• 한국세라믹학회지
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• 제35권12호
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• pp.1336-1336
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• 1998

2단계 열탄소환원법으로 탄화규소 휘스커를 Ar과 H2분위기에서 기상-고상, 2단계, 기상-액상-고상 성장기구를 통해 각각 합성하였다. Ar분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다. SiO2(S)+C(s)-SiO(v)+CO(v) SiO(v)3CO(v)=SiC(s)whisker+2CO2(v) 2C(s)+2CO2(v)=4CO(v) 이때 전체 반응속도는 세번째 반응에 참여하는 탄소에 의해 지배되었다. 따라서 이 반응이 휘스커 합성의 율속반응으로 판단되었다. 한편 H2 분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다.SiO2(s)+C(s)=SiO(v)+CO(v) 2C(s)+4H2(v)=2CH4(v) SiO(v)+2CH4(v)=SiC(s)whisker+CO(v)+4H2(v) 이때 전체 반응속도는 SiO(v) 기체의발생 속도에 의해 지배되었다. 따라서 첫번째 반응이 휘스커 합성의 율속 반응인 것으로 판단되었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.777-779
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• 2003

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. Main gate 전압을 -5V에서 ＋5V까지 변화시킴으로써 main gate 길이가 50nm이고, side gate 길이가 70nm인 MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. 또한, Main gate 길이가 50nm인 double gate MOSFET의 side gate의 길이를 40nm에서 90nm로 변화시키면서 C-V 곡선을 비교ㆍ분석하였다. Side gate 길이가 줄어들수록 전달컨덕턴스는 증가하고, 커패시턴스는 감소하는 경향을 나타내었다. 게이트 전압이 1.8V일 때, side gate의 영향으로 C-V곡선에 굴곡이 나타났으며, 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 대한교통학회지
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• 제17권2호
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• pp.21-27
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• 1999

고속도로 시설물 구간의 교통혼잡도(V/C)와 사고율의 관계를 분석하는 것이 본 연구의 목적이다. 본 연구에서 분석된 사고율과 V/C의 관계는 교통사고의 예측과 예방을 위한 기초 자료로 유용하게 쓰일 수 있을 것으로 판단된다. 본 연구에서는 신갈-안산간 고속도로의 개통시(92년)부터 97년까지의 교통량과 사고 자료를 이용하였으며, 시간당 사고율과 V/C를 계산하여 기본구간, 터널구간, 영업소구간의 V/C와 사고율(AR)을 비교·분석하였다. V/C와 사고율의 관계는 모든 구간에서 "U"형의 곡선 형태를 나타냈다. 분석 결과를 보면 V/C가 낮을 때 사고율이 가장 높았으며 V/C가 증가함에 따라 사고율이 감소하다가 일정수준 이상에서는 다시 사고율이 증가하는 것으로 나타났다. 영업소구간의 사고율이 V/C의 전 범위에 걸쳐 기본구간이나 터널구간보다 높게 나타났다. 터널구간의 경우 기본구간과 비교 시 V/C=0.67을 기준으로 그 이하에서는 기본구간이, 그 이상에서는 터널구간이 기본구간보다 사고율이 높은 것으로 분석되었다. V/C가 0.5∼0.8 구간에서는 기본구간과 터널구간의 사고 율이 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 기본구간 터널구간 영업소구간의 V/C가 각각 0.78, 0.75, 0.57일 때 사고율이 가장 낮은 것으로 나타났다.

• 한국잠사곤충학회지
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• 제30권1호
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• pp.33-39
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• 1988

본 시험은 자외선에 의해 구분된 황형광색견(Y.F.C)와 자형광색견(V.F.C)의 견층 sericin이 열수에 대한 성질과 견층 sericin 수용액의 물리적 성질 차이를 조사하고 제사성적에 미치는 영향을 검토한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 용해온도에 따른 sericin의 용해성은 낮은 온도에서보다 높은 온도에서 Y.F.C와 V.F.C간의 차가 켰다. 2. 용해시간에 따른 sericin의 용해성은 Y.F.C 및 V.F.C 모두 비슷한 경향을 나타냈으나 Y.F.C가 V.F.C. 보다 용해성이 좋았다. 3. 초기 sericin 용해성을 도시하면 용해도가 다른 4개 부분으로 구분할 수 있었고 Y.F.C 및 V.F.C 모두 같은 형태였으나 각 용해속도에 있어서는 차이가 있었다. 4. Sericin 수용액의 표면장력 측정결과 처리후 방치 시간에 따른 변화 속도는 45분 이내에서 V.F.C가 빠르기 때문에 sericin의 용해성을 저하시킬 것으로 사료된다. 5. Sericin 입자의 비용적에 있어서 Y.F.C가 V.F.C 보다 크기 때문에 Y.F.C의 용해성이 좋은 것으로 추정된다. 6. 제사가공 중 견층 sericin 용해량은 Y.F.C가 V.F.C 보다 초기용해속도가 빠르기 때문에 전공정 sericin 유실량이 많았고 이 때문에 실켜기 공정에서 고치실의 풀림새를 향상시킨 것으로 사료된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.487-493
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• 1997

SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{\times}10^3V/{\textrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{\circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.

