Kim, D.S.;Hong, H.S.;Park, H.M.;Kim, J.H.;Joo, K.S.
Journal of Radiation Protection and Research
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v.40
no.2
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pp.110-117
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2015
Recently, Due to the increased industry using radiation inspection equipment in the semiconductor, this demand of technology research is increasing. Although semiconductor inspection equipment is using low energy X-ray from 40 keV to 120 keV, Studies of radiation damage about the low energy X-ray are lacking circumstance in our country. Therefore, It is study that BJT (bipolar junction transistor) of one type of semiconductor elements are received radiation damage by low energy X-ray. BJT were used to the NXP semiconductor company's BC817-25 (NPN type), and Used the X-ray generator for the irradiation. Radiation damage of BJT was evaluated that confirm to analyse change of collector-emitter voltage of before and after X-ray irradiation when current gain fixed to 10. X-ray generator of tube voltage was setting 40 kVp, 60 kVp, 80 kVp, 100 kVp, 120 kVp and irradiation time was setting 180s, 360s, 540s into 180s intervals. As the result, We confirmed radiation damage in BJT by low energy X-ray under 120 keV energy, and Especially the biggest radiation damage was appeared at the 80 kVp. It is expected that ELDRS (enhanced low dose rate sensitivity) phenomenon occurs on the basis of 80 kVp. This studies expect to contribute effective dose administration of semiconductor inspection equipment using low energy X-ray, Also Research and Development of X-ray filter.
Park, Junghwan;Choi, Yong Suk;Kim, Junhyuck;Lee, Jeongmook;Kim, Tae Jun;Youn, Young-Sang;Lim, Sang Ho;Kim, Jong-Yun
Nuclear Engineering and Technology
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v.53
no.4
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pp.1297-1303
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2021
Most thickness measurement techniques using X-ray radiation are unsuitable in field processes involving fast-moving organic films. Herein, we propose a Compton scattering X-ray radiation method, which probes the light elements in organic materials, and a new simple, non-destructive, and non-contact calibration-free real-time film thickness measurement technique by setting up a bench-top X-ray thickness measurement system simulating a field process dealing with thin flexible organic films. The use of X-ray fluorescence and Compton scattering X-ray radiation reflectance signals from films in close contact with a roller produced accurate thickness measurements. In a high-thickness range, the contribution of X-ray fluorescence is negligible, whereas that of Compton scattering is negligible in a low-thickness range. X-ray fluorescence and Compton scattering show good correlations with the organic film thickness (R2 = 0.997 and 0.999 for X-ray fluorescence and Compton scattering, respectively, in the thickness range 0-0.5 mm). Although the sensitivity of X-ray fluorescence is approximately 4.6 times higher than that of Compton scattering, Compton scattering signals are useful for thick films (e.g., thicker than ca. 1-5 mm under our present experiment conditions). Thus, successful calibration-free thickness monitoring is possible for fast-moving films, as demonstrated in our experiments.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.531-531
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2007
현재 널리 사용되고 있는 X선 영상 검출기의 문제점을 해결하기 위해 새로운 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 새로운 X선 검출기로써의 가능성 제시를 위해 Display용 PDP(Plasma Display panel)를 디지털 X-ray Detector로 적용하기 위한 기본적인 X-ray에 대한 반응성을 검증하였다. PDP의 X-ray Detector로의 사용 가능성을 보기 위하여, 실험에 사용된 panel은 상용화된(commercial) Display용 PDP의 기본적인 구조와 똑같은 구조의 sample을 제작하여 사용하였다. 제작된 panel은 상판에 Substrate glass와 유전체층, 투명전극을 형성하고, 버스 전극층과 MgO층을 형성하였다. 하판에는 격벽을 제작하고 형광체(R.G.B)층을 형성하고, 어드레스 전극을 형성하여 기존의 Display용 PDP와 똑같은 구조를 지니게 하였다. 이렇게 제작된 panel의 X-선 검출기로서의 전기적 특성물 조사하기 위해 누설전류(Dark current), X선 민감도(X-ray sensitivity), 그리고 선형특성(Linearity)을 측정하였다. 측정 결과, 누설전류가 낮고 X-선 검출기로서의 가능성이 충분한 민감도를 보이며, 선형적 특성 또한 우수한 결과를 보이는 등 안정된 전기적 동작특성을 보였다. 이러한 결과로부터 기존에 사용되어오던 디스플레이용 PDP의 구조적 변경을 통하여 상용화된 PDP룰 디지털 X-선 검출기로서의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05c
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pp.71-74
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2003
Photoconductor for direct detection fiat-panel imager present a great materials challenge, since their requirement include high X-ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition, CdTe is practical material. We report studies of detector sensitivity, That is an CdTe with $5{\mu}m$ thickness on glass. That is hybrid layer of depositting ZnS:AgCl phosphor with $100{\mu}m$ on CdTe. The leakage current of hybrid is similar to it of a-Se, but photocurrent is larger than a-Se. Both of them have high spatial resolution, but hybrid has higher sensitivity than a-Se at comparable bias voltage.
