Thin Film Transistor(TFTs) were fabricated from poly-Si crystallized by a two-step annealing process on glass substrates. The combination of low-temperature(500$^{\circ}C$) Metal-Induced Lateral Crystallization(MILC) furnace annealing and high -temperature (700$^{\circ}C$) rapid thermal annealing leads to the improvement of the material quality The TFTs measured with this two-step annealing material exhibit better characteristics than those obtained by using conventional MILC furnace annealing.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.290.2-290.2
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2016
Recently, organic thin-film transistors have been widely researched for organic light-emitting diode panels, memory devices, logic circuits for flexible display because of its virtue of mechanical flexibility, low fabrication cost, low process temperature, and large area production. In order to achieve high performance OTFTs, increase in accumulation carrier mobility is a critical factor. Post-fabrication thermal annealing process has been known as one of the methods to achieve this by improving the crystal quality of organic semiconductor materials In this paper, we researched the properties of pentacene films with X-Ray Diffraction (XRD) and Atomic Force Microscope (AFM) analyses as different annealing temperature in N2 ambient. Electrical characterization of the pentacene based thin film transistor was also conducted by transfer length method (TLM) with different annealing temperature in Al- and Ti-pentacene junctions to confirm the Fermi level pinning phenomenon. For Al- and Ti-pentacene junctions, is was found that as the surface quality of the pentacene films changed as annealing temperature increased, the hole-barrier height (h-BH) that were controlled by Fermi level pinning were effectively reduced.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.8
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pp.859-865
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2004
LaNiO$_3$(LNO) thin films on (100) Si substrates are prepared by sol-gel method on heat treatment conditions, such as heat transfer direction, pyrolysis and annealing process, and annealing temperatures and times. The effect of heat treatment conditions on the (100) orientations, structures and resistances of the thin films are investigated by XRD, SEM(FESEM), and a lout probe method. Highly (100) orientation factor(0.97), a pseudocubic crystalline structure with a dense and uniform microstructure could be formed by the following conditions: 1) the heat transfer direction is from Si substrate to LNO, 2) the pyrolysis and annealing process are alternated, 3) the annealing temperature is $650^{\circ}C$ and 4) the annealing times is 3 minutes. The sheet resistance of thin films decreased with increasing of a annealing temperature and time, and a number of coating.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.67
no.1
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pp.33-36
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2018
The purpose of this study is to improve the efficiency of anti-pollution film for PV module. The anti-pollution coating process was performed on a glass substrate, which is the same material as the glass substrate for the PV module. We coated the anti-pollution film on the glass substrate by spray coating. After coating process, annealing process was performed during 1 hour at $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$. And then we analyzed the surface characteristics according to the annealing temperature of the film. Annealing process can also improve the durability of the coated film. And then we analyzed the anti-pollution characteristics, particle size of anti-pollution film, light transmittance. The particle size of anti-pollution film was analyzed with FE-SEM. The light transmittance was analyzed with UV-Visible spectroscopy including integrating sphere.
The void evolution in direct bonding process of $Si/Si_3$$N_4$ ∥ $SiO_2$/Si silicon wafer pairs has been investigated with an infrared camera. The voids that formed in the premating process grew in the conventional furnace annealing process at a temperature of $600^{\circ}C$. The voids are never shrunken even with the additional annealing process at the higher temperatures. We observed that the voids became smaller and disappeared with sequential scanning by our newly proposed fast linear annealing(FLA). FLA irradiates the focused line-shape halogen light on the surface while wafer moves from one edge to the other. We also propose the void shrinking mechanism in FLA with the finite differential method (FDM). Our results imply that we may eliminate the voids and enhance the yield for the direct bonding of wafer pairs by employing FLA.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.3
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pp.127-130
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2011
We investigated the effects of $O_2$ annealing (i.e., temperature and time) on the characteristics of hafnium silicate ($HfSi_xO_y$) films deposited on a Si substrate by atomic layer deposition process (ALD). We found that the post deposition annealing under oxidizing ambient causes the oxidation of residual Hf metal components, resulting in the improvement of electrical characteristics (e.g., hysteresis window and leakage current are decreased). In addition, we observed the annealing temperature is more important than the annealing time for post deposition annealing. Based on these observations, we suggest that post deposition annealing under oxidizing ambient is necessary to improve the electrical characteristics of $HfSi_xO_y$ films deposited by ALD. However, the annealing temperature has to be carefully controlled to minimize the regrowth of interfacial oxide, which degrades the value of equivalent oxide thickness.
Many of research efforts have been focused on the improvement of critical current density (Jc) of silver-sheathed Bi-2223 tapes far practical applications. In this study, the transformation of Bi-2212 phase was investigated, which was transformed to orthorhombic from tetragonal through pre-annealing during powder packing and drawing process. The relationship between hardness of Bi-2212 orthorhombic phase and workability of Bi-2223/Ag tape was investigated. Bi-2223 superconducting wires with 55 filaments were fabricated by stacking and drawing process with different heat-treatment histories. Before rolling process, round wires were pre-annealing at 76$0^{\circ}C$ and in a low oxygen partial pressure. We confirmed that pre-annealing step was to transform to Bi-2212 orthorhombic structure from Bi-2212 tetragonal structure and to reduce the formation of second phases. However the breakages were created at Ag-alloy clad during rolling for pre-annealed Bi-22231Ag tapes. Several pre-annealing scenarios were introduced to reduce the breakages during rolling process. Microstructure and critical current density of pre-annealed Bi-2223 superconducting tapes were investigated. We could achieve proper pre-annealing conditions for Ag-alloy clad Bi-2223 superconducting tapes.
Traditional genetic algorithms, though robust, are generally not the most successful optimization algorithm on any particular domain. Hybridizing a genetic algorithm with other algorithms can produce better performance than both the genetic algorithm and the other algorithms. In this paper, we use random process and simulated annealing instead of mutation operator in order to get well tuned fuzzy rules. The key of this approach is to adjust both the width and the center of membership functions so that the tuned rule-based fuzzy controller can generate the desired performance. The effectiveness of the proposed algorithm is verified by computer simulation.
Zeferino, R. Sanchez;Pal, U.;Melendrez, R;Flores, M. Barboza
Advances in nano research
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v.1
no.4
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pp.193-202
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2013
In this article, we present the effects of Ag doping and after-growth thermal annealing on the photoluminescence (PL) and thermoluminescence (TL) behaviors of $SnO_2$ nanoparticles. $SnO_2$ nanoparticles of 4-7 nm size range containing different Ag contents were synthesized by hydrothermal process. It has been observed that the after-growth thermal annealing process enhances the crystallite size and stabilizes the TL emissions of $SnO_2$ nanostructures. Incorporated Ag probably occupies the interstitial sites of the $SnO_2$ lattice, affecting drastically their emission behaviors on thermal annealing. Both the TL response and dose-linearity of the $SnO_2$ nanoparticles improve on 1.0% Ag doping, and subsequent thermal annealing. However, a higher Ag content causes the formation of Ag clusters, reducing both the TL and PL responses of the nanoparticles.
Thin Beam Excimer Laser Annealing is investigated as one possible process enabled by the variable concept of Thin Beam LTPS processing. The structure of the resulting p-Si material is analyzed in terms of grain size distribution, scaling with energy density and overlap, as well as average surface roughness. This process provides similar control and latitude as conventional excimer laser annealing, but reduced average surface roughness and the potential to be scaled to significant productivity levels.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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