• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제6권6호
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• pp.23-31
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• 1992

Charged particle in the polymers is supposed to affect the electrical conduction and to lead them th dielectrical breakdown finally. So we measured the space charge distribution made by application of high electric field and evaluated the polarity of the charged particle affected on electrical conduction and space charge formed in the insulating materials by using temperature gradient thermally stimulated current measurement method(TG-TSC measurement). As a result, in the cross-linked polyethylene, A-peak was caused from dipole polarization, C-peak was caused from ionic space charge polarization and D-peak was injected trap hole. Also we found it crossible the evaluated the polarity of injected trap carrier and electron(or hole) of carrier trap in the cross-lined polyethylene. We found that ${\gamma}$-ray irradiated low density polyethylene had a relation to the electronic trap and we also could get the value of electric field distribution in the samples of which evaluation was available.

• 농약과학회지
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• 제17권4호
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• pp.440-447
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• 2013

꽃노랑총채벌레(Frankliniella occidentalis (WFT, western flower thrips))는 시설국화의 중요한 해충이다. 황색끈끈이 트랩에 유살된 꽃노랑총채벌레는 트랩식물의 위치에서 가장 높았고 트랩식물로부터 15 m와 20 m 떨어진 지점에서 가장 낮았다. 토양재배국화의 정식 30일 후에 투입한 트랩식물의 꽃노랑총채벌레 유인수에 있어 트랩식물이 투입된 0 m 지점이 트랩식물로부터 떨어진 5 m와 10 m 지점에서 보다 4.4~7.7배 더 많이 채집되었고(resident WFT) 정식과 동시에 투입한 트랩식물의 꽃노랑총채벌레 유인수는 5.7~9.4배 더 많았다(dispersing WFT). 재배국화의 꽃봉우리가 형성되면서 트랩식물이 위치한 곳과 위치하지 않는 곳에서 꽃노랑총채벌레의 밀도에는 분명한 차이가 없었다. 트랩식물과 천적을 동시 활용한 시험구는 농약살포구 보다 꽃노랑총채벌레의 밀도가 더 낮았고, 트랩식물에 농약을 사용한 시험구는 트랩식물의 위치에서만 꽃노랑총채벌레가 방제되었을 뿐 5 m와 10 m에서는 밀도가 증가하였다. 따라서, 국화 재배를 위한 정식과 동시에 꽃노랑총채벌레 방제를 위하여 트랩식물로 황색개화국화를 천적과 같이 이용한다면 효과적일 것이다.

• Journal of Forest and Environmental Science
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• 제33권3호
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• pp.239-242
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• 2017

Although camera traps have been widely used to understand the abundance of wildlife in recent decades, the effort has been restricted to small sub-set of wildlife which can mark-and-recapture. The Random Encounter Model shows an alternative approach to estimate the absolute abundance from camera trap detection rate for any animals without the need for individual recognition. Our study aims to examine the feasibility and validity of the Random Encounter Model for the density estimation of endangered leopard cats (Prionailurus bengalensis) in Maekdo riparian park, Busan, South Korea. According to the model, the estimated leopard cat density was $1.76km^{-2}$ (CI 95%, 0.74-3.49), which indicated 2.46 leopard cats in $1.4km^2$ of our study area. This estimate was not statistically different from the previous leopard cat population count ($2.33{\pm}0.58$) in the same area. As follows, our research demonstrated the application and usefulness of the Random Encounter Model in density estimation of unmarked wildlife which helps to manage and protect the target species with a better understanding of their status.

• 한국응용곤충학회지
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• 제55권2호
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• pp.109-117
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• 2016