Background: It is important to know the location, number, size and shape of bullae before thoracotomy or VATS bullectomy. Chest X-ray and chest CT may be used but with some limitation. The purpose of this study was to compare the diagnostic value of thoracography with that of chest X-ray in preoperative detection of bullae. Meterial and Method: Thoracography was performed by injection of non-ionic water-soluble dye into pleural space in 22 primary spontaneous pneumothoraces, which underwent thoracotomy or VATS bullectomy. Chest X-ray and thoracography were compared through operative finding. Results: Sensitivity and accuracy of thoracography(75% and 72.7%) were higher than those of chest X-ray(30% and 36.4%). However, specificity of thoracography(50%) was lower than that of chest X-ray (100%). There were no complications during or after thoracography. Conclusion: Thoracography is a safer and more useful method for preoperative detection of bullae when compared with chest X-ray.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.05a
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pp.113-113
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2015
본 연구에서는 thermal evaporation법을 이용하여 제작한 CdTe 후막의 미세구조, 전기적 특성 및 X-선 조사에 따른 특성을 비교분석하였다. 기판온도를 $370{\sim}450^{\circ}C$로 변화시키며 증착하였으며, CdCl2 첨가에 따른 미세구조 변화를 관찰하였다. CdTe 막의 상 하부에 전극을 형성하여 I-V 특성을 평가하고, 실제 X-ray를 샘플에 조사하여 sensitivity를 측정하였다. 박막형성 초기에는 기판온도가 증가함에 따라 grain size가 증가하였지만, grain uniformity는 감소하였다. X-ray 특성향상을 위해서는 grain size와 uniformity 모두 중요한 인자이기 때문에 uniformity 향상을 위해 Cl을 첨가하였다. 미량의 Cl 첨가에서는 큰 변화를 보이지 않았지만 더 많은 양의 Cl 첨가 시, grain size 와 uniformity 모두 증가되는 것을 확인하였으며, 그에 따라 I-V, X-ray 조사 특성 모두 개선되는 것을 확인할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.11a
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pp.366-369
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2002
At present, the study of direct digital X-ray detector and indirect digital X-ray detector proceed actively. But it needs high thickness and high voltage in selenium for high ionization rate. Therefore, we carried out the study of electric characteristics of a-Se with additive ratio of Iodine in drafting study for developing Hybrid X -ray Sensor for complementing direct digital X -ray detector and indirect digital X-ray detector in this paper. On this, there are formed Amorphous selenium multi-layers by sticking phosphor layer$(Gd_{2}O_{2}S(Eu^{2+}))$ using optical adhesives of EFIRON Co. Amorphous selenium multi-layers having dielectric layer(parylene) has characteristics of low dark-current, high X-ray sensitivity. So we can acquired a enhanced signal to noise ratio. We make Amorphous selenium multi-layers with $30{\mu}m$ thickness on glass.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.492-496
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2001
Due to their better photosensitivity in X-ray, the amorphous selenium based photoreceptor is widely used on the X-ray conversion materials. It was possible to control the charge carrier transport of amorphous selenium by suitably alloying a-Se with other elements(e,g. As, Cl). In this paper, We investigated dopants(As, Cl) composition rate to improve dark resistivity and transport properties of charge carrier in amorphous selenium using by direct X-ray conversion material. Alloying a-Se with As inhibits the recrystallization of a-Se but introduces undesirable deep hole traps. then doping with Cl(in the ppm range) compensates for the deep hole traps. We investigated their composition rate in various doping conditions and then obtained optimum dopant composition rate. The result was Se-As 0.3%-Cl 30 ppm and X-ray Sensitivity was 0.57 pc/pixel$.$mR at 137 $\mu\textrm{m}$ x 137 $\mu\textrm{m}$ Pixel area.
1) Germination rate was rather irregular than decreasing as increasing dose of radiation and there were no differences between Kyong-Sam and Chuong-Bang of Chinese cabbage. 2) In R1 generation, abnormal leaves from seedling of irradiated seeds were observed. These were more apparent in X-ray irradiation than in thermal neutron. 3) Seedling height was inhibited with increasing dose of X-ray and thermal neutrons. Growth inhibition was more remarkable in X-ray than in thermal neutron. Kyong-Sam demonstrated more sensitivity than Chyong-Bang in both X-ray and thermal neutron. 4) Seedling height produced from seeds subjected to thermal neutrons showed small variation around its mean value, while in X-irradiation there was a greater deviaton from the mean value. 5) Fertility was decreased as increasing with dose, while the frequency of abortive pollen was increased. There were variability of the fertility and frequency of abortive pollen among plants or branches of a plant. 6) The mutants were obtained more in thermal neutron irradiation than in X-ray. The types of mutations obtained in Chinese radish of R2 generation were abnormal leaf, densely glowing leaf, degeneration in growing point and dwarf. The maximum frequency of phenotypic mutations was abnormal leaf mutation.
The purpose of this study is an evaluation of the performance of a detector under radiographic irradiation condition by fabricating the polycrystalline $HgI_2$ film detector. The polycrystalline $HgI_2$ film detectors with thickness of 210 and $320\;{\mu}m$ were fabricated by screen print technology. Measurements of X-ray sensitivity and dark current were performed for two detectors. And measurements of the linearity of X-ray response and reproducibility were performed for the detector of thickness $320\;{\mu}m$. For applied electric field strengths from 0.05 to $2\;V/{\mu}m$ to the detector of thickness $320\;{\mu}m$, the X-ray sensitivities were measured from 233 to $1,408{\times}106\;electrons/mR{\cdot}mm^2$. And the dark currents were measured from 3.2 to $118\;pA/mm^2$. Compared with values reported by Zhong Su et al., the X-ray sensitivities exhibit about two times larger than the X-ray sensitivities measured by Zhong Su et al. And the dark currents exhibit about nine times larger than the dark currents measured by Zhong Su et al. The linearity of X-ray response acquired 0.988 as a coefficient of correlation (r). Reproducibility acquired 0.002 as a coefficient of variation. This study provides the performance data of fabricated polycrystalline $HgI_2$ film detector available for an active matrix flat panel imager under radiographic irradiation condition.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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