In order to assess the accumulation levels of cadmium and other metals(Zn, Cu, Ca and Fe) in fish bodies, an experimental study was performed by raising fry of "Oryzias latipes" in the water containing cadmium 0.03 ppm, cadmium 0.03 ppm + zinc 0.03 ppm and in the tap water(control group) were made. In the results the concentration of Cd in fish bodies were increased with advancing exposure time in Cd 0.03 ppm treated group and 0.03 ppm + Zn 0.03 ppm treated group, but there was no significantly different between both groups with Cd concentration in each week. The concentration of Zn in fish bodies was no changed with advancing exposure time in control group and Cd 0.03 ppm + Zn 0.03 ppm treated group were significantly different from control and Cd 0.03 ppm treated group. The concentration of Cu, Ca and Fe in fish bodies were increased with advancing exposure time, and control group was higher than any other groups. Simple correlation analysis showed that the positive correlation between Cd and Zn, Cu and Ca, Fe, Ca and Fe, but Cd was negative correlation with Cu, Ca and Fe. In conclusion, we investigated a tendency that the concentration of Cd and Zn in fish bodies tended to increase with the lapse of time, but Cu was unchanged and those of Ca and Fe were decreased in administrating the trace dose of Cd and Zn in water. in water.
In this study, the nanosized ZnS thin films that can be used for fabrication of blue light-emitting diodes, electro-optic modulators, and n-window layers of solar cells were grown by the solution growth technique (SGT), and their surface morphology and film thickness and grain size dependence on the growth conditions were examined. Based on these results, the quantum size effects of ZnS were systematically investigated. Governing factors related to the growth condition were the concentration of precursor solution, growth temperature, concentration of aq. ammonia, and growth duration. X-ray diffraction patterns showed that the ZnS thin film obtained in this study had the cubic structure ($\beta$-ZnS). With decreasing growth temperature and decreasing concentration of precursor solution, the surface morphology of film was found to be improved. Also, the film thickness depends largely on the ammonia concentration. In particular, this is the first time that the surface morphology dependence of ZnS film grown by SGT on the ammonia concentration is reported. The energy band gaps of samples were determined from the optical transmittance values, and were shown to vary from 3.69 eV to 3.91 eV. These values were substantially higher than 3.65 eV of bulk ZnS. It was also shown that the quantum size effect of SGT grown ZnS is larger than that of the ZnS films grown by most other growth techniques.
Drop casting, a solution process, is a simple low-cost fabrication technique that does not waste material. In this study, we elucidate the effect of the concentration of a InGaZnO solution on the electrical properties of drop-cast oxide thin-film transistors. The higher the concentration the larger the amount of remnant InGaZnO solutes, which yields a thicker thin film. Accordingly, the electrical properties were strongly dependent on the concentration. At a high concentration of 0.3 M (or higher), a large current flowed but did not lead to switching characteristics. At a concentration lower than 0.01 M, switching characteristics were observed, but the mobility was small. In addition to a high mobility, sufficient switching characteristics were obtained at a concentration of 0.1 M owing to the appropriate thickness of the semiconductor layer. This study provides a technical basis for the low-cost fabrication of switching devices capable of driving a sensor array.
The electrodeposition of Zn on the automotive parts has been adapted However, because Zn electrodeposit needs to increase thickness for corrosion protection, it has problem of destruction of electrodeposit Zn-based electrodeposit have teen studied for corrosion protection and decreasing electrodeposit thickness. Especially; Zn-Co electrodeposit have much attention In this study, the Composition of Zn-Co electrodeposit in various manufacturing condition such as temperature, current density and electrolyte content was investigated to understand effect of electrolysis condition on Co content of specimen. The results were explained by cathode overvoltage and diffusion coefficient. As the current density increases, the electrolyte temperature decreases, and as the electrolyte concentration decreases, the overvoltage of the cathode increases. As the overvoltage of the cathode increases, the concentration polarization becomes more important than the activation polarization. Concentration polarization is determined by the diffusion of the mass transfer in the diffusion layer. In a constant concentration polarization, a large amount of elements with a large diffusion coefficient is diffused. That is, as the overvoltage of the cathode increases, the Zn content having a large diffusion coefficient increases.
ZnO nano-fibrous thin films with various precursor concentrations ranging from 0.2 to 1.0 mol (M) were grown by spin-coating method and effects of the precursor concentration on surface and optical properties of the ZnO nano-ribrous thin films were investigated by using scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence (PL). ZnO nuclei were formed at the precursor concentration below 0.4 M and the ZnO nano-fibrous thin films were grown at the precursor concentration above 0.6 M. Further increase in the precursor concentration, the thickness of the ZnO nano-fibrous thin films is gradually increased. The intensity and the full-width at half-maximum (FWHM) of the near-band-edge emission (NBE) is increased as the precursor concentration is increased. The deep-level emission (DLE) is red-shifted as the precursor concentration is increased.
