We report an important and useful method for preparing ${\omega}-sulfonated$ polystyrene-stabilized cadmium sulfide (CdS) nanoclusters. The ${\omega}-sulfonated$ polystyrene $(M_n\;=\;5000\;g/mol)$ was prepared successfully through chain-end sulfonation of poly(styryl)lithium using 1,3-propanesultone; the resulting polymer was used successfully as a polymeric stabilizing agent for the preparation of semiconductor CdS nanoclusters by reduction of cadmium acetate in a mixture of toluene and methanol (9:1, v/v). The nanoclusters that formed were characterized by a combination of transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and UVN is spectroscopic analysis. The ${\omega}-sulfonated$ polystyrene-stabilized CdS nanoclusters synthesized in this study exhibited the cubic phase (zinc-blende phase) structure in the range of 2-8 nm.
A novel non-alkoxide sol-gel process for synthesizing Ga-doped ZnO thin film on glass was derived for possible use as a transparent electrode in flat-panel displays, using zinc acetate dehydrate as the starting material. The structural and electrical properties of thin films have been characterized as functions of Ga addition and post-heat-treatments. Their carrier density, Hall mobility, and optical transmittance were measured and discussed herein to explain the characteristics of the sol-gel-derived Ga-doped ZnO thin film on glass.
There are various types of materials used in electronic industry, such as electrode material, conductor, insulator, anode, cathode and semiconductor. Electrode material type is Cu, Ti, ZnO and so on. Especially if we use mixed ZnO in soil cement or silica gel, we can have advantages in ice road to prevent freezing. We have great impact if we use supported in inorganic substances like silica gel. In this paper we have studied that ZnO supported silica gel and its properties. Zinc acetate dissolved in distilled water were loaded on the silica gel by the reaction with ammonia at $80^{\circ}C$. And we investigated particle structures of ZnO by scanning electron microscopy(SEM) and X-ray diffraction(XRD).
Highly oriented ZnO thin films were fabricated by dip-coating technique using zinc acetate 2-methoxyethanol 2-aminoethanol solution as starting materials, and effects of substrates on the film's orientation were investigated. Product films were obtained by prefiring at 300, 400, 500 and 550℃ for 10 min, followed by final heat-treatment at the same temperatures as prefiring for 1h. c-axis oriented films on glass substrates were prepared by heat treatment of prefiring films at 300-550℃, while films on alumina showed polycrystalline structure. Films with c-axis orientation exhibited lower specific resistivities than those of polycrystalline films with partial crack and pore.
In this Paper, ZnO films mixed with iron oxide were prepared by an ultrasonic spray pyrolysis method. The chemical composition and structural properties as a function of the Fe atomic ratio in the deposition solution were studied. Zinc acetate and ferrous chloride were used as precursors of Zn and Fe, respectively. Fe atomic ratio to Zn varied from 0.15 to 10.0. Substrate temperature was fixed at $250^{\circ}C$. The crystallographic properties and surface morphologies of the films were studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. Electron probe X-ray microanalysis (EPMA) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out to analyse the chemical composition and state of Zn and Fe atoms.
ZnO powder as phosphor was prepared by precipitation method with zinc acetate and ammonia solution and the size and shapes of precipitates were examined with variation of pH and concentration of solution. Its cathodoluminesence properties was evaluated with various heat tratment condition. Optimum con-dition for uniform precipitates was 11.8 of pH and 0.4M of concentration. ZnO:Zn phosphor was obtained by heat treatment of precipitates in reduction atmosphere using ZnS powder. With addition of 20wt% ZnS and 1 hour firing at 1000$^{\circ}C$ the highest cathodoluminescence was obtained.
나노선의 합성을 위해 필요한 씨드는 기상증착에 경우 값비싼 공정 비용이 요구되지만 액상의 경우 저렴하고 공정이 단순하며 단시간에 공정이 용의하고 대면적이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 우리는 zinc acetate, ethylene glycol monoethylethe(C3H8O2), Monoethanolamine을 일정한 비율로 혼합하여 ZnO 나노와이어 합성에 필요한 액상씨드를 만든 후 이것을 기판위에 증착하기 위해 수차례에 걸쳐 스핀코팅을 하였다. 스핀코팅후 퍼니스와 핫플레이트를 이용하여 Soft bake, Hard bake 공정을 통해 각각 열처리 한후 XRD 를 통한 결정성과 방향성 그리고 AFM을 통한 표면거칠기를 관찰하였고 또한 수열합성법을 통하여 제작한 씨드를 기반으로 하는 ZnO 나노와이어를 합성하여 각각의 열처리 조건에 따른 나노와이어의 특성변화를 관찰하였고 향후 나노기반 소자의 적용가능성을 확인하였다.
Among the semiconducting materials, ZnO has considerably attracted attention over the past few years due to the high activities in removing organic contaminants created from industry. In this work, ZnO nanoparticles were synthesized by spray pyrolysis method using the zinc acetate dihydrate as starting material at various synthesis temperatures. The structures of the synthesized ZnO were characterized by X-ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), Brunauer, Emmett & Teller (BET), Fourier Transformation Infrared (FT-IR), and UV-vis spectroscopy. The Miller indices of XRD patterns indicate that the synthesized ZnO nanoparticles showed a hexagonal wurtzite structure. With increasing synthesis temperature, the mean diameter of ZnO nanoparticles increased, and their crystallinity was improved. Also, the photocatalytic activity of ZnO was studied by the photocatalytic degradation of methyleneblue (MB) under UV irradiation (365 nm) at room temperature. The results show that the photocatalytic efficiency of ZnO nanoparticles was enhanced by increasing synthesis temperature.
Friedel-Crafts reaction isopropoxybenzene with methyl $\alpha$-chloro-$\alpha$-(maethylthio)acetate 1 afforded methyl $\alpha$-methylthio-p-isopropoxyphenylacetate 2d, which was readily converted into methyl p-isopropoxyphenylacetate 3 by reductive desulfurization with zinc dust in acetic acid. Methylation of 3 with sodium hydride and methyl iodide gave methyl $\alpha$-(p-isopropoxyphenyl)propionate 5. Methyl p-hydroxyphenylakanoates (4,6), useful intermediates for some medicines, were easily prepared by treatment of 3 and 5 with titanium tetrachloride, respectively.
A prerequisite for the development of graphene-based field effect transistors (FETs) is reliable control of the type and concentration of carriers in graphene. These parameters can be manipulated via the deposition of atoms, molecules, and polymers onto graphene as a result of charge transfer that takes place between the graphene and adsorbates. In this work, we demonstrate a unique and facile methodology for the homogenous and stable p-type doping of graphene by hybridization with ZnO thin films fabricated by MeV electron beam irradiation (MEBI) under ambient conditions. The formation of the ZnO/graphene hybrid nanostructure was attributed to MEBI-stimulated dissociation of zinc acetate dihydrate and a subsequent oxidation process. A ZnO thin film with an ultra-flat surface and uniform thickness was formed on graphene. We found that homogeneous and stable p-type doping was achieved by charge transfer from the graphene to the ZnO film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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