• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권1호
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• pp.11-14
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• 2007

Consumables used in Chemical Mechanical Polishing (CMP) have been played important role to improve quality and productivity. Since the properties of consumables constantly change with various reasons, such as shelf time, manufactured time, lot to lot variation from supplier and so on, CMP results are not constant during the process. Also, CMP process results are affected by multiple sources from wafer, conditioner, pad and slurry. Therefore, multiple sensing systems are required to monitor CMP process variation. In this paper, the authors focus on development of monitoring system for CMP process which consist of force, temperature and displacement sensor to measure the signal from CMP process. With monitoring systems mentioned above, complex CMP phenomena can be investigated more clearly.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.502-502
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• 2012

반도체 공정 중 플라즈마를 이용하는 식각 공정의 경우, 실제 식각률이나 profile의 특성은 RF Bias power에 의해 기판에 당겨지는 이온 선속에 의해 큰 영향을 받는다. 때문에 플라즈마 발생장치 내에서 기판에서의 이온에너지 분석이 중요해지고 있다. 이온에너지 분석을 위해 다양한 형태의 이온에너지 분석기가 나와있으나 기판 위에 얹혀있는 양상이었다. 이에 본 발표에서는 실제 기판 안에 이온에너지 분석기를 설치함으로써 실제 기판에서 wafer가 받는 이온들의 양상에 더 가깝게 접근했다. 이렇게 제작 된 이온에너지 분석기를 이용해 대면적 M-ICP(Magnetized-Induced Coupled Plasma)에서 아르곤 가스를 이용한 플라즈마에서 기판 이온 에너지 분포를 확인해 보았다. 압력의 변화, ICP Source power의 변화, 일정한 Source power에서 기판에 가해지는 Bias power의 변화에 대해 측정함으로써 각각의 조건 변화에 따른 이온들의 변화양상에 대한 이해를 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.546-547
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• 2002

Ni thin film on the PMN-PT crystal wafer were deposited by using E-beam evaporator technique. Deposited film was patterned by UV-lithography and etching and was in-diffused at 300~600C. Diffusion profile of Ni ions in PMN-PT was measured by secondary ion mass spectroscopy (SIMS).

• 대한치과교정학회지
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• 제43권1호
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• pp.42-52
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• 2013

The aim of this paper was to propose a new method of bimaxillary orthognathic surgery planning and model surgery based on the concept of 6 degrees of freedom (DOF). A 22-year-old man with Class III malocclusion was referred to our clinic with complaints of facial deformity and chewing difficulty. To correct a prognathic mandible, facial asymmetry, flat occlusal plane angle, labioversion of the maxillary central incisors, and concavity of the facial profile, bimaxillary orthognathic surgery was planned. After preoperative orthodontic treatment, surgical planning based on the concept of 6 DOF was performed on a surgical treatment objective drawing, and a Jeon's model surgery chart (JMSC) was prepared. Model surgery was performed with Jeon's orthognathic surgery simulator (JOSS) using the JMSC, and an interim wafer was fabricated. Le Fort I osteotomy, bilateral sagittal split ramus osteotomy, and malar augmentation were performed. The patient received lateral cephalometric and posteroanterior cephalometric analysis in postretention for 1 year. The follow-up results were determined to be satisfactory, and skeletal relapse did not occur after 1.5 years of surgery. When maxillary and mandibular models are considered as rigid bodies, and their state of motion is described in a quantitative manner based on 6 DOF, sharing of exact information on locational movement in 3-dimensional space is possible. The use of JMSC and JOSS will actualize accurate communication and performance of model surgery among clinicians based on objective measurements.

• 폴리머
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• 제31권5호
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• pp.447-453
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• 2007

본 연구에서는 재결정 PLGA 분말을 진공 건조 방법을 사용하여 제조하였다. 5-FU가 함유된 PLGA 웨이퍼를 이용한 조절된 방출을 위하여 재결정 PLGA 분말의 응용성을 연구하기 위하여 세 종류의 웨이퍼를 제조하였다; 1) 순수한 PLGA, 2) 재결정 PLGA, 및 3) 순수한PLGA와 재결정 PLGA의 혼합(4 : 1, 1 : 1 및 1 : 4). 순수한 PLGA와 재결정 PLGA 분말은 NMR, IR과 GPC를 이용하여 비교 분석하였다. 주사전자현미경을 이용하여 제조한 웨이퍼 의 표면과 단면의 형태학적 차이를 관찰하였다. 웨이퍼로부터 방출된 5-FU의 방출거동은 HPLC를 이용하여 측정하였다. 5-FU/재결정 PLGA 웨이퍼는 5-FU/순수한 PLGA 웨이퍼에 비교하여 낮은 초기 방출과 지속적 방출거동을 갖는 것을 확인하였다. 순수한 PLGA/재결정 PLGA의 비율은 조절된 방출거동을 갖게 할 수 있음을 볼 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제28권5호
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• pp.179-184
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• 2018

