The influence of substrate materials on the degree of basal porosity during spray casting process has been investigated. Different conditions of droplet spreading on the substrate were induced by varying the substrate material. Flat sections of cast iron and aluminum have been spray deposited via spray casting process onto an aluminum substrate, a low carbon steel substrate, and an alumina based refractory substrate. Results for cast iron and aluminum sprayed onto the aluminum substrate showed significant improvements in the surface condition and degree of basal porosity with evidence of substrate deformation that round pits ranging from $5{\mu}m$ to $20{\mu}m$ in diameter are distributed on the surface of aluminum substrate. The lowest level of porosity was developed in alumina based refractory material. Several mechanisms for porosity formation were discussed with droplet impact pressure and droplet spreading. Adopting a spray cutting mechanism for removing the periphery of spray cone, porosity level was remarkably decreased.
The direct-current electroetching of high purity aluminum in hot aqueous-chloride solution produces a high density of micrometer-wide tunnels whose walls are made up of the {100} planes and penetrate aluminum in the <100> directions at rates of micrometer per second. In the process of the alternating-current pitting of aluminum, cathodic polarization plays an important role in the nucleation and growth of the pits during the subsequent polarization. The direct-current tunnel etching and alternating-current etching of aluminum are basically related to the formation of poorly crystallized or amorphous passive films. If the passive film forms on the wall, a natural misfit exists between the film and the aluminum substrate, which in turn gives rise to stress in both the film and the substrate. Even though the amorphous films do not have directed properties, their stresses are influenced by the substrate orientation. The films on elastically soft substrate are likely to be less stressed and more stable than those on elastically hard substrate. The hardest and softest planes of aluminum are the {111} and {100} planes, respectively. Therefore, the films on the {111} substrates are most likely to be attacked, and those on the {100} substrates are least likely to be attacked. For the tunnel etching, it follows that the tunnel walls tend to consist of the {100} planes. Meanwhile, the tunnel tip, where active corrosion takes place, tend to be made of four closely packed {111} planes in order to minimize the surface energy, which gives rise to the <100> tunnel etching.
In order to investigate the possibility of Ni-Al based intermetallics coating onto aluminum substrate, the coating process for induction heating has been evaluated by microscopically analyzing the intermetallic layers coated at temperatures lower than the melting temperature of aluminum. The coating layers were divided into two parts with different microstructure along the depth. Hard $NiAl_3$ layer was found at lower parts of the coatings near the interface with aluminum substrate. This layer was formed by the diffusion of aluminum atoms from the substrate into the coating layer across the interface during the induction heating. Meanwhile, at the upper parts of the coating near the surface, a large amount of un-reacted Ni was still remained and surrounded by several Ni-Al based intermetallic compounds, such as $Ni_3Al$, NiAl and $Ni_2Al_3$ formed by the lattice diffusion.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.47
no.4
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pp.69-74
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2010
A new package substrate for dynamic random access memory(DRAM) devices has been developed using selective aluminum anodization. Unlike the conventional substrate structure commonly made by laminating epoxy-based core and copper clad, this substrate consists of bottom aluminum, middle anodic aluminum oxide and top copper. Anodization process on the aluminum substrate provides thick aluminum oxide used as a dielectric layer in the package substrate. Placing copper traces on the anodic aluminum oxide layer, the resulting two-layer metal structure is completed in the package substrate. Selective anodization process makes it possible to construct a fully filled via structure. Also, putting vias directly in the bonding pads and the ball pads in the substrate design, via in pad structure is applied in this work. These arrangement of via in pad and two-layer metal structure make routing easier and thus provide more design flexibility. In a substrate design, all signal lines are routed based on the transmission line scheme of finite-width coplanar waveguide or microstrip with a characteristic impedance of about $50{\Omega}$ for better signal transmission. The property and performance of anodic alumina based package substrate such as layer structure, design method, fabrication process and measurement characteristics are investigated in detail.
