• 한국결정성장학회지
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• 제4권2호
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• pp.131-133
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• 1994

$[0.5 \mu\textrm{m} (100) Si/(1102) sapphire]$ 기판상에 액상 에피탁시 방법으로 태양전지용 실리콘 박막형성을 시도하여, 평균 14 $\mu\textrm{m}$ 두께의 실리콘 박막을 아주 낮은 온도범위 $(380^{\circ}C~460^{\circ}C)$에서 성장시켰다.

• 한국에너지공학회:학술대회논문집
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• 한국에너지공학회 1995년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.60-68
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• 1995

This work wes performed to investigate the photocatalytic decolorization of waste water from textile industries. Methyl orange was used as a target dye with suspended Hombikat TiO$_2$ photocatalyst with a recirculating annular photoreactor. 1 wt % Pt-doped Hombikat thin film tubular reactor with parabolic reflector also wes usedin this experiment. The pH effect and flow rate effect on photobleaching of 0.012 g/l methyl orange solution, AtpH=3 Colour of methyl orange was completely bleached in 30 min with a 20 W UV lamp.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.616-619
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• 2005

OLED display are extremely sensitive to water and oxygen. Developing a thin film encapsulation for this technology has for a long time been elusive. Vitex has developed a multilayer barrier consisting of alternating inorganic and organic layers which can meet the requirements for a successful protection for such displays. In this paper we will discuss the basic process, the model, the results on top and bottom emission OLED displays as well as the application of Barix layers on plastic to create flexible OLED displays. We will show that for displays all the requirement for the telecommunication industry can be met and that the we can scale up to a mass manufacturing process.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.95-95
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• 2015

IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 물질은 기존에 사용되던 Amorphous Silicon에 비해 전자 이동도가 더욱 빠르기 때문에 차세대 디스플레이 재료로서 각광받고 있으며, 이러한 빠른 전자 이동도는 디스플레이 소자에 있어서 매우 중요한 요소 중 하나이다. 이를 향상시키기 위하여 본 연구에서는 ICP(inductively coupled plasma) antenna를 이용하여 rf power와 requency를 변화함으로써 박막 증착 시 발생되는 플라즈마의 특성을 조절하여, 박막의 특성을 조절하고자 했다. 이렇게 증착된 IGZO 박막은 Hall Effect Measurement를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 박막의 조성을 분석하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권2호
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• pp.119-130
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• 1994

저팽창 보로실리케이트 유리기판상에 직접 결정질실리콘 박막을 성장시켜 주는 것이 고순도 금속을 사용한 용액성장법으로는 어려운 관계로 18가지 다른 코팅을 유리기판상에 입혀 실험한 결과 알루미늄과 마그네슘 처리한 기판과 스퍼터링 방법으로 유리기판상에 실리콘 박막을 열처리해준 후 용액성장시켜준 기판의 경우에 양호한 결과가 나왔다. 성장온도 $420^{\circ}C~520^{\circ}C$ 범위에서 성장시킨 이박막은 태양전지와 태양전지의 모듈가격을 낮추는데 응용될 것으로 사료된다.

• 열처리공학회지
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• 제15권3호
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• pp.118-126
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• 2002

TiCN thin films were deposited on tool steels at $510^{\circ}C$ by PECVD from a $TiCl_4+N_2+CH_4+H_2+Ar$ gaseous mixture. The microstructures and preferred orientation were investigated. The micro-scratch tests were performed using a system equipped with an acoustic emission sensor. Critical loads were determined to evaluate the adhesion of TiCN to substrate. The influences of the microstructures of substrates, double layered coatings, and coatings after nitriding(duplex coating) were investigated. The experimental results showed that the microstructures of substrates and double layered coating did not affect the critical loads considerably. By the duplex coating, critical loads were not always increased. In some cases, duplex coatings decreased critical loads significantly despite of absence of black layer. In this study, we tried to relate the results of scratch test to the residual stress analysis. Nitriding before the coating reduces the tensile residual stress in the film, which gives rise to low critical load in scratch test.

• 한국재료학회지
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• 제15권3호
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• pp.149-154
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• 2005

Teflon like fluorocarbon thin films have been deposited on silicon and oxide molds as an antistiction layer for the hot embossing process by an inductively coupled plasma (ICP) chemical vapor deposition (CVD) method. The process was performed at $C_4F_8$ gas flow rate of 2 sccm and 30 W of plasma power as a function of substrate temperature. The thickness of film was measured by a spectroscopic ellipsometry. These films were left in a vacuum oven of 100, 200 and $300^{\circ}C$ for a week. The change of film thickness, contact angle and adhesion and friction force was measured before and after the thermal test. No degradation of film was observed when films were treated at $100^{\circ}C$. The heat treatment of films at 200 and $300^{\circ}C$ caused the reduction of contact angles and film thickness in both silicon and oxide samples. Higher adhesion and friction forces of films were also measured on films treated at higher temperatures than $100^{\circ}C$. No differences on film properties were found when films were deposited on either silicon or oxide. A 100 nm silicon template with 1 to $500\;{\mu}m$ patterns was used for the hot embossing process on $4.5\;{\mu}m$ thick PMMA spun coated silicon wafers. The antistiction layer of 10 nm was deposited on the silicon mold. No stiction or damages were found on PMMA surfaces even after 30 times of hot embossing at $200^{\circ}C$ and 10 kN.