고효율 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼는 쵸크랄스키 성장법으로 석영도가니 속의 실리콘 액체에서 단결정 잉곳을 성장시켜 제조된다. 석영도가니 성분 중의 하나는 산소는 실리콘 잉곳으로 유입되고, 태양전지의 전력변환 효율 저하 문제를 발생시킨다. 이러한 산소 유입을 줄이는 다양한 방법 중 하나는 히터의 모양과 구조를 변경하는 방법이 있다. 그러나 히터 구조 변경 시 단결정 실리콘 잉곳 바디 성장에 필요한 온도 분포경향에 큰 변화를 일으킨다. 따라서 본 연구에서는 쵸크랄스키 실리콘 성장에서 다양한 히터의 구조와, 히터와 석영도가니의 상대적 위치가 단결정 실리콘 잉곳 Body 성장 시의 ATC 온도와 Power 분포경향에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 삼중점과 히터 중심과의 위치가 가장 먼 SSH-Low가 가장 높은 ATC 온도 분포경향을 보여주었다. 또한 길이가 짧은 Short Side Heater(SSH-Up, SSH-Low)보다는 실리콘 액체를 담고 있는 석영도가니 측면의 많은 영역을 커버할 수 있는 일반 Side Heater(SH)가 가장 Power 소모 측면에서 유리하였다. 특히 본 연구 결과를 통해 고효율 태양전지용 단결정 실리콘 잉곳 성장 시 필요한 효율적인 ATC 온도를 예측할 수 있음을 확인하였다.

• 한국안광학회지
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• 제14권1호
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• pp.63-68
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• 2009

목적: Magnetron의 세기를 비대칭으로 한 unbalanced magnetron sputtering 장치를 설계 제작하고, 이 장치를 사용하여 sus304시편 위에 TiN을 코팅할 때 산소영향을 연구하고자 한다. 방법: 코팅막의 두께를 알기 위해 실리콘 웨이퍼 위의 코팅막을 SEM으로 단면을 관찰하였고, TiN 코팅박막표면의 성분을 분석하기 위하여 XPS를 사용하였으며, 표면안쪽의 성분을 관찰하기 위해 depth profile을 하였다. 결과: XPS depth profile 데이터로부터 티타늄과 질소 뿐만 아니라 산소가 일정한 양으로 존재하며, 산소의 양은 약 65 at.%의 큰 양이 존재한다는 것을 알 수 있었다. 두께에 따른 색상변화는 세 개의 피크가 모여서 형성이 된 Ti $ 2p_{3/2}$ 피크의 모양이 두께에 따라 약간 다르다는 것을 알 수 있었다. 결론: 코팅 중에 산소가 섞여 순수한 TiN보다는 $ TiO_2$, TiN, $ TiO_{x}N_{y}$ 세가지 조합에 의해 색이 결정되는 것을 알 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제34권5호
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• pp.516-521
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• 2001

Dry etching of Si wafer and $SiO_2$ layers was performed using He/Cl$_2$ mixture plasma by diode-type reactive ion etcher (RIE) system. For Si etching, the Cl molecules react with the Si molecules on the surface and become chemically stable, indicating that the reactants need energetic ion bombardment. During the ion assisted desorption, energetic ions would damage the photoresist (PR) and produce the bad etch Si-profile. Moreover, we have examined the characteristics of the Cl-Si reaction system, and developed the new fabrication procedures with a $Cl_2$/He mixture for Si and $SiO_2$-etching. The developed novel fabrication procedure allows the RIE to be unexpensive and useful a Si deep etching system. Since the etch rate was proved to increase linearly with fHe and the selectivity of Si to $SiO_2$ etch rate was observed to be inversely proportional to fHe.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권5호
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• pp.179-183
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• 2008

n형 실리콘를 이용히여 후면에 Al-emitter형성에 관해 �x처리조건이 Voc에 어떤 영향을 미치는지 알아보기 위하여 screen printing 방법으로 n-type Si 기판에 Al을 도포하였다. 열처기는 straight profile에서 50 inch/min의 belt speed로 $850^{\circ}C$의 peak temperature로 수행한 경우 가장 높은 Voc(585 mV)값을 보였고, 이 온도보다 낮은 경우에 불 균일한 Al-Si alloy 층이 형성되고, 이 온도보다 높은 경우에 Al층으로 Si 원자의 이동이 극심하게 발생되어 Al-Si alloy층이 파괴되는 현상으로 인하여 Voc가 감소함을 보았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1495_1496
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• 2009

A cylindrical post dipping (CPD) method to fabricate the PDMS microlens arrays is presented in this paper. The proposed CPD method is based on the surface tension effect. 2 mm gap and gapless lenses with 2 mm diameter are fabricated and characterized geometically. Both profiles of the fabricated microlens are well-fitted with ideal lens profile. The surface roughness average of the fabricated lens is measured to be 1.953 nm. The focal length of 2mm gap lenses and the gapless lenses is calculated to be 17.00 mm with 0.65 mm standard deviation and 29.88 mm with 2.58 mm standard deviation, respectively. The proposed CPD method can be applied to wafer level lens fabrication due to its simplicity and versatility.