• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권6호
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• pp.585-593
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• 2015

In the nanoscale regime, many multigate devices are explored to reduce their size further and to enhance their performance. In this paper, design of a novel device called, Triple Material Surrounding Gate Tunnel Field effect transistor (TMSGTFET) has been developed and proposed. The advantages of surrounding gate and tunnel FET are combined to form a new structure. The gate material surrounding the device is replaced by three gate materials of different work functions in order to curb the short channel effects. A 2-D analytical modeling of the surface potential, lateral electric field, vertical electric field and drain current of the device is done, and the results are discussed. A step up potential profile is obtained which screens the drain potential, thus reducing the drain control over the channel. This results in appreciable diminishing of short channel effects and hot carrier effects. The proposed model also shows improved ON current. The excellent device characteristics predicted by the model are validated using TCAD simulation, thus ensuring the accuracy of our model.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제23권4호
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• pp.211-220
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• 2021

터널구조물의 특성상 터널조명은 일반 도로의 조명과 달리 주간에도 조명이 필요하므로, 터널 유지관리 비용 가운데 터널조명을 위한 전력요금은 가장 높은 비율을 차지하고 있는 것으로 알려져 있다. 따라서 유지비용 절감 등을 위하여 터널조명을 낮은 소비전력, 장수명 등의 장점이 있는 LED램프로 교체 중에 있다. 본 연구에서는 기존 터널조명이 고압나트륨램프인 10개소 터널을 대상으로 터널조명 광원을 LED램프로 교체 시 효과 분석을 위하여, 광원 교체 전·후 터널 조도측정결과 및 1년간의 월별 전력사용량을 조사하였다. 터널조명 광원을 고압나트륨램프에서 LED램프로 교체 후 조도는 27.9~490% 향상되었으나, 터널조명용 전력사용량은 평균 47.1% 감소한 것으로 나타났다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.1-8
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• 1972

부성저항영역에서 동작하도록 바이어스전압을 걸어 준 쌍턴넬다이오드회로의 차특성은 역시 전압제어형의 부저항영역을 갖고, 이 회로를 발진기로 동작시킬 때의 쌍회로의 중점의 전위는 구형파의 이완진동을 일으킨다. 본논고에서는 이 중점에서의 구형파에서의 주기 및 정 또는 부의 펄스의 폭을 바이어스 전압에 의하여 제어할 수 있다는 점을 감안하여 주기 T 및 정펄스시간 T1 또는 부펄스시간 T2를 착특성곡선으로부터 해석적으로 구하고 또한 실측하였다. 또한 T 및 T1 또는 T2와 회로제정수와의 관계를 검토하여, T가 일정하고 T1-T2가 바이어스전압의 변화량에 비례하여 조건을 만족시키는 회로정수를 정하고, 바이어스전원과 직렬로 신호전압을 압입하는 방법을 고려하여 구성할 펄스폭변조회로의 특성을 구하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.28-36
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• 1982

페트리넷은 컴퓨터에서 사회 문제에 이르기까지 시스템을 모텔링하는데 다양하고 광범위하게 사용하였다. 이 논문은 백(bag)이론을 이용하여 궤트리넷의 성질을 수학적으로 정의한다. 사건-조건 컴퓨터프로그램 컴퓨터 조작 및 공정권에 대한 궤트리넷 모델링법을 설명한다. 그리고 터널다이오드 발진회로를 페트리넷으로 표시하고 프로그램과 시뮬레이숀을 한 다음 결과를 제시한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1456-1458
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• 1996

In resonant tunneling diodes with the quantum well structure showing the negative differential resistance (NDR), it is essential to increase both the peak-to-valley current ratio (PVCR) and the peak current density ($J_p$) for the accurate switching operation and the high output of the device. In this work, a resonant interband tunneling diode (RITD) with single quantum well structure, which is composed of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/ln_{0.52}Al_{0.48}As$ heterojunction on the InP substrate, is suggested to improve the PVCR and $J_p$ through the narrowed tunnel barriers. As the result, the measured I-V curves showed the PVCR over 60.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -1
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• pp.203-206
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• 2000

In this paper, we discuss an efficient steady-state analysis of reactance oscillators having multiple oscillations. Our oscillator is consisted of the Cauer or Foster reactance sub-circuit and a negative resistor such as tunnel diode. The reactance circuit has many resonance and antiresonance points on the frequency response curve. Such a circuit having the specified resonance and anti-resonance points can be easily synthesized with the fundamental circuit theory. In this case, the multiple oscillations may occur near at the anti-resonance points. We have developed a user friendly simulator for getting the exact steady state responses using the SPICE.

• 대한전자공학회논문지
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• 제5권2호
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• pp.8-14
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• 1968

트란지스타 단일안정 멀티바이부래타(monostable multi-vibrator)와 시리콘턴넬 다이오드 (T.D)로써 구성된 전류파 파고변별기를 설계하여 그 특성을 조사하였다. 피측정 전류액의 범위는 50㎂-5.23mA이며, 이 범위에 있어서 측정된 최대비직선도는 ±0.75% 이었다. 이 변별기의 전류액 분해능은 T.D를 통하여 흐르는 편의전류에 따라서 약간 달라지며 역방향 편의전류가 3 mA 일때, 만일 5%의 과잉파고를 주용한다면 그 분해시간은 2μS이다. 다음에 이 변별기의 임계치 안정도는 주로 T.D의 턴넬전류의 최대치 1 의 안정도에 의하여 좌우되며 환경온도의 변화범위가 0℃∼50℃일때는 최대비직선도 즉 ±0.75T 보다 더큰 임계치변화는 관측되지 않았다.