• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제9권3호
• /
• pp.153-159
• /
• 2009

A CMOS frequency synthesizer for $5{\sim}6$ GHz UNII-band sub-harmonic direct-conversion receiver has been developed. For quadrature down-conversion with sub-harmonic mixing, octa-phase local oscillator (LO) signals are generated by an integer-N type phase-locked loop (PLL) frequency synthesizer. The complex timing issue of feedback divider of the PLL with large division ratio is solved by using multimodulus prescaler. Phase noise of the local oscillator signal is improved by employing the ring-type LC-tank oscillator and switching its tail current source. Implemented in a $0.18{\mu}m$ CMOS technology, the phase noise of the LO signal is lower than -80 dBc/Hz and -113 dBc/Hz at 100 kHz and 1MHz offset, respect-tively. The measured reference spur is lower than -70 dBc and the power consumption is 40 m W from a 1.8 V supply voltage.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1882-1884
• /
• 1996

This paper deals with the lightning surge counter. In order to install the effective surge protective devices, it is important to find the parameters of incident surges. For the purpose of observing the occurrence frequency as a parameter of the amplitude of surge, two type surge counters were designed and fabricated. One is operated by surge currents, and the other is operated by surge voltages. The former consists of current sensor, metal oxide varister (MOV), rectifier, capacitor and electromagnetic counter. The latter consists of rectifier, voltage divider, comparator, photo coupler and counter circuit, and is useful for detecting the surge voltages.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
• /
• 한국조명전기설비학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.301-304
• /
• 2008

This paper presents the experimental results on breakdown characteristics in $N_2$ gas under non-uniform electric fields caused by both the positive and negative lightning impulse voltages. $N_2$ gas have an advantage of eco-friendly and cost reduction, and safety aspects. In order to analyze the impulse pre-breakdown processes in $N_2$ gas, we carried out measurements and observations of the impulse breakdown voltages, pre-breakdown current and luminous signals. They were measured by a voltage divider, a shunt and a photo-multiplier tube, respectively. Additionally, the characteristics of discharge channels were observed by high speed cameras. The breakdown voltages in the positive polarity was lower than those in the negative polarity.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
• /
• pp.1698-1699
• /
• 2007

This paper deals with the surge measurement system for low voltage power line of industrial plants. It consists of a capacitive divider, A/D conversion part, signal processing and control part. A FPGA and a DSP board were designed to fast signal processing and control. Also, in order to measure lightning surge and switching surge for a long time, data backup device was applied by using SD memory. A performance of the measurement system was verified through evaluation test using impulse calibration generator.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제42권7호
• /
• pp.35-40
• /
• 2005

본 논문에서는 900MHz 대역 중저속 무선 통신용 칩에 이용되는 3차 ${\Delta}{\sum}$ modulator를 사용한 Fractional-N PLL 주파수 합성기를 설계 및 제작하였다 우수한 위상노이즈 특성을 얻기 위해 노이즈 특성이 좋은LC VCO를 사용하였다. 그리고 고착시간을 줄이기 위해서 Charge Pump의 펌핑 전류를 주파수 천이 값에 따라 조절할 수 있도록 제작하였고 PFD의 참조 주파수를 3MHz까지 높였다. 또한 참조 주파수를 높이는 동시에 PLL의 최소 주파수 천이 간격을 10KHz까지 줄일 수 있도록 하기위하여 36/37 Fractional-N 분주기를 제작하였다. Fractional Spur를 줄이기 위해서 3차 ${\Delta}{\sum}$ modulator를 사용하였다. 그리고 VCO, Divider by 8 Prescaler, PFD, 및 Charge Pump는 0.25um CMOS공정으로 제작되었으며, 루프 필터는 외부 컴포넌트를 이용한 3차RC 필터로 제작되었다. 그리고 Fractional-N 분주기와 3차 ${\Delta}{\sum}$ modulator는 VHDL 코드로 작성되었으며 Xilinx Spartan2E을 사용한 FPGA 보드로 구현되었다. 측정결과 PLL의 출력 전력은 약 -11dBm이고, 위상노이즈는 100kHz offset 주파수에서 -77.75dBc/Hz이다. 최소 주파수 간격은 10kHz이고, 최대 주파수 천이는 10MHz이고, 최대 주파수 변이 조건에서 고착시간은 약 800us이다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
• /
• 제9권6호
• /
• pp.1995-2003
• /
• 2014