An alumina membrane with nano-sized pores was fabricated by anodic oxidation. The shape and structure of the pore on alumina membrane were changed according to the roughness of aluminum surface. The shape and structure of the nano-sized pre were investigated according to purity of aluminum substrate for the anodization process. The aluminum substrates with 99.5% and 99.999% purities were used. The aluminum substrate(99.5%) was anodized after the processes of pressing, mechanical polishing, chemical polishing, and electrochemical polishing. The nano-sized pores with the pore size of 50 - 100nm, the cell size of 20-50nm and the thickness of $10{\mu}m{\sim}45{\mu}m$ were obtained. Even though the electrochemical polishing was used for the aluminum substrate (99.999%), the same characteristics as the aluminum substrate (99.5%) was obtained. The alumina membrane prepared by anodization for 5 min using fixed voltage method shows the pore with irregular shape. The pore shape was changed to regular shape after pore widening process.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.29
no.2
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pp.100-108
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1996
The internal stress of acidic electroless nickel deposits on zincated aluminum was determined by spiral contractometer. Several plating conditions such as inhibitor and complexing agent concentrations and pH affecting the internal stress were studied. The resulting intrinsic stress contribution to the total stress was discussed in terms of phosphorous content of the deposit, solution pH, and surface morphology. However, the most important was found to be thermal stress for the total stress of Al substrate, because of high thermal expansion coefficient of the aluminum substrate.
Ni-Al intermetallic coating technology is an available method for the strengthening of aluminum substrate. In this study, Ni-Al intermetallics were coated on an aluminum substrate through a reaction synthesis process at a temperature lower than melting point of aluminum. And the sliding wear properties of the coatings have been investigated to verify their usability and compared the wear properties with those of a cast Al-12.5%Si alloy and an anodizing layer on aluminum. Results show that the wear rate of the coating layer greatly increased at 1 m/s and 1.5 m/s when compared with that of the cast Al-12.5%Si alloy. Much pitting damages were observed on the worn surfaces at these sliding speeds, unlike at other sliding speeds. The wear of the intermetallic coating layer at these sliding speeds seems to be increased by pitting as a consequence of adhesion. In contrast, wear of the coating layer at other speeds hardly occurs, regardless of wear periods. Nevertheless, the wear properties of the intermetallic coating layer on the aluminum substrate through the reaction synthesis process are more stable than those of anodized aluminum and are superior to those of the cast Al-12.5%Si alloy in a steady-state wear period.
Ni-Al based intermetallic compounds of self-propagating high-temperature synthesis (SHS) by the heat of molten aluminum and been coated on the aluminum casting alloy. The effects of the pouring temperature in casting and the thickness of casting substrate on SHS of the coating layer have been investigated. The experimental result showed that the reaction of the coating layer was activated with increasing the pouring temperature in casting and the thickness of casting substrate. However, the aluminum substrate was re-melted by the heat of formation for intermetallic compounds. Then, it was considered that some mechanical or thermal treatments for elemental powder mixtures were required to control the heat of formation for intermetallic compounds in advance.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.13
no.10
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pp.4757-4761
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2012
LED chip on board(COB) package has been fabricated using aluminum substrate and aluminum anodization process. An alumina layer, used as a dielectric in COB substrate, is produced on aluminum substrate by selective anodization process. Also, selective anodization process makes it possible to construct a thermal via with a fully-filled via hole. Two types of the COB package are fabricated in order to analyze the effects of their substrate types on thermal resistivity and luminous efficiency. The aluminum substrate with the thermal via shows more improved measurement results compared with the alumina substrate. These results demonstrate that selective anodization process and thermal via can increase heat dissipation of COB package in this work. In addition, it is proved experimentally that these parameters also can be enhanced using efficient layout of multiple chip in the COB package.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.26
no.3
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pp.115-120
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1993
Aluminum thin films were deposited on the silicon substrate by the pyrolysis of TrilsoButylAluminum (TIBA) in a cold wall LPCVD reactor. The effect of substrate on the surface topograply and the decomposition reaction was investigated. The activation energy for the decomposition of TIBA was turned out to be 1 eV from the Arrhenious plot. The surface topography of the CVD aluminum could be improved by the application of thin metal film, which was in-situ deposited on the silicon prior to CVD process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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