• 전기학회논문지
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• 제62권12호
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• pp.1678-1687
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• 2013

This paper describes a prototype of 3-phase 3.3kV/220V 6kVA modular semiconductor transformer developed in the lab for feasibility study. The developed prototype is composed of three single-phase units coupled in Y-connection. Each single-phase unit with a rating of 1.9kV/127V 2kVA consists of a high-voltage high-frequency resonant AC-DC converter, a low-voltage hybrid-switching DC-DC converter, and a low-voltage hybrid-switching DC-AC converter. Also each single-phase unit has two DSP controllers to control converter operation and to acquire monitoring data. Monitoring system was developed based on LabView by using CAN communication link between the DSP controller and PC. Through various experimental analyses it was verified that the prototype operates with proper performance under normal and sag condition. The system efficiency can be improved by adopting optimal design and replacing the IGBT switch with the SiC MOSFET switch. The developed prototype confirms a possibility to build a commercial high-voltage high-power semiconductor transformer by increasing the number of series-connected converter modules in high-voltage side and improving the performance of switching element.

• 소음진동
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• 제6권1호
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• pp.89-95
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• 1996

송전전압이 500kV 이상이 되면, 송전도체의 코로나 방전에 의해 발생되는 가청소음, 험소음이 송전선로의 도체 선정에 중요한 요소가 되며 또한 바람에 의한 철탑과 도체의 풍소음도 발생한다. 본 논문은 세계최초로 765kV 2회선 교류 송전선을 개발하기 위해 건설한 한전 전력연구웜 765kV 시험송전선로의 상당 480mm$^{2}$ 도체 6가닥으로 구성된 송전선 구성에서 가정소음, 험소음, 풍소음의 통계적인 분석 결과를 나타내었다. 분석결과를 보면 6-480mm$^{2}$ 도체와 철탑구성이 가청소음 설계목표치인 50dB(A)를 만족함을 알 수 있다.

• 대한수학회보
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• 제50권6호
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• pp.1905-1914
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• 2013

Let D be an integral domain with quotient field K, M a torsion-free D-module, X an indeterminate, and $N_v=\{f{\in}D[X]|c(f)_v=D\}$. Let $q(M)=M{\otimes}_D\;K$ and $M_{w_D}$={$x{\in}q(M)|xJ{\subseteq}M$ for a nonzero finitely generated ideal J of D with $J_v$ = D}. In this paper, we show that $M_{w_D}=M[X]_{N_v}{\cap}q(M)$ and $(M[X])_{w_{D[X]}}{\cap}q(M)[X]=M_{w_D}[X]=M[X]_{N_v}{\cap}q(M)[X]$. Using these results, we prove that M is a strong Mori D-module if and only if M[X] is a strong Mori D[X]-module if and only if $M[X]_{N_v}$ is a Noetherian $D[X]_{N_v}$-module. This is a generalization of the fact that D is a strong Mori domain if and only if D[X] is a strong Mori domain if and only if $D[X]_{N_v}$ is a Noetherian domain.

• 대한수학회지
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• 제45권6호
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• pp.1705-1723
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• 2008

Let n be a 2-step nilpotent Lie algebra which has an inner product <, > and has an orthogonal decomposition $n\;=z\;{\oplus}v$ for its center z and the orthogonal complement v of z. Then Each element z of z defines a skew symmetric linear map $J_z\;:\;v\;{\longrightarrow}\;v$ given by <$J_zx$, y> = for all x, $y\;{\in}\;v$. In this paper we characterize Jacobi fields and calculate all conjugate points of a simply connected 2-step nilpotent Lie group N with its Lie algebra n satisfying $J^2_z$ = A for all $z\;{\in}\;z$, where S is a positive definite symmetric operator on z and A is a negative definite symmetric operator on v.

• Progress in Superconductivity
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• 제8권1호
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• pp.113-118
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• 2006

The design of superconducting magnets for a 600 kJ SEMS was discussed. The basic constraint conditions in the design of a 600 kJ SMES magnet were V-I loss(<1 W), inductance of magnet(<24 H), the number of Double Pancake Coils(DPC about 10), the number of turns of DPC(<300), outer diameter of DPC(close to 800 mm) and total length of HTS wire in a DPC(<500 m). As a result of optimum design, we obtained design parameters of the 600 kJ SMES magnet with two operating currents, 360 A and 370 A, which are in the limited conditions without V-I loss. V-I loss of each operating current was calculated with design parameters and V-I characteristic of the HTS wire. As a result of calculations, V-I losses with operating currents of 360 A and 370 A were 0.6 W and 1.86 W, respectively. Even though all design parameters of the SMES magnet in case of operating current of 360 A were in the restricted conditions, V-I loss of SMES magnet showed a tendency to generate at local DPCs, which are located on the top and the bottom of the SMES magnet more than that of the other DPCs.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제63권1호
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• pp.123-129
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• 2023

