• 제목/요약/키워드: band power

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RFID 대역에서 동작하는 이중 대역 전력증폭기 설계 (Design of Dual-Band Power Amplifier for the RFID Frequency-Band)

  • 김재현;황선국;박효달
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권3호
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    • pp.376-379
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    • 2014
  • 본 논문은 910 MHz와 2.45 GHz 대역에서 동작하는 RFID 트랜시버용 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 이중 대역 전력증폭기는 집중정수 소자로 구현된 910 MHz 대역의 정합 회로와 분포정수 소자로 구현된 2.45 GHz 대역의 정합 회로로 구성되며, 두 대역의 격리를 위하여 910 MHz 대역에 대하여 대역 제거 필터(band rejection filter)로 동작하고, 2.45 GHz 대역에서는 대역 통과 필터(band pass filter)로 동작하는 ${\lambda}/2$ 직렬 마이크로스트립 전송 선로로 구성되어 있다. 제작된 이중 대역 전력증폭기는 910 MHz와 2.45 GHz에서 이득이 각각 8 dB와 1.5 dB를 나타냈으며, 입력 전력 10 dBm을 인가하여 얻은 출력 전력은 두 대역 모두 20 dBm을 얻었다.

Schottky 다이오드를 이용한 Six-port용 L/Ku-band 광대역 Power detector 설계 제작 (Design and Implementation of L/Ku-band Broadband Power Detector using Schottky Diode)

  • 김영완
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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    • pp.615-618
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    • 2006
  • 본 논문에서는 직접 변환 방식인 six-port의 RF 출력 신호를 검파하고 요구 대역폭에서 입력 주파수 신호에 대한 진폭 및 위상차를 선형적으로 출력하는 광역 power detector를 설계 제작한다. Six-port 출력단에 접속되는 power detector는 높은 정합도를 갖고 반사파로 인한 Six-port 간 위상 불일치를 방지하고, 넓은 대역폭에서 낮은 VSWR을 유지하여야 하는 광역 특성을 갖는 power detector 설계가 필요하다. L-band의 강제 정합 회로와 Ku-band의 정합 회로 그리고 isolator와 정합 회로를 갖는 power detector 회로를 구성하여 요구하는 Six-port 형 power detector 성능을 평가한다.

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A D-Band Integrated Signal Source Based on SiGe 0.18μm BiCMOS Technology

  • Jung, Seungyoon;Yun, Jongwon;Rieh, Jae-Sung
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제15권4호
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    • pp.232-238
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    • 2015
  • This work describes the development of a D-band (110-170 GHz) signal source based on a SiGe BiCMOS technology. This D-band signal source consists of a V-band (50-75 GHz) oscillator, a V-band amplifier, and a D-band frequency doubler. The V-band signal from the oscillator is amplified for power boost, and then the frequency is doubled for D-band signal generation. The V-band oscillator showed an output power of 2.7 dBm at 67.3 GHz. Including a buffer stage, it had a DC power consumption of 145 mW. The peak gain of the V-band amplifier was 10.9 dB, which was achieved at 64.0 GHz and consumed 110 mW of DC power. The active frequency doubler consumed 60 mW for D-band signal generation. The integrated D-band source exhibited a measured output oscillation frequency of 133.2 GHz with an output power of 3.1 dBm and a phase noise of -107.2 dBc/Hz at 10 MHz offset. The chip size is $900{\times}1,890{\mu}m^2$, including RF and DC pads.

무선 통신을 위한 Quad-band RF CMOS 전력증폭기 (Quad-Band RF CMOS Power Amplifier for Wireless Communications)

  • 이미림;양준혁;박창근
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제23권7호
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    • pp.807-815
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    • 2019
  • 본 논문에서는 RF CMOS 180-nm 공정을 이용하여 무선 통신 기기에서 quad-band를 지원하기 위한 전력 증폭기를 설계하였다. 제안한 전력증폭기는 low-band인 0.9,1.8,2.4 GHz 와 high-band인 5 GHz 로 구성되어있으며, 각각 입력 정합회로에서는 스위치를 사용하지 않는 구조를 제안하였다. 그리고 최대 선형 전력 확보를 위해 출력 정합회로는 각 주파수 대역에서의 전력 정합지점으로 임피던스 변환을 진행하였다. 제안한 전력증폭기는 무선 통신 변조 신호를 사용하여 검증하였다. Long-term evolution(LTE) 10 MHz 변조 신호를 이용하여 0.9 GHz 및 1.8 GHz 를 측정하였으며, 이때 출력 전력은 각각 23.55 dBm 및 24.23 dBm으로 측정 되었고, 20 MHz 변조 신호를 사용한 경우, 1.8 GHz에서 출력 전력 22.24 dBm 이 측정되었다. Wireless local area network(WLAN) 802.11n 변조 신호를 이용하여 2.4 GHz 및 5.0 GHz 대역을 측정하였으며, 출력 전력은 20.58 dBm 및 17.7 dBm으로 확인되었다.

