• 한국전자통신학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.1031-1036
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• 2019

본 연구는 드론 및 능동 빔패턴 측정장치를 활용하여 초단파레이다용 배열안테나의 빔패턴 측정내역에 대해서 기술하였다. 아직 국내에서는 크기가 큰 초단파대역용 안테나의 빔패턴을 측정하기 위한 무반사실이 없는 상황이다. 본 연구는 개발된 초단파레이다의 안테나 빔패턴 특성을 시험하기 위하여 드론에 능동 빔패턴 측정장치 및 수신안테나를 장착하여 안테나 빔패턴 특성을 시험하였다. 안테나에 대한 사전 시뮬레이션 분석결과와 측정된 결과를 비교하였을 때 빔폭 특성 및 부엽특성이 만족함을 확인 할 수 있었다. 향후 드론 및 능동 빔패턴 측정장치를 활용한 안테나 빔패턴 측정기술을 통하여 안테나 크기가 큰 저주파대역 레이다용 배열안테나의 빔패턴 측정 기술을 활용할 예정이다.

• 전기학회논문지
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• 제68권1호
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• pp.83-89
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• 2019

In this paper, beam forming using moving least squares method (MLSM) is studied. In the previous research, the least squares method (LSM), one of the data interpolation methods, was used to determine the desired beam pattern and obtain a beam pattern that minimizes the square of the error with the desired beam pattern. However, LSM has a disadvantage in that the beam pattern can not be formed to satisfy the exact steering angle of the desired beam pattern and the peak sidelobe level (PSLL) condition. To overcome this drawback, MLSM is used for beam forming. In order to verify, the proposed method is applied in beam forming of Bezier platform array antenna which is one of conformal array antenna platform.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1531-1534
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• 2005

Nano pattern is being utilized to produce micro optical components, sensors, and information storage devices. In this study, a study on nano pattern fabrication using raster-scan type Focused Ion Beam (FIB) milling is introduced. Because the intensity of ion beam has Gaussian distribution, the overlapping of the Gaussian beam results in a 3D pattern, and the shape of the pattern can be adjusted by variation of FIB milling parameters, such as overlap, ion dose, and dwell time. The Gaussian shape of single beam intensity has been investigated by experiment, and 3D nano patterns with pitch of 200nm generated by FIB is demonstrated.

• 한국정밀공학회지
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• 제25권4호
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• pp.134-139
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• 2008

A spirally arrayed nano-pattern is designed as a model pattern for the next generation optical storage media. The pattern consists off types of embossed rectangular dot, which are 50nm, 100nm, 150nm and 200nm in length and 50nm in width. The height of the dot is designed to be 50nm. The pitch of the spiral track of the pattern is 100nm. A ER(Electron resist) master for this pattern is fabricated by e-beam lithography process. The ER is first spin-coated to be 50nm thick on a Si wafer and then the model pattern is written on the coated ER layer by e-beam. After developing this pattern written wafer in the solution, a ER pattern master is fabricated. The most conventional e-beam machine can write patterns in orthogonal way, so we made our own pattern generator which can write the pattern in circular or spiral way. This program generates the patterns to be compatible with the e-beam machine from Raith(Raith 150). To fabricate 50nm pattern master precisely, a series of experiments were done including the design compensation for the pattern size, optimization of the dose, acceleration voltage, aperture size and developing. Through these experiments, we conclude that the higher accelerating voltages and smaller aperture size are better for mastering the nano pattern which is in order of 50nm. With the optimized e-beam lithography process, a spiral arrayed 50nm pattern master adopting PMMA resist was fabricated to have dimensional accuracy over 95% compared to the designed. Using this pattern master, a metal pattern stamp will be fabricated by Ni electro plating for injection molding of the patterned plastic substrate.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.217-222
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• 2014

본 논문에서는 평면형 능동 위상 배열 안테나에서 일부 모듈의 고장이 발생할 경우, 발생되는 빔 패턴 왜곡을 여러가지 경우로 비교하여 검토하고, 기존에 연구된 빔 패턴 보상 방법을 실제 안테나에 적용하여 빔 패턴 왜곡 개선 가능성을 분석하였다. 빔 패턴의 왜곡은 주로 부엽 수준의 증가로 나타나게 되는데, 부엽 수준이 기준치를 넘어서게 되면 고장모듈을 제외한 나머지 모듈의 크기/위상값을 재조정하여 부엽을 낮출 수가 있으며, 본 논문에서는 이 방법을 실제 제작된 안테나에 적용하기 위한 방안 및 근접 전계 챔버에서 측정한 결과를 시뮬레이션 결과와 비교하여 나타내었다. 고장모듈이 발생하는 경우는 무작위로 여러 곳에서 발생하는 경우와 여러 개의 배열을 포함하는 단위 모듈이 고장 날 경우로 나누어서, 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교 분석하였다. 측정 결과는 시뮬레이션 결과와 유사한 경향을 나타내며, 고장 모듈이 발생할 경우 남아있는 정상 모듈의 크기/위상 조정을 통해서 부엽을 낮추기 위한 빔 패턴 보상이 가능함을 확인할 수 있다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제7권1호
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• pp.53-64
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• 1996

