The a-InGaZnO (a-IGZO) thin film transistor (TFT) has the advantages of larger mobility than that of amorphous silicon TFTs, acceptable reliability and uniformity over a large area, and low process cost. A capacitive-type touch sensor was studied with an a-IGZO TFT that can be used on the front side of a display due to its transparency. A capacitive sensor detects changes of capacitance between the surface of the finger and the sensor electrode. The capacitance varies according to the distance between the sensor plate and the touching or non-touching of the sensing electrode. A capacitive touch sensor using only one a-IGZO TFT was developed with the reduction of two bus lines, which made it easy to reduce the pixel pitch. The proposed sensor circuit maintained the amplification performance, which was investigated for various drive conditions.
이 논문에서는 잉크젯 프린팅 기술을 이용한 캐패시티브 터치 패드가 제안되었다. 이 터치 패드는 피부의 전기적 임피던스를 인한 유효 캐패시턴스의 변화를 탐지함으로써 터치됨을 감지한다. 종이를 기판으로 이용함으로써 값 싸고, 유연하며, 쉽게 쓰고 버릴 수 있는 터치 패드가 구현되었다. 또한 잉크젯 프린팅 기술을 이용함으로써 쉽고, 빠르고, 친환경적으로 제작이 되었다. 터치 하지 않았을 때, 측정된 캐패시턴스는 163~182pF 범위의 값을 가지며, 터치 하였을 때 218~272pF의 값을 가진다. 각 상태의 캐패스턴스 차이는 손가락의 터치를 인식할 수 있을 만큼 충분히 큼을 확인하였다.
본 논문에서는 터치키에 응용할 수 있는 풀 디지털 방식의 정전용량 센싱 기법을 제안한다. 제안된 회로는 측정하고자 하는 정전용량 두 개와 두 정전용량 사이 저항으로 구성된다. 각 정전용량과 저항으로 지연을 측정한 후 두 지연의 차이로 측정하고자 하는 두 정전용량의 차이를 구하는 방식으로 동작전압, 온도, 습도와 같은 동작환경변화의 영향을 완화시킬 수 있는 장점이 있다. 실험결과 제안된 방식의 정전용량 해상도가 1.02pF이어서 터치키에 적용할 수 있음을 보였다.
This paper reports the fabrication and characterization of surface micromachined poly 3C-SiC capacitive pressure sensors on silicon wafer operable in touch mode and normal mode for high temperature applications. FEM(finite elements method) simulation has been performed to verify the analytical mode. The sensing capacitor of the capacitive pressure sensor is composed of the upper metal and the poly 3C-SiC layer. Measurements have been performed in a temperature range from $25^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$. Fabrication process of designed poly 3C-SiC touch mode capacitive pressure sensor was optimized and would be applicable to capacitive pressure sensors that are required high precision and sensitivity at high pressure and temperature.
본 논문은 SoC 응용에 가능한 멀티 채널 용량형 터치 센서 유닛과 간단한 공통프로세스 유닛, 스위치 어레이를 포함하여 C-T 방법으로 터치 입력을 처리하는 ASIC을 제안하였다. 본 터치 센서 ASIC은 작은 전류와 칩 면적의 장점을 갖는 C-T 변환 방식에 기반 하여 설계하였으며, 최소 센싱 해상도는 한 카운터 당 41 fF이며, 외부 부품 없이 동작하기 위해 내부 발진기 및 LDO 레귤레이터, $I^2C$를 내장하였다. 본 ASIC은 0.18 um CMOS공정으로 구현되어 있으며, 1.8 V와 3.3 V 전원을 사용한다. 전체 소비 전력은 60 uA이고, 면적은 0.26 $mm^2$이다.
This paper proposes a capacitive touch switch using a switched-capacitor. The proposed method charges capacitance for measurement using the switched-capacitor until the voltage across the capacitance reaches a threshold voltage. As the proposed method uses the number of times being charged to measure the capacitance, the method has no relation with the operating frequency of the switched-capacitor. This paper also shows the quantization resolution of the proposed method is related to the capacitance in the switched-capacitor and the threshold voltage, i.e., the resolution is improved when the capacitance in the switched-capacitor is decreased and the threshold voltage is increased. Simulation result shows the method gives 31fF quantization resolution when the capacitance in the switched-capacitor is 50fF and threshold voltage is 80% of the supply voltage.
In this paper, we fabricate arrayed-type flexible capacitive touch sensor using liquid metal (LM) droplets (4 mm spatial resolution). Poly-4-vinylphenol (PVP) layer is used as a dielectric layer on the electrode patterned Polyethylene naphthalate (PEN) film. Bonding tests between hydroxyl group (-OH) on the PVP film and polydimethylsiloxane (PDMS) are conducted in a various $O_2$ plasma treatment conditions. Through the tests, we can confirm that non-$O_2$ plasma treated PVP layer and $O_2$ plasma treated PDMS can make a chemical bond. To measure dynamic range of the device, one-cell experiments are conducted and we confirmed that the fabricated device has a large dynamic range (~60 pF).
This paper describes a contact position detection method of a capacitive touch screen panel. The proposed method is composed of a circuited compensating algorithm generating an output signal having phase difference to an input signal associated with contact position, converts both input and output signals into digital waveform (5V logic), and calculates the phase difference. Finally, position information with the phase difference is obtained by using a low-cost microprocessor, which is convenient to compensate non-linearity error. The proposed method, that computes phase difference directly, has advantages in feasibility and cost because it minimizes the use of analog devices; rather, it utilizes, cost effective digital circuit. Analytical results are also given.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.964-967
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2009
A new hybrid-type touch screen panel (TSP) has been developed based on a-Si:H TFT which can detect the change of both $C_{LC}$ and photo-current. This TSP can detect the difference of $C_{LC}$ between touch and no-touch states in unfavorable conditions such as dark ambient light and shadows. The hybrid TSP sensor consists of a detection area which includes one TFT for photo sensing and two TFTs for amplification. Compared to a single internal capacitive TSP or an optical sensing TSP, this new proposed hybrid-type TSP enables larger sensing margin due to embedding of both optical and capacitive sensors.
본 논문에서는 개선된 charge pump 회로를 이용하여 구성한 터치스크린 패널 드라이버를 소개한다. 터치 패널 드라이버는 크게 터치를 감지하는 아날로그 센싱 부분과 감지된 신호를 처리하는 디지털 신호 처리 부분으로 이루어진다. 제안된 터치스크린 드라이버의 동작을 확인하기 위하여 혼성 모드로 회로를 구성하고 Cadence Spectre를 이용하여 그 동작을 검증하였다. 디지털 회로 부분은 Verilog-A 모델링하여 아날로그 부분과의 인터페이스가 가능하게 하여, 그 동작을 검증함으로써 동작의 신뢰성을 확보하였고 시뮬레이션 시간을 줄일 수 있었다. 시뮬레이션 결과 ADC가 없는 간단한 구조의 디지털 신호 변환으로 터치 패널 드라이버의 안정적인 동작을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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