우리는 시설토마토에서 4가지 침투이행성약제가 사용된 가지를 트랩식물로 활용하여 담배가루이 성충의 방제효과를 조사하였다. 침투이행성약제가 추천된 농도로 사용되었을 때, 담배가루이 성충에 대한 dinotefuran SG 50% 방제효과는 80%로 방제효과가 각각 51.0%, 12.4%, 11.0%인 cyantraniliprole, pyridaben, clothianidin 보다 높았다. 살충효과가 뛰어난 dinotefuran을 농도별로 처리하였을 때, 200 ppm에서 살충률이 88.4%로 가장 효과적이었다. Dinotefuran의 방제효과는 가지에 적용된 약 9일까지 지속되었고 그 이후 담배가루이 밀도는 증가하였다. 포장실험에서 가지 트랩식물로부터 0, 15, 20 m 떨어진 토마토 신초에서의 담배가루이 밀도가 가장 높았고 5 m와 10 m에서 가장 낮았다. 담배가루이의 밀도가 낮고 dinotefuran SG 50%가 처리된 가지를 10 m 간격으로 투입했을 때, 담배가루이 성충의 밀도가 전체적으로 낮았으며, 또한 담배가루이의 밀도는 하우스 내부보다는 측면에서 밀도가 더 높았고 가지로부터 멀리 떨어진 곳에서 밀도가 높았다. 담배가루이 밀도가 높고 dinotefuran SG 50%가 처리된 가지를 5 m간격으로 투입했을 때, 담배가루이 밀도가 낮아졌다. 이러한 결과로 볼 때 가지는 시설토마토 재배시 담배가루이 성충을 유인하는데 효과적인 트랩식물이며 dinotefuran SG 50% 과 함께 사용한다면 담배가루이 밀도를 효과적으로 감소시킬 수 있을 것이다.

• 농약과학회지
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• 제20권4호
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• pp.281-285
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• 2016

블루베리에서의 갈색날개매미충 산란특성과 산란량 감소를 위한 황색끈끈이 트랩의 효과를 조사하였다. 수관상부, 중부, 하부에서의 갈색날개매미충 난괴 발생율은 각각 56.6~60.2%, 23.8~28.1%, 11.7~19.7%로 반 이상이 상부에 집중 분포하였다. 난괴가 한 개만 발생한 가지비율이 50.9%로 가장 높았으며 난괴수가 2개인 가지비율은 20.5%로 다음으로 높았고, 3개와 4개 이상인 가지비율은 각각 14.6%, 14.0%였다. 황색끈끈이트랩을 1개월간 설치한 결과 갈색날개매미충 유살량은 트랩 당 평균 17.1마리였고, 주당 난괴수는 트랩처리구와 무처리구 각각 0.4, 1.3으로 황색끈끈이트랩을 설치 할 경우 무처리구에 비해 산란량이 1/3로 감소하였다. 즉 황색끈끈이트랩 설치로 갈색날개매미충 산란량을 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.447-455
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• 2014

본 연구에서는 4H-SiC MOSFET의 주요 문제점인 $SiC/SiO_2$ 계면의 특성을 향상시키기 위해 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 n-based 4H-SiC MOS Capacitor를 제작하였다. 건식 산화 공정의 낮은 성장속도, 높은 계면포획 밀도와 $SiO_2$의 낮은 항복전계 등의 문제를 극복하기 위하여 PECVD와 NO어닐링 공정을 사용하여 MOS Capacitor를 제작하였다. 제작이 끝난 후, MOS Capacitor의 계면특성을 hi-lo C-V 측정, I-V 측정 및 SIMS를 이용해 측정하고 평가하였다. 계면의 특성을 건식 산화의 경우와 비교한 결과 20% 감소한 평탄대 전압 변화, 25% 감소한 $SiO_2$ 유효 전하 밀도, 8MV/cm의 증가한 $SiO_2$ 항복전계 및 1.57eV의 유효 에너지 장벽 높이, 전도대 아래로 0.375~0.495eV만큼 떨어져 있는 에너지 영역에서 69.05% 감소한 계면 포획 농도를 확인함으로써 향상된 계면 및 산화막 특성을 얻을 수 있었다.

• 유기물자원화
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• 제13권2호
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• pp.98-106
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• 2005