For an ordered set W = {w₁, w₂, . . . , w_k} of vertices and a vertex v in a connected graph G, the k-vector r(v|W) = (d(v, w₁), d(v, w₂), . . . , d(v, w_k)) is called the metric representation of v with respect to W, where d(x, y) is the distance between the vertices x and y. A set W is called a resolving set for G if distinct vertices of G have distinct metric representations with respect to W. The minimum cardinality of a resolving set for G is its metric dimension dim(G), and a resolving set of minimum cardinality is a basis of G. The corona product, G ⊙ H of graphs G and H is obtained by taking one copy of G and n(G) copies of H, and by joining each vertex of the ith copy of H to the ith vertex of G. In this paper, we obtain bounds for dim(G ⊙ K₁), characterize all graphs G with dim(G ⊙ K₁) = dim(G), and prove that dim(G ⊙ K₁) = n - 1 if and only if G is the complete graph K_n or the star graph K_1,n-1.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전력기술부문
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• pp.29-31
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• 2002

Purpose of the 765kV trial operation conducted for the first time in our country are performance verification of domestic developed equipment(765kV M.Tr, GIS,etc) and extraction of problem in advance to commercial operation and cultivation of operation ability. The trial operation of 765kV substation was finished successfully under the positive supports of institutes. manufactures. and constructers. It is expected that extraction of problems in advance and accumulation of operation techniques through the trial operation of 765kV substation will be contributed largly to the realization of the without a hitch operation of 765kV system.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권5호
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• pp.25-31
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• 2009

본 논문에서는 공급전압의 전하를 재활용하여 전력소모를 줄인 저전력 SRAM(Low power SRAM using supply voltage charge recycling: SVCR-SRAM)을 제안하였다. 제안한 SVCR-SRAM은 SRAM 셀 블록을 두 개의 셀 블록으로 나누어 두 종류의 공급전압을 공급한다. 이중 하나는 $V_{DD}$와 $V_{DD}/2$이고, 다른 하나는 $V_{DD}/2$와 GND이다. N비트 셀들이 연결되었을 때 $V_{DD}$와 $V_{DD}/2$의 전원으로 동작하는 N/2비트의 셀들에서 사용된 전하는 나머지 $V_{DD}/2$와 GND의 전원으로 동작하는 N/2비트의 셀들에서 재활용된다. SVCR 기법은 전력소모가 많은 비트라인, 데이터 버스, SRAM 셀에서 사용되어 전력소모를 줄여준다. 다른 부분들에서는 동작속도를 높이기 위해 $V_{DD}$와 GND의 공급전압을 사용하였다. 또한, SVCR-SRAM에서는 Body-effect로 인한 SRAM 셀들의 누설전류가 크게 감소하는 효과가 있다. 검증을 위하여, 64K비트($8K{\times}8$비트)SRAM chip을 $V_{DD}=1.8V,\;0.18{\mu}m$ CMOS 공정으로 구현하였다. 제작된 SVCR-SRAM에서는 쓰기전력의 57.4%와 읽기전력의 27.6%가 줄었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권3호
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• pp.89-93
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• 2014

V/III족 ratio의 변화에 따른 r-plane의 sapphire 위에 HVPE로 성장한 a-plane GaN 에피텍셜층의 특성변화를 연구하였다. V/III족 ratio가 증가함에 따라서, a-plane (11-20) GaN에 대한 Rocking Curve의 FWHM의 값이 감소하며, 성장된 GaN의 표면 거칠기도 감소하고, 성장성도는 증가하다가 V/III족 ratio 7까지는 증가하다가 다시 감소하는 경향을 보여준다. 즉 V/III족 ratio 10에서 a-plane (11-20) GaN에 대한 Rocking Curve의 FWHM의 가장 작은 829 arcsec값을 보이고, 표면거칠기도 가장 작은 1.58 nm 값을 보인다. 또한 광학현미경상에서 관찰되는 내부 Crack 또는 void가 가장 적게 발생하였다. 그리고 M모양의 Azimuth angle 의존도를 전 샘플에서 보이며, V/III족 ratio 10에서 FWHM 최대값과 최소값의 편차값이 439 arcscec로 가장 작은 차이를 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.327-334
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• 2013

InAs/GaSb 제2형 응력 초격자(strained layer type II superlattice, T2SL)을 이용한 nBn 구조 장적외선 검출소자의 설계 및 제작을 하였다. InAs와 GaSb 두께에 따른 T2SL 구조의 장적외선 밴드갭 에너지를 Kronig-Penney 모델을 이용하여 계산하였다. 소자의 암전류 밀도를 줄이기 위해서, nBn 구조에서 장벽층인 $Al_{0.2}Ga_{0.8}Sb$ 성장 중에 Te 보상도핑(compansated doping)을 하였다. 온도(T) 80 K 및 인가전압($V_b$) -1.5 V에서, 반응스펙트럼 측정을 통한 소자의 차단파장은 ${\sim}10.2{\mu}m$ (~0.122 eV)로 나타났다. 또한 온도 변화에 따른 암전류 측정으로부터 도출된 활성화 에너지는 0.128 eV로 계산 되었다. T=80 K 및 $V_b$=-1.5 V에서 암전류는 $1.0{\times}10^{-2}A/cm^2$으로 측정되었다. 흑체복사 적외선 광원을 이용한 반응도(Responsivity)는 소자 온도 80 K 및 인가전압 -1.5 V의 조건에서 0.58 A/W로 측정되었다.