목적 : 별모양무늬를 이용하여 원격 방사선치료기의 회전축의 정확성을 평가할 때 방사선의 진행방향을 고려해야 하는 이론적 근거와 방법을 개발하고, 방사선의 진행방향이 기록되지 않는 경우 길이 방향의 비대칭 조사면을 이용하여 흉내내는 방법을 개발하는 것이다. 방법 : 갠트리 회전축의 기계적 정확성을 평가하기 위해 방사선의 진행방향을 고려하였다. 좁은 조사면에 의해 별모양무늬를 만들어 회전축이라고 어림되는 교점에서 l0cm 떨어진 위치의 측방선량분포를 필름농도계로 측정하여 선축의 좌표를 구하고 하나의 선축에 있는 한 쌍의 좌표를 이용하여 선축의 식을 구한다. 선축과 일치하는 방사선 진행방향의 단위벡터 equation omitted를 구하고 가정된 회전축의 좌표에서 각 선축으로 향하는 벡터 equation omitted와 equation omitted의 벡터곱 equation omitted$\times$equation omitted을 구하여 평균을 취하고 평균에 대한 벡터곱의 최소자승법을 적용하여 회전축의 좌표를 구한다. 그 때 벡터곱의 최대치의 절대값이 구하는 회전축의 정확도이다. 방사선의 진행방향을 고려할 수 없는 콜리메이터와 치료대에 대해서는 진행방향에 대응하는 것으로 긴 방향이 비대칭인 조사면을 이용하였다. 결과 : 동일한 별모양 무늬에 대해 방사선의 진행방향을 고려할 때 회전축의 기계적 정확성이 진행방향을 무시할 때와 다르게 평가되었다. 결론 : 별모양 무늬를 이용하여 원격치료기의 기계적 정확성을 평가할 때는 방사선의 진행방향을 고려하거나 흉내내어 정량적으로 평가해야 한다.

• 한국레이저가공학회지
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• 제18권3호
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• pp.6-8
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• 2015

Finishing process includes deburring, polishing and edge radiusing. It improves the surface profile of specimen and eliminates the alien substance on surface. Deburring is the elimination process for debris of edges. Polishing lubricates surfaces by rubbing or chemical treatment. There are two types for electron finishing. The one is using pulse beam. The other is using the convergent and scanning electron beam. Pulse type device appropriates the large area process. But it does not control the beam dosage. Scanning type device has advantages for dosage control and edge deburring. We design the convergence and scan type. It has magnetic lenses for convergence and scan device for scanning beam. Magnetic lenses consist of convergent and objective lens. The lenses are designed by the specification(beam size and working distance). In this paper, we evaluate the convergence performance by pattern process. Also, we analysis the results and important factors for process. The important factors for process are beam size, pressure, stage speed and vacuum. These results will be utilized into systematizing pattern shape and the factors.

• 한국광학회지
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• 제21권1호
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• pp.6-11
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• 2010

아크릴레이트계 모노머를 사용한 최적화 된 포토폴리머에 안트라센 형광폴리머를 첨가하여 형광 특성을 가지는 포토폴리머를 제조하고, 514 nm 레이저를 이용하여 2-beam coupling 방법으로 형광 포토폴리머 필름 위에 회절격자를 형성하였다. 기록 시작 후 30초 이내에 선명한 fluorescent line pattern 이 형성되었으며, 회절격자 형성 뒤, 패턴이 형성된 부분에서 형광 세기의 증가가 관찰되었다. 기록 시 간섭 빔 앞에 mask pattern 을 이용하여 $50\;{\mu}m$ gap electrode 패턴을 형성하였다. 이 때 형성된 패턴은 micron scale gap패턴 안에 회절격자로부터 생성된 submicron scale의 grating line을 보였다. 이는 beam의 광 고분자 film 표면에 대한 각도($3.6^{\circ}$, $15^{\circ}$), 패턴에 사용된 광 고분자의 굴절률 등으로부터 Bragg's equation 을 사용하여 계산된 이론적인 grating 간격 ($0.6\;{\mu}m$) 과 오차범위 안에서 일치 하였다.

• 한국생산제조학회지
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• 제18권6호
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• pp.558-564
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• 2009

To aim at obtaining a correct and fine small pattern by an electron beam lithography several conditions and methods affecting a real pattern shape needs to be investigated. A micro/nano sized pattern shape is sometimes dependent on the scanning method. In this work, four types of scanning methods are implemented and their characteristics are investigated. For a $11\times11um$ pattern, a Zigzag scanning method proves a precise pattern generation. The other ways such as SEM scanning and swirl in-out scanning method result in some distorted pattern shape. It is proved that abrupt change in the pattern generation limits to obtaining a fine and small pattern.

• Macromolecular Research
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• 제13권5호
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• pp.435-440
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• 2005

This study describes a method where the match of two different length scales, i.e., the patterns from self-assembled block copolymer (<50 nm) and electron beam writing (>50 nm), allow the nanometer scale pattern mask. The method is based on using block copolymers containing a poly(methyl methacrylate) (PMMA) block, which is subject to be decomposed under an electron beam, as a pattern resist for electron beam lithography. Electron beam on self assembled block copolymer thin film selectively etches PMMA microdomains, giving rise to a polymeric nano-pattern mask on which subsequent evaporation of chromium produces the arrays of Cr nanoparticles followed by lifting off the mask. Furthermore, electron beam lithography was performed on the micropatterned block copolymer film fabricated by micro-imprinting, leading to a hierarchical self assembled pattern where a broad range of length scales was effectively assembled, ranging from several tens of nanometers, through submicrons, to a few microns.