지렁이 사육상으로부터 지렁이를 분리, 수확할 수 있는 지렁이 유인장치를 개발하기 위해서 사육상에서의 지렁이 개체군 동태, 유인물질 및 유인틀내 철망의 mesh 크기, 덮개재질 등에 따른 지렁이 유인효율을 조사하였다. 지렁이 사육상에서 줄지렁이의 최고밀도는 약 $5kg/m^2$이었으며 최고밀도 도달한 이후에는 $4.4{\sim}5.0kg/m^2$의 밀도를 유지하였다. 유인틀내 철망의 mesh 크기는 7mm정도가 적정하였으며 유인틀 덮개는 표면은 매끄럽고 수분을 잘 머금을 수 있는 재질이 적당하였다. 유인틀내에 유인제를 사용하는 경우가 사용하지 않는 경우보다 유인효과가 현저히 높았으며, 유인틀내 유인제량이 많을수록, 유인틀 설치 기간이 길어질수록 지렁이 유인량이 많아졌다. 유인제로서는 분쇄된 배껍질이 제지슬러지보다 우수하였는데 이는 유인제내 당도의 차이에 기인하는 것으로 판단된다. 그러나 현장에서 사용할 수 있을 만큼 충분한 량의 배껍질을 공급하기가 어려우므로 그 대용으로서 설탕물(10%)을 유인물질로 이용하는 방안이 제시될 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권2호
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• pp.69-76
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• 2005

Interface-trap density, lifetime and Schottky barrier height of erbium-silicided Schottky diode are evaluated using equivalent circuit method. The extracted interface trap density, lifetime and Schottky barrier height for hole are determined as $1.5{\times}10^{13} traps/cm^2$, 3.75 ms and 0.76 eV, respectively. The interface traps are efficiently cured by $N_2$ annealing. Based on the diode characteristics, various sizes of erbium- silicided/platinum-silicided n/p-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors (SB-MOSFETs) are manufactured from 20 m to 35nm. The manufactured SB-MOSFETs show excellent drain induced barrier lowering (DIBL) characteristics due to the existence of Schottky barrier between source and channel. DIBL and subthreshold swing characteristics are compatible with the ultimate scaling limit of double gate MOSFETs which shows the possible application of SB-MOSFETs in nanoscale regime.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.77.1-77.1
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• 2012

Zn 기반 산화물 반도체는 기존의 비정질 Si에 비해 저온공정에도 불구하고 높은 이동도, 투명하다는 장점으로 인해 차세대 디스플레이용 백플레인 소자로 주목받고 있다. 산화물 트랜지스터는 우수한 소자특성을 보여주고 있지만, 온도, 빛, 그리고 게이트 바이어스 스트레스에 의한 문턱전압의 불안정성이 문제의 문제를 해결해야한다. 산화물 반도체의 문턱전압의 불안정성은 유전체와 채널층의 계면 혹은 채널에서의 charge trap, photo-generated carrier, ads-/desorption of molecular 등의 원인으로 보고되고 있어, 고신뢰성의 산화물 채널층을 성장하기 위한 노력이 이루어지고 있다. 최근, 산화물 트랜지스터의 다양한 조건에서의 문턱전압의 불안정성을 해결하기 위해 산화물의 주된 결함으로 일컬어지고 있는 산소결핍을 억제하기 위해 성장공정의 제어 그리고, 산소와의 높은 binding energy를 같은 Al, Hf, Si 등과 같은 원소를 첨가하여 향상된 소자의 특성이 보고되고 있지만, 줄어든 산소공공으로 인해 이동도가 저하되는 문제점이 야기되고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 최근에는 Buried layer의 삽입 혹은 bi-channel 등과 같은 방안들이 제안되고 있다. 본 연구는 atomic layer deposition을 이용하여 AZO bureid layer가 적용된 ZnO 트랜지스터의 특성과 안정성에 대한 연구를 하였다. 다결정 ZnO 채널은 유전체와의 계면에 많은 interface trap density로 인해 positive gate bias stress에 의한 문턱전압의 불안정성을 보였지만, AZO층이 적용된 ZnO 트랜지스터는 줄어든 interface trap density로 인해 향산된 stability를 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권9호
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• pp.693-696
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• 2011

Recently, amorphous oxide semiconductors (AOSs) based thin-film transistors (TFTs) have received considerable attention for application in the next generation displays industry. The research trends of AOSs based TFTs investigation have focused on the high device performance. The electrical properties of the TFTs are influenced by trap density. In particular, the threshold voltage ($V_{th}$) and subthreshold swing (SS) essentially depend on the semiconductor/gate-insulator interface trap. In this article, we investigated the effects of Ar plasma-treated $SiO_2$ insulator on the interfacial property and the device performances of amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) TFTs. We report on the improvement in interfacial characteristics between a-IGZO channel layer and gate insulator depending on Ar power in plasma process, since the change of treatment power could result in different plasma damage on the interface.