• 방송공학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.111-117
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• 1998

MPEG-2 표준 방식과 같이 DCT 변환을 사용하는 블록부호화 방법에서는 각 블록을 독립적으로 처리하기 때문에, 블록의 경계선에 따라 불연속성을 갖는 블록경계 현상이 나타난다. 본 논문에서는 이러한 블록경계 현상을 줄이기 위해 가변 양자화기를 이용한 이 단계 변환부호화 방법과 전체 영상을 고려한 최적 필터를 이용하는 방법을 제시한다. 기존의 방법들은 변환부호화의 구조를 바꾸는 방법과 복원된 영상을 후처리하는 방법 등으로 분류할 수 있지만, 이들의 성능을 비교하기는 쉽지 않다. 본 논문에서 제안한 새로운 알고리즘을 기존의 알고리즘들과 객관적으로 비교하기 위해 최적 비트할당 알고리즘을 적용하였다.

• 품질경영학회지
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• 제27권1호
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• pp.59-79
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• 1999

The fitting of a response surface model and the subsequent exploration of the response surface are usually based on the assumption that the experimental runs are carried out under homogeneous conditions. This, however, may be quite often difficult to achieve in many experiments. To control such an extraneous source of variation, the response surface design should be arranged in several blocks within which homogeneity of conditions can be maintained. In this case, when fitting a response surface model, the least squares estimates of the model's parameters and the prediction variance will generally depend on how the response surface design is blocked. That is, the choice of a blocking arrangement for a response surface design can have a considerable effect on estimating the mean response and on the size of the prediction variance. In this paper, we propose a measure for evaluating the effect of blocking of response surface designs using cuboidal regions.

• 한국세라믹학회지
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• 제48권6호
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• pp.549-558
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• 2011

Application of a generalized equivalent circuit including the electrode condition for the Hebb-Wagner polarization in the frequency domain proposed by Jamnik and Maier can provide a consistent set of material parameters, such as the geometric capacitance, partial conductivities, chemical capacitance or diffusivity, as well as electrode characteristics. Generalization of the shunt capacitors for the chemical capacitance by the constant phase elements (CPEs) was applied to a model mixed conducting system, $Ag_2S$, with electron-blocking AgI electrodes and ion-blocking Pt electrodes. While little difference resulted for the electron-blocking cell with almost ideal Warburg behavior, severely non-ideal behavior in the case of Pt electrodes not only necessitates a generalized transmission line model with shunt CPEs but also requires modelling of the leakage in the cell approximately proportional to the cell conductance, which then leads to partial conductivity values consistent with the electron-blocking case. Chemical capacitance was found to be closer to the true material property in the electron-blocking cell while excessively high chemical capacitance without expected silver activity dependence resulted in the electron-blocking cell. A chemical storage effect at internal boundaries is suggested to explain the anomalies in the respective blocking configurations.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.233-236
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• 2012

본 논문에서는 차단층 설계 변수에 따른 GaN 기반 LED의 출력 특성을 분석하였다. 사용된 LED의 기본 구조는 GaN 버퍼층을 기반으로 GaN 장벽과 InGaN 양자 우물로 이루어진 활성 영역이 AlGaN EBL(Electron Blocking Layer)과 AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) 사이에 구성되어 있다. ISE-TCAD를 이용하여 GaN 기반 LED에서 EBL의 Al 몰분율과 두께, HBL의 Al 몰분율과 도핑 농도에 따른 출력 전력과 내부 양자 효율 특성을 분석하였다.

