본 연구에서는 SiGe p-MOSFET을 제작하여 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성을 측정하였다. Si 기판위에 성장한 $Si_{0.88}Ge_{0.12}$으로 제작된 SiGe p-MOSFET의 채널은 게이트 산화막과 20nm 정도의 Si Spacer 층으로 분리되어 있다. 게이트 산화막은 열산화에 의해 70$\AA$으로 성장되었고, 게이트 폭은 $25{\mu}m$, 게이트와 소스/드레인 사이의 거리는 2.5때로 제작되었다. 제작된 SiGe p-MOSFET은 빠른 동작 특성, 선형성, 저주파 노이즈 특성이 우수하였다. 제작된 SiGe p-MOSFET의 ESD 에 대한 소자의 신뢰성과 내성을 연구하기 위하여 SiGe P-MOSFET에 ESD를 lkV에서 8kV까지 lkV 간격으로 가한 후, SiGe P-MOSFET의 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성 변화를 분석 비교하였다.
In the present paper, V-to-V coarticulation in Korean VCV sequences is discussed, focusing on links between consonantal production and degree of V-to-V coarticulation. Temporal and spatial differences between three types of Korean alveolar stops (lax /t/. aspirated /$t^h$/ and thense /t'/) are examined from VCV sequences involving all possible combinations of three Korean unrounded vowels /a, i,/ based on spectrographic and electrographic data(two male speakers and one female speaker and one female speaker respectively). Closure duration and voice onset time (VOT) were measured from acoustic data. 'Total duration', which is defined as the sum of the closure duration and the VOT, was also calculated in order to see the temporal distance between two vowels in a VCV sequence. Differences in lingual-palatal contact pattern at the maximum contact (MC) point between the three types of stop were observed from EPG data. V-to-V coarticulation was investigated by measuring the offset or onset of the second formant (F2) of the target vowels from spectrograms. Two different dimensions of articulation, temporal and spatial, seem to playa role in determining the degree of V-to-V coarticulation. The degree of V-to-V anticipatory coarticulation is influenced by the spatial characteristics of the intervening consonant while the degree of carryover coarticulation is influenced by the temporal characteristics of the consonant.
제안된 Multi-level PDP sustain Driver는 기존 L. Webber에 의해 제안된 방식에 비해 낮은 전압 rating을 갖는 소자를 사용하며 sustain 전압파형의 rising/falling 구간이 각각 2번의 공진에 의해 이루어진다. 본 논문에서는 rising time을 구성하는 3단계$(T_{r1},\;T_{i1},\;T_{r2})$의 변화에 따라 PDP의 방전 특성에 미치는 영향을 비교하고, 기존 LG전자의 상용화 제품인 42V6와 특성을 비교한다. 실험결과는 3단계의 rising time 중에 $T_{i1}$의 변화에 따른 특성 변화가 가장 크며, $T_{r2}$의 변화에 의한 영향도 있으며, $T_{r1}$의 변화에 따른 특성 변화는 거의 없다. 제안된 PDP driver는 $T_{r1}$이 60ns, $T_{i1}$이 120ns, $T_{r2}$가 350ns 인 경우, Full white display pattern에서 기존제품에 비해 휘도 $14.6\%$증가, 소비전력 $5.9\%$감소, panel 효율 $24.2\%$ 증가, module 효율 $21.2\%$증가 등 특성을 얻을 수 있었다. 실제 PDP module 응용에 적합할 것으로 기대된다.
IGBT는 MOSFET과 BJT의 구조를 동시에 포함하고 있는 전력반도체 소자이며, MOSFET의 빠른 스위칭 속도와 BJT의 고 내압, 높은 전류내량 특성을 갖고 있다. GBT는 높은 항복전압, 낮은 VCE-SAT, 빠른 스위칭 속도, 고 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하는 소자이다. 본 논문에서는 1,200V 급 Trench Gate Field Stop IGBT의 상단 공정 파라미터인 Gate oxide thickness, Trench Gate Width, P+ Emitter width를 변화시키면서 변화하는 Eoff, VCE-SAT을 분석하였고, 이에 따른 최적의 상단 공정 파라미터를 제시하였다. Synopsys T-CAD Simulator를 통해 항복전압 1,470V와 VCE-SAT 2.17V, Eon 0.361mJ, Eoff 1.152mJ의 전기적 특성을 갖는 IGBT 소자를 구현하였다.
The interface between two different materials in the insulation systems is the weak-link in the underground power transmission systems, In this paper, Optimum conditions of the interface between Epoxy and EPDM is studied. The variation factor condition of interface is roughness of surface, spreading of oils, interfacial pressure and temperature. The breakdown times under the constant voltage below the breakdown voltage were also gained. The breakdown voltage at the after laying time equivalent to is calculated by the V-t characteristic and the inverse power law. When this is done, the characteristic life exponent n is used and the long time breakdown voltage can be evaluated.