• 한국전자파학회논문지
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• 제29권4호
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• pp.290-298
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• 2018

본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 LTE 밴드 7 대역에서 동작하는 S-대역 300 W급 내부 정합 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. 비선형 모델을 바탕으로 기본주파수 및 고조파에서 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하여 최적 임피던스를 추출하였고, 세라믹 패키지 내부에 고조파 임피던스를 튜닝한 정합회로가 적용되었다. 비유전율 40의 고유전율 기판과 RF35TC PCB 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기는 펄스 주기 1 ms, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 전력 성능이 측정되었으며, 2.62~2.69 GHz에서 257~323 W의 최대 출력 전력과 64~71 %의 드레인 효율, 11.5~14.0 dB의 전력 이득을 보였다. LTE 신호 기반의 ACLR 측정에서는 79 W의 평균 출력 전력에서 42~49 %의 드레인 효율을 보였고 2.62 GHz를 제외한 전체 주파수 대역에서 -30 dBc 이하의 성능을 보였다.

• 센서학회지
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• 제3권1호
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• pp.68-77
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• 1994

강자성체 자기저항 센서를 개발하기 위하여 70Ni-30Co 합금을 $10^{-6}$ Torr의 진공중에서 $250^{\circ}C$ 의 슬라이드 그라스 위에 두께 $600{\AA}$ 으로 진공 증착한 후 박막을 격자형으로 식각하고 인출선을 연결하였다. 이와 같은 과정으로 제작된 센서의 자기저항 변화율에 미치는 온도, 저항, 선폭 등의 영향을 조사하고 보자력, 포화자화, 최대유효감도, 지연시간, 회전율, 백색잡음, 분해능 등을 조사 분석한 결과, (70Ni-30Co) 합금을 기판온도 $250^{\circ}C$ 에서 두께 $600{\AA}$ 으로 진공 증착하면 결정자기 이방성이 형성되어 자기저항 소자로써의 기능이 자발적으로 구비되면서 230 nT 의 최대유효감도가 구비됨을 확인하였다. ${\pm}10$ Oe 의 자장구간에서는 직선적인 자기저항변화를 보였으며, 센서소자를 형성하는 격자선의 폭에 대한 길이의 비가 클수록 자기저항 값이 증가함을 알 수 있었다. 한편 센서 소자와 인출선을 인듐으로 연결시키면 저항온도계수가 $8{\times}10^{-3}/deg$로 증가되어 센서 본연의 저항온도계수($1{\times}10^{4}/deg$)가 매우 심하게 열화된다는 것을 알 수 있었다. 이 실험에서 제작된 강자성박막(70Ni-30Co)의 특성은 보자력이 5.1 A/cm이고 포화자화가 0.64T 이었는데, 이 박막으로 제작한 자기저항 센서의 지연시간은 $5{\mu}s$이었고 회전율(slew rate)은 0.39 $Oe/{\mu}s$ 이었으며 백색잡음은 -120 dB 정도이었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권1호
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• pp.88-93
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• 2024

To evaluate the possibility as a multi-level memory medium for the Ge₂Sb₂Te₅/TiN/W-doped Ge₂Sb₂Te₅ cell structure, the crystallization rate and stabilization characteristics according to voltage (V)- and current (I)- pulse sweeping were investigated. In the cell structures prepared by a magnetron sputtering system on a p-type Si (100) substrate, the Ge₂Sb₂Te₅ and W-doped Ge₂Sb₂Te₅ thin films were separated by a barrier metal, TiN, and the individual thicknesses were varied, but the total thickness was fixed at 200 nm. All cell structures exhibited relatively stable multi-level states of high-middle-low resistance (HR-MR-LR), which guarantee the reliability of the multilevel phase-change random access memory (PRAM). The amorphousto-multilevel crystallization rate was evaluated from a graph of resistance (R) vs. pulse duration (T) obtained by the nanoscaled pulse sweeping at a fixed applied voltage (12 V). For all structures, the phase-change rates of HR→MR and MR→LR were estimated to be approximately t<20 ns and t<40 ns, respectively, and the states were relatively stable. We believe that the doublestack structure of an appropriate Ge-Sb-Te film separated by barrier metal (TiN) can be optimized for high-speed and stable multilevel PRAM.