Ku-Band Power Amplifier MMIC Chipset with On-Chip Active Gate Bias Circuit

  • Noh, Youn-Sub;Chang, Dong-Pil;Yom, In-Bok
    • ETRI Journal
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    • 제31권3호
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    • pp.247-253
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    • 2009
  • We propose a Ku-band driver and high-power amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs) employing a compensating gate bias circuit using a commercial 0.5 ${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. The integrated gate bias circuit provides compensation for the threshold voltage and temperature variations as well as independence of the supply voltage variations. A fabricated two-stage Ku-band driver amplifier MMIC exhibits a typical output power of 30.5 dBm and power-added efficiency (PAE) of 37% over a 13.5 GHz to 15.0 GHz frequency band, while a fabricated three-stage Ku-band high-power amplifier MMIC exhibits a maximum saturated output power of 39.25 dBm (8.4 W) and PAE of 22.7% at 14.5 GHz.

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L-band EDFA에서 주입된 C-band laser에 의한 펌프 효과 (Pump Effect by Injected C-band laser in L-band EDFA)

  • 김익상;김동욱;김창봉
    • 한국통신학회논문지
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    • 제29권5A호
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    • pp.484-491
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    • 2004
  • L-band EDFA는 작은 평균밀도 반전율에서 동작하기 때문에 C-b란d에서 상대적으로 높은 흡수율로 인해 펌프 효과를 가지게 된다. 본 논문에서는 980nm의 펌프 입력 광 파워, C-band 펌프 파장 및 입력 광 파워에 따라 펌프 효과에 대해 논하고자 한다. 즉, C-band 펌프광의 흡수 또는 후방 자연방출광의 흡수라는 두 가지 다른 메카니즘을 통해 펌프 효과를 야기 시키게 된다. 또한 동일한 소 신호 이득 조건 하에서 L-band 신호 입력 광에 의한 포화 특성 (포화 광출력, 잡음지수에 있어서 장파장의 C-band 펌프가 양호한 것으로 나타난다. 전광 고정이득 L-band EDFA에서 C-band발진의 효과를 검토한 결과 L-band발진에 비해서 개선된 특성은 없는 것으로 나타난다.

PBG 구조를 이용한 Ka Band 전력증폭기 성능개선에 관한 연구 (Improvement of Ka band Power Amplifier Employing Photonic Band Gap Structure)

  • 서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제41권1호
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    • pp.65-68
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    • 2004
  • 본 논문에서는 밀리미터파 대역 전력증폭기가 출력단에 PBG (photonic bandgap structure) 구조를 설치함으로써 성능개선 되었다 PBG 구조는 Ka 대역에서 저역통과 특성을 갖도록 최적화되었다. 전력증폭기의 하모닉은 PBG 구조에 의하여 억제되었고 50 GHz에서 40dBc 개선되었다 전력증폭기의 IMD와 PAE는 PBG에 의하여 기존의 전력증폭기에 비하여 각각 $15\%$$25\%$ 개선되었다.

작업난이도 변화가 인간과오 관련 뇌파 특성에 미치는 영향 (Influence of Work Difficulty Variation on EEG Characteristics Related with Human Errors)

  • 임현교
    • 한국안전학회지
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    • 제25권3호
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    • pp.123-130
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    • 2010
  • Electroencephalogram(EEG) would be the most objective psychophysiological research technique on human errors though few research has been taken yet. This study aimed to get characteristics of human error while committing simple Odd-Ball tasks by utilizing the power spectrum technique of EEG data. Each experiment was composed of 3 tasks with different rules, and 8 young undergraduate students participated in this study as paid subjects. The result showed in the affirmative that subject and the interaction of subject and task factors were statistically significant on variation of $\alpha$ band power $P_{\alpha/(\alpha+\beta+\theta)}$ and $\beta$ band power $P_{\beta/(\alpha+\beta+\theta)}$, and that the former increasing in backward direction to Pz reflects compatibility whereas the latter increasing in forward direction to Fz reflects familiarity. Therefore it was coucluded that, since task 2 carried out in the present research requiring decoding process would be more difficult to human beings than the task merely requiring psychological recall process, task 1 and task 3 were classified into a homogenious group excluding task 2, and the ratio $\alpha$ band power to $\beta$ band power indicated enormous increase of $\alpha$ band power relative to $\beta$ band power in the cases of contra-lateral errors, especially in task 2.

Wide Band-gap FETs for High Power Amplifiers

  • Burm, Jin-Wook;Kim, Jae-Kwon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제6권3호
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    • pp.175-181
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    • 2006
  • Wide band-gap semiconductor electron devices have made great progresses to produce very high power amplifiers for various wireless standards. The advantages of wide band-gap electronic devices and their progresses are summarized in this paper.

A Novel Design of High Power Amplifier Employing Photonic Band Gap in Millimeter Wave Band

  • Seo Chul-Hun
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제6권2호
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    • pp.98-102
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    • 2006
  • In this paper, we have designed and fabricated the high power amplifier employing PBG(Photonic Band-Gap Structure) to improve the linearity of the amplifier in the millimeter wave band. The fabricated amplifier using MMIC(TGA1073G) has operated about 24 GHz band and the PBG has resulted in 35 dB suppression about 49 GHz where the second harmonic occurs due to the amplifier. As a result, the output power has been 24.43 dBm and 13.2 dBc of the IMD has been improved. Also, the PAE is obtained to 14.96 % of the amplifier employing the PBG structure in Ka band.