In the response to increasing the demands for electrical energy, much effort aimed to develop and commercialize HTS power equipments have been made around the world. Among them HTS transformer is one of very Promising one. For the development, the cryogenic insulation technology should be established. In this paper V-t characteristics of turn insulator, Kpaton, among insulation components of HTS transformer was discussed with Weibull distribution and n-value. V-t tests of Kapton were conducted using Cu tape electrodes shaped HTS tape depending on wrapping number. The n-values of 2 and 3 times wrapped tape are 27.54 and 30.58. Although breakdown strength of the 3 times one is higher than the 2 times the 3 times one have more weak points with overlapping so it have higher probability of incidental accidents.
담배에서 약배양에 의한 반수체육종을 실용화하고 저 중촌등의 'D'배지를 이용하여 실험을 하였든바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 배양약중 평균 30% 이상이 반수농식물을 유기하였으며 약당 유기된 식물개체수는 평균 6주이상이었다. 2. F$_1$으로부터 유기된 반수체중 T.M.V 저항성은 이론치와 일치하는 1 : 1의 비를 나타내었다. 3. 반수체식물의 생육조사에서는 예기한바와 같이 모든 측정형질에 대하여 F$_1$의 반수체가 모본의 반수체보다 더큰 변이를 보였다.큰 변이를 보였다.
종자피복에 많이 사용되고 있는 접착제인 CFclear(CF), arabic gum(AG), cethylmethyl cellulose(UC), polyvinyl alcohol(PVA), polyvinyl pyrrolidone(PVP), hydroxy propyl cellulose(HPC), methyl cellulose(MC)와 고형물질로 bentonite(B), kaolin(K), calcium carbonate(CC), peatmoss(PM), talcum(T), vermiculite(V), zeolite(Z), calcium hydroxide(CH), plaster(PT), calcium phosphate((PP)를 공시하여 제조한 피복종자의 품질과 물리적인 특성을 평가하였다. Red clover 종자는 CF나 PVA에서 회수된 단립 종자 무게가 높았으며, 충격에 의한 피복층의 탈락성은 AG, CF, PVA에서 제일 낮았다(P<0.01). 피복종자의 백립중은 CF 피복종자가 제일 무거웠다. Tall fescue종자는 CF에서 회수된 단립 종자 무게가 높았으며(P<0.01), 충격에 의한 피복층의 탈락성은 AG, CF, PVA에서 제일 낮았다(P<0.01). 피복종자의 백립중은 CF 피복종자가 제일 무거웠다. Red clover는 V나 V+T(1 : 1)로 피복된 종자에서 회수된 단립 피복종자 무게가 제일 높았으며 tall fescue에서는 V+T(1 : 1)로 피복된것이 제일 높았다(P<0.01). 접착제별 피복지수는 두 초종 공히 CF나 PVA로 피복한 종자가 여타 접착제로 피복한 것보다 유의하게 높았다 (P<0.01). 고형물질별 피복지수는 red clover는 V나 V+T(1 : 1)로 피복한 종자에서 높았으며 tall fescue는 T, V, V + T(1 : 1로 피복한 종자)에서 가장 높게 나타났다(P<0.01). 종자피복에 있어서 red clover와 tall fescue 공히 접착제는 CF나 PVA로 하고 고형물질은 V나 V+T(1:1)로 피복함으로서 가장 좋은 피복효과를 얻을 수 있었다.
청녹색 발광을 하는 분산형 전계 발광 소자의 제작, 전기적 및 광학적 특성에 관하여 검토하였다. 전기적 및 광학적 특성에서 전류와 휘도는 전압과 주파수에 따라 증가하였으며, 휘도는 20㎑, 150V의 구동 조건에서 840㏅/㎡를 보였다. 그리고 그 결과를 등가회로화에 의해서 설명하였다.
양양~동해 지역에 설치된 초고압 345kV 송전선로 주변 주거지역에서 방송파에 미치는 영향과 인체에 미치는 영향을 중심으로 연구하였다. 먼저 이의 연구를 위하여 7개 지점 13개 포인트를 설정하여 송전과정에서 발생하는 방송파의 방송품질, 전계강도 그리고 자계강도 측정 조사로 구분하여 실시하였다. 이를 위해 각 측정 지점의 지형적 특성 분석과 측정된 데이터들을 국내외 규제기준 등에서 명시하고 있는 기준치 및 권고치와 비교하여 분석하였다. 이 송전선로가 방송품질에 미치는 영향을 분석한 결과 이 지역은 약전계 지역이고 수신지점 주위의 자연 환경적 특성에 의해 방송품질의 차이가 발생하는 지형적 특성을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. 또한 전계강도와 방송품질 측정 결과와 이의 다양한 비교 분석을 통해 초고압 송전선로가 공중파 수신에 거의 영향을 미치지 않는다고 판단할 수 있었다. 345kV 양양~동해 지역 송전선로에서 발생되는 자계가 인체 등에 미치는 영향을 판단하기 위하여 여러 측정지점에서 다양한 조건에 따라 측정한 자계를 분석한 결과 모든 지점에서 측정된 자계 강도가 WHO 국제기준치인 833mG에 미치지 못할 정도로 매우 작은 1.8mG로 나타났기 때문에 345kV 양양~동해 지역 송전선로에서 발생되는 자계가 인체에 미치는 영향도 극히 미미한 것으로 판명되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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