Back, Geum Ji;Song, Ha Yeon;Lee, Min Seo;Hong, Hyun Seon
Journal of Powder Materials
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v.28
no.1
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pp.44-50
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2021
Zinc selenide (ZnSe) nanoparticles were synthesized in aqueous solution using glutathione (GSH) as a ligand. The influence of the ligand content, reaction temperature, and hydroxyl ion concentration (pH) on the fabrication of the ZnSe particles was investigated. The optical properties of the synthesized ZnSe particles were characterized using various analytical techniques. The nanoparticles absorbed UV-vis light in the range of 350-400 nm, which is shorter than the absorption wavelength of bulk ZnSe particles (460 nm). The lowest ligand concentration for achieving good light absorption and emission properties was 0.6 mmol. The reaction temperature had an impact on the emission properties; photoluminescence spectroscopic analysis showed that the photo-discharge characteristics were greatly enhanced at high temperatures. These discharge characteristics were also affected by the hydroxyl ion concentration in solution; at pH 13, sound emission characteristics were observed, even at a low temperature of 25℃. The manufactured nanoparticles showed excellent light absorption and emission properties, suggesting the possibility of fabricating ZnSe QDs in aqueous solutions at low temperatures.
Electrical properties of ZnO ceramics based on Bi oxide was investigated in relation to sintering temperature. In the temperature range >$1150^{\circ}C$ to >$1350^{\circ}C$ the grain size increased from 9.mu.m to 20.mu.m when the sintering temperature was raised. The leakage current in the low voltage range increased as the potential barrier decreases, which is caused by increasing the grain size at high temperature. The dielectric characteristics of the ZnO ceramics was also affected by sintering temperature. Large dielectric constant was attributed, to the grainboundary layer of polycrystalline ZnO ceramics and decreasing grainboundary width. The variation of breakdown voltage with sintering temperature was attributed to the change of the donor concentration in the ZnO grain and grain size. The results showed that breakdown voltage increased decreasing grain size and donor concentration. Nonohmic coefficient was associated with the lower breakdown voltage per grainboundary layer due to the grain growth and higher donor concentration.
In this experiment, embryos of Asian toad, Bufo gargarizans, were investigated to evaluate toxicity of chemicals along FETAX(Frog Embryo Teratogenesis Assay-Xenopus) protocol. Asian toad, Bufo gargarizans, embryos incubated and investigation of Zn and Benomyl effect by probit analysis. As a result, depends on the concentrations of Zn and Benomyl, mortality and malformation rates were increases and larval body length were decreased. The teratogenic concentration($EC_{50}$) of Zn and Benomyl were 2.3, $1.0mg/{\ell}$, respectively and the embryo lethal concentration($LC_{50}$) Zn and Benomyl were 10.3, 6.9, respectively. The teratogenic index(TI) were 4.4 in Zn and 6.7 in Benomyl, thus showed teratogenicity in embryonic development of B. gargarizans. These results reveal that Zn and Benomyl in this experiment suppressed the development of embryos at relatively low concentration. Much of B. gargarizans embryos can be secured, and easy to incubate. In addition, mortality, malformation ratios, malformation patterns and growth rates are similar to the results from the other assay systems. Therefore, the B. gargarizans embryo teratogenesis assay system could be a useful tool to evaluate toxicity of pollutants in environment.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.65
no.10
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pp.1697-1701
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2016
The leakage conduction and critical voltage characteristic of ZnO ceramic were investigated as a function of $Sb_2O_3$ concentration. Leakage conduction in the ohmic region increased with increasing $Sb_2O_3$ concentration and was attributed to the potential barrier height. The nonlinear coefficient increased with an increasing amount of $Sb_2O_3$. It was found that increases in the apparent critical voltages were associated with the lowered donor concentration in the grain boundary of between two ZnO grains. And the decrease of donor concentration on doping with $Sb_2O_3$ additive was attributed to the lowered capacitance in the grain boundary layer.
Dependence of the crystallinity, surface roughness, carrier concentration, carrier mobility, electrical resistivity and transmittance of Al-doped ZnO films deposited on glass substrates by RF-magnetron sputtering on effects of the ratio of the RF power for AlZnO to that for ZnO (R) have been investigated. X-ray diffraction spectra show strong preferred orientation along the c-axis. The full width at half maximum (FWHM) of the ZnO (002) peak decreases slightly as R increases in the range of R<1.0, whereas it increases substantially in the range of R>1.0. Scanning electron micrographs (SEM) show that the ZnO film surface becomes coarse as R increases. The carrier concentration and the carrier mobility in the ZnO thin film are maximal for R=1.5 and 1.0, respectively. The electrical resistivity is minimal for R=1.0 The transmittance of the ZnO:Al film tends to increase, but to decrease slightly in the range of R>0.5. It may be concluded that the optimum R value is 1.0, considering all these analysis results. The cause of the changes in the structure and physical properties of ZnO thin films with R are also discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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