A Circuit Model of the Dielectric Relaxation of the High Dielectric $(Ba,Sr)Tio_3$ Thin Film Capacitor for Giga-Bit Scale DRAMs
(Giga-Bit급 DRAM을 위한 고유전 $(Ba,Sr)Tio_3$ 박막 커패시터의 유전완화 특성에 대한 회로 모델)
-
- Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
- /
- v.37 no.4
- /
- pp.15-24
- /
- 2000