Power semiconductor devices have been the major backbone for high-power electronic devices. One of important parameters in view of power semiconductor devices often characterize with a high breakdown voltage. Therefore, many efforts have been made, since the development of the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), toward having higher level of breakdown voltage, whereby the typical design thereof is focused on the structure using the field ring. In this study, in an attempt to make up more optimized field-ring structure, the characteristics of the field ring were investigated with the use of theoretical arithmetic model and methodologically the design of experiments (DOE). In addition, the IGBT having the field-ring structure was designed via simulation based on the finding from the above, the result of which was also analyzed. Lastly, the current study described the trench field-ring structure taking advantages of trench-etching process having the improved field-ring structure, not as simple as the conventional one. As a result of the simulation, it was found that the improved trench field-ring structure leads to more desirable voltage divider than relying on the conventional field-ring structure.

• ETRI Journal
• /
• 제40권5호
• /
• pp.664-676
• /
• 2018

Given the rapidly increasing market penetration of photovoltaic (PV) systems in many fields, including construction and housing, the effective maintenance of PV systems through remote monitoring at the panel level has attracted attention to quickly detect faults that cause reductions in yearly PV energy production, and which can reduce the whole-life cost. A key point of PV monitoring at the panel level is cost-effectiveness, as the installation of the massive PV panels that comprise PV systems is showing rapid growth in the market. This paper proposes an implementation method that involves the use of a panel-level wireless PV monitoring module (WPMM), and which assesses the cost-effectiveness of this approach. To maximize the cost-effectiveness, the designed WPMM uses a voltage-divider scheme for voltage metering and a shunt-resistor scheme for current metering. In addition, the proposed method offsets the effect of element errors by extracting calibration parameters. Furthermore, a design method is presented for portable and user-friendly PV monitoring, and demonstration results using a commercial 30-kW PV system are described.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제18권12호
• /
• pp.2933-2938
• /
• 2014

전류컨베이어 회로를 이용한 주파수 고정 루프 회로를 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계하였다. 공급전압은 3volts를 사용하였다. 설계된 회로는 분주기, 주파수-전압 변환기, 전압 감산기 및 발진기로 구성하였으며, 각 회로 블록을 대칭적으로 배치하여 공정 변화에 따른 신뢰성 특성을 향상시켰다. HPICE 시뮬레이션 결과 MOS 트랜지스터의 채널길이, 채널 폭, 저항 및 커패시터의 크기가 ${\pm}5%$ 변화할 때 출력주파수의 변화율은 ${\pm}1%$ 내외였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제46권10호
• /
• pp.1-8
• /
• 2009

본 논문에서는 아날로그 및 디지털 집적시스템에서 사용될 수 있는 온도변화에 무관한 파워-업 검출기 회로를 제안하였다. 제안된 파워-업 검출기는 트랜지스터의 문턱전압과 이동도의 상호 온도보상 기술을 이용하여 nMOS 분압기와 pMOS 분압기의 출력 전압이 온도에 무관한 특성을 갖도록 하여 온도 변화에 따른 파워-업 전압의 변화량을 최소화하였다. 68-nm CMOS 공정을 이용한 시뮬레이션 결과, 제안된 파워-업 검출기는 파워-업 전압 1.0V 기준으로 $-30^{\circ}C$에서 $90^{\circ}C$의 온도변화 조건에서 4 mV의 매우 작은 파워-업 감지 전압 변화량을 갖는 출력 특성을 보였고, 기존 회로에 비해 92.6%의 파워-업 감지 전압 변화량 감소를 확인하였다.

• 센서학회지
• /
• 제5권3호
• /
• pp.9-16
• /
• 1996

본 논문에서는 고전압 임펄스전압 발생장치의 조작에 의하여 발생하는 과도전압을 측정할 수 있는 용량성분 압기를 실현하였다. 전장센서를 이용한 과도전압측정계는 고속응답의 평판형 전장센서와 광대역 전압버퍼로 구성되었으며, 사용된 전압버퍼(LH0033)의 입력임피던스는 $10^{12}{\Omega}$ 정도로 대단히 높다. 단위계단 응답특성을 파악하기 위하여 새로운 교정방법을 제안하고, 설치조건에 따른 분압비 오차를 검토하였으며, 분압비 오차를 0.5% 이내로 하기 위한 최적설치조건을 제시하였다. 교정실험으로부터 과도전압측정계의 응답시간은 약 15.78 ns이었으며, 주파수대역은 6.37 Hz에서 27.3MHz이다. 따라서 본 측정계로 과도과전압은 물론 상용주파수전압도 신호의 일그러짐 없이 측정이 가능하였다.