amp. driving 방식에 저면적이 가능한 gray amp. driving 방식을 혼합한 방식으로서, 영상이 동일 색상을 가지는 worst case를 감지하여 구동력을 높여주는 방식을 사용함으로써 적절한 구동력과 저면적을 구현하는 설계방식이다. 본 Source Driver는 $0.35{\mu}m$ Magnachip embedded DRAM 공정을 사용하여 설계하였으며 Hspice를 사용하여 시뮬레이션을 하였다. 실험결과, 기존의 gayscale driving 방식에서는 hsync time을 만족시키지 못하는데 비해 $17{\mu}s$의 channel 구동시간으로 충분한 timing margin을 가지고 액정 channel 을 구동할 수 있으면서, 구동 앰프 78개와 제어회로를 갖는 저면적으로 설계되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제9권5호
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• pp.660-667
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• 1998

본 논문에서는 실내 무선광연결에서 2개의 채널을 구성한 경우에 빔의 중첩으로 인하여 발생하는 흔신의 영향을 줄이기 위하여 차동증폭기를 사용하였다. 또한 동일한 원리를 이용하면 주변광집음이 있는 경우에 잡음을 억제할 수 있음을 실험적으로 확인하였다. 이러한 방법은 별도의 광학적 필터나 전기적 필터를 사용하지 않고 간단히 차동증폭기로 구현되므로 근거리 광연결을 구성하는 경우에 매우 유용하게 사용할 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권12호
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• pp.1172-1175
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• 2011

본 논문에서는 광대역 무선 신호를 증폭하는 전력증폭기의 성능 테스트 시 인접 채널 간섭(ACLR) 특성을 측정하는 데 있어서, 효과적인 다중 톤 생성을 활용한 테스트 방안에 관하여 연구하였다. 그 동안 단일 주파수 정현파 신호를 테스트에 활용하는 경우 신호가 복잡해짐에 따라 오차가 증가하는 문제점이 있기에, 실제 변조 신호와의 측정 오차를 최소화하도록 다중 톤 신호를 설계하는 방식을 제안하였다. 제안된 다중 톤은 시간 축에서의 유사성을 확보하는 방식으로 설계되어 기존의 다중 톤 생성 방식 대비 더욱 적은 수의 톤으로 정확한 결과를 얻을 수 있다. 이의 검증을 위하여 802.11a 규격의 기저 대역 복소 신호를 다중 톤 신호로 대체하였으며, 이를 전력증폭기 성능 검증에 활용하였다. 그 결과, N=10 이상의 톤 수를 확보하는 경우 3차, 5차 비선형성에 의한 ACLR 특성이 실제 신호 활용한 경우와 1 dB 이하의 오차를 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권2A호
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• pp.166-173
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• 2004

위성 통신 시스템은 지상국과 위성에서 고출력의 비선형 HPA(high power amplifiers)를 사용하게 된다. 그러므로 HPA의 비선형성이 통신 시스템에 미치는 영향을 고려하는 것이 중요하다. 본 연구는 비선형성 HPA에 의한 전력 스펙트럼 밀도 변화와 IBO(input back-off)에 따라 신호의 왜곡과 하모닉 성분의 크기 변화를 구한다. 그리고 BPSK 위성 통신 시스템에서, HPA에 의한 인접 채널 간섭(ACI : adjacent channel interference) 및 외부 재밍 간섭 등에 의한 동일채널 간섭(CCI : co-channel interference)를 고려하여 성능분석을 한다. 일정한 uplink SNR(signal to noise power ratio), uplink SIR(signal to co-channel interference power ratio), downlink SIR인 상황에서, 인접 채널 간섭의 크기에 따른 BER 성능 변화를 구한다. 위성에만 비선형 HPA가 있을 경우는, 비선형에 의한 인접 채널 간섭의 크기에 따라 성능에 많은 차이가 있음을 확인하였다. 그리고 지상국과 위성에서 모두 비선형 왜곡이 있을 때, CCI와 인접 채널 간섭에 의하여 더욱 성능이 저하된다.