• 대한수학회논문집
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• 제39권1호
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• pp.187-199
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• 2024

In the present paper, following the pullback approach to Finsler geometry, we study intrinsically the C^v-reducible and generalized C^v-reducible Finsler spaces. Precisely, we introduce a coordinate-free formulation of these manifolds. Then, we prove that a Finsler manifold is C^v-reducible if and only if it is C-reducible and satisfies the 𝕋-condition. We study the generalized C^v-reducible Finsler manifold with a scalar π-form 𝔸. We show that a Finsler manifold (M, L) is generalized C^v-reducible with 𝔸 if and only if it is C-reducible and 𝕋 = 𝔸. Moreover, we prove that a Landsberg generalized C^v-reducible Finsler manifold with a scalar π-form 𝔸 is Berwaldian. Finally, we consider a special C^v-reducible Finsler manifold and conclude that a Finsler manifold is a special C^v-reducible if and only if it is special semi-C-reducible with vanishing 𝕋-tensor.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.640-644
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• 1998

Sb/SiC(4H) 및 Ti/SiC(4H) 쇼트키 다이오드(SBD)를 제작하여 그 특성을 조사하였다. 용량-전압(C-V) 측정으로부터 얻은 n-형 SiC(4H)의 주개(donor) 농도는 약 $2.5{\times}10 ^{17}{\textrm}cm^{-3}$이었다. 순방향 전류-전압(I-V) 특성의 기울기로부터 얻은 Sb/SiC(4H) 쇼트키 다이오드의 이상계수는 1.31이었고, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 4.4$\times$102V/cm 이었다. 용량-전압(C-V) 측정으로부터 얻은 Sb/SiC(4H) SBD의 내부전위(built-in potential) 및 쇼트키 장벽 높이는 각각 1.70V 및 1.82V이었다. Sb/SiC(4H)의 장벽높이 1.82V는 Ti/SiC(4H)의 0.91V보다 높았다. 그러나 Sb/SiC(4H)의 전류밀도와 역방향 항복전장은 Ti/SiC(4H)의 것보다 낮았다. Ti/SiC(4H)는 물론 Sb/SiC(4H) 쇼트키 다이오드는 고전력 전자소자로서 유용하다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.661-663
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• 2004

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하기 위하여 side gate 길이와 side gate 전압을 변화시켜 조사하였다. Main gate 전압은 -5V에서 +5V까지 변화시켰으며, main gate 길이가 50nm, side gate 길이가 70nm, side gate 전압이 3V, drain 전압이 2V일때 우수한 C-V 특성을 얻었다. 이 때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제14권2호
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• pp.122-124
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• 1982

한국산(韓國産) 개암 종실(種實)의 트리글리세리드의 조성(組成)을 HPLC에 의(依)해서 용매(溶媒)를 달리하여 분석(分析)한 결과(結果) 다음과 같은 결론(結論)을 얻었다. 즉, 개암 종실유(種實油)의 트리글리세리드는 탄소수 38부터 탄소수 48에 이르기까지 6종(種)의 트리글리세리드가 용매를 아세토니트릴-클로로포름-테트라히드로푸란(75 : 15 : 10, v/v/v)으로 사용(使用)할 때에 나타났으며, $C_{38}$이 4.14%, $C_{40}$ 5.23%, $C_{42}$가 10.03%, $C_{44}$가 24.02%, $C_{46}$이 48.73%이고, $C_{48}$이 7.85%였다. 그러나 동일(同一)한 조건(條件)이나 용매만을 바꾸어 아세토니트릴-테트라히드로푸란(70 : 30, v/v)을 사용(使用)하였을 때는 $C_{48}$은 전혀 나타나지 않았고, 다른 탄소수(炭素數) $C_{38}$부터 $C_{46}$까지는 모두 나타났으며, 그 함량(含量)은 $C_{38}$이 4.51%, $C_{40}$ 5.98%, $C_{42}$가 11.45%, $C_{44}$는 23.14%였으며, 여기에서도 $C_{46}$이 52.92%로서 그 함량(含量)이 가장 높았다. 따라서 개암 종실유(種實油) 중(中)에는 $C_{46}$에 해당하는 트리글러세리드의 함량(含量)이 주(主)를 이루고 그 다음으로 $C_{44}$에 해당하는 트리글리세리드가 약 25%로 높았으며, $C_{42}$의 약 11% 및 $C_{40}$의 $5{\sim}6%$, 그리고 $C_{38}$의 4%의 순(順)이었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.334-342
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• 2021

현재 국내에서는 L(실기동)-V(시뮬레이터)-C(워게임모델) 체계 간 연동 없이 독립된 환경에서 훈련을 수행하고 있다. L 체계는 훈련장 민원과 도로 제한 등으로 대부대 훈련이 제한되고, V 체계는 전술훈련과 연계한 훈련이 미흡하며, C 체계는 전투마찰 요소가 부족하여 실전성이 부족하다. 상하 제대 간 동시성 및 통합성 훈련 효과를 달성하기 위해 현재 운용 중인 L, V, C 체계를 상호 연동하여 제대별 통합연습훈련을 보장하기 위한 체계 구축이 필요하다. 현재 한미연합연습 간 C-C 체계 간 연동을 통해 모의지원을 하고 있지만, 실질적인 L, V, C 연동을 통한 훈련체계 개발은 연구단계에서 이루어지고 있는 실정이다. 육군을 중심으로 L, V, C 체계 연동 구축을 위해 많은 노력을 하였으나, 연동체계의 핵심인 LVC통합아키텍쳐 기술은 아직 확보하지 못한 상태이다. 따라서 본 논문에서는 L-V-C연동훈련체계를 구축할 수 있는 핵심기술인 LVC통합아키텍쳐 기술을 설계하고 구현하여 미래 훈련체계의 새로운 방안을 제시하고자 한다. 결론적으로 LVC통합아키텍쳐 기술의 확보를 통해 향후 사단급 L-V-C 연동훈련체계 구축이 가능할 것으로 판단된다.