• 대한화장품학회지
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• 제44권2호
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• pp.183-189
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• 2018

블루라이트는 가시광선영역의 파장 중 가장 에너지가 높은 파장으로 피부노화 유발 및 활성산소를 유발하는 것으로 알려져 있으며, 피부의 유해 기작에 관한 연구가 진행 중이다. 화장품 분야에서의 블루라이트 차단소재 연구 및 관련 제형연구는 아직 초기 단계에 있으며, 블루라이트 차단 측정과 관련된 시험법 또한 명확하게 정립되어 있지 않다. 블루라이트 차단 효능 평가 시험법은 해외 자외선 차단제의 차단효과 평가 방법을 참고하여 확립하였다. 국내에 고시되어 있는 자외선 차단제 원료 27종 중 17종에 대하여 블루라이트 차단효과를 평가하였으며, 블루라이트 차단 효과는 징크옥사이드가 14.97%, 비스에칠헥실옥시페놀메톡시페닐트리아진이 16.32%, 메칠렌비스-벤조트리아졸릴테트라메칠부틸페놀이 35.47%, 티타늄디옥사이드가 65.96% 순으로 나타났다. 또한 동일 함량의 티타늄디옥사이드의 입자크기에 따른 블루라이트 차단효과를 확인한 결과 Nano-티타늄디옥사이드 보다 Micro-티타늄디옥사이드가 두 배 이상의 차단효과가 높게 나타냈다. 제시된 블루라이트 차단효과 평가 시험법은 블루라이트 차단 소재 탐색 및 화장품 제형 연구에 활용될 수 있을 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.201-207
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• 2002

In this paper, we haute proposed a novel trench electrode Base Resistance Thyristor(BRT) and trench electrode BRT with a intrinsic region. New power BRTs have shown superior electrical characteristics including the snab-back effect and the forward blocking voltage more than the conventional BRT. Especially, the trench electrode BRT with the intrinsic region has obtained high blocking voltage of 1600V. The blocking voltage of conventional BRT is about 400V at the same size. Because the breakdown mechanism of the BRT is the avalanch breakdown by impact ionization, the trench electrode BRT with intrinsic region has suppressed impact ionization, effectively. If we use this principle, we can develop a super high voltage power device and it applies to another power device including IGBT, EST and etc.

• 한국지능시스템학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.39-45
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• 2004

본 논문은 블록기반 DCT 부호화 영상의 화전 평가 몇 개선에 필수적인 블록화 외곡 정도를 측정하는 새로운 블라인드 측정 모델을 제안한다. 제안된 모델은 원영상을 필요로 하지 않으며 또한 인간시각 특성의 다채널 구조에 따른 주파수 민감도와 마스킹 현상을 반영하여 영상 부호화시 발생하는 블록화 외곡량을 정량적으로 검출, 측정하였으며 실험을 통해 제안된 모델의 타당성을 검증하였다.

• Journal of Electrical Engineering and information Science
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• 제1권1호
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• pp.77-81
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• 1996

Considering the human visual masking property, a modified relationship between the activity function and the visibility threshold is developed. This leads to a novel objective appraisal method for blocking effects in a lossy subimage coding by virtue of the human visual sensitivity. The appraisal criterion is examined using a series of reconstructed images that are DCT-coded at various bit rates. Experimental results show that the presented blocking effect measure well agrees with the subjective ranking.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권5호
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• pp.516-521
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• 2013

This paper investigates the two dominant but intertwined current blocking mechanisms of Switching and Kirk Effect in pure ternary InAlAs/InGaAs/InAlAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs). Molecular Beam Epitaxy (MBE) grown, lattice-matched samples have been investigated giving substantial experimental results and theoretical reasoning to explain the interplay between these two effects as the current density is increased up to and beyond the theoretical Kirk Effect limit for devices of emitter areas varying from $20{\times}20{\mu}m^2$ to $1{\times}5{\mu}m^2$. Pure ternary InAlAs/InGaAs/InAlAs DHBTs are ideally suited for such investigations because, unless corrective measures are taken, these devices suffer from appreciable current blocking effect due to their large conduction band discontinuity of 0.5 eV and thus facilitating the observation of the two different physical phenomena. This enhanced understanding of the interplay between the Kirk and Switching effect makes the DHBT device design and optimization process more effective and efficient.

• 대한화학회지
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• 제53권3호
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• pp.391-394
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• 2009