• 전기학회논문지
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• 제61권10호
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• pp.1448-1453
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• 2012

In this study, we carried out transient radiation test for identify failure situation by a transient radiation effect on operational amplifier devices. This experiments were carried out using a 60 MeV electron beam pulse of the LINAC(Linear Accelerator) facility in the Pohang Accelerator Laboratory. In this test, we has found that a serious failure as a burn-out effect due to overcurrent on the partial electronic devices.

• 전기학회논문지
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• 제59권9호
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• pp.1611-1614
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• 2010

The explosion of a nuclear weapon radiates a gamma-ray in the form of a transient pulse. If the gamma-ray introduces to semiconductor devices, much Electron-Hole Pairs(EHPs) are generated in depletion region of the devices[7]. as a consequence of that, high photocurrent is created and causes upset, latchup and burnout of semiconductor devices[8]. This phenomenon is known for Transient Radiation Effects on Electronics(TREE), also called dose-rate effects. In this paper 3D structure of inverter and NAND gate device was designed and transient pulse gamma-ray was modeled. So simulation for transient radiation effect on inverter and NAND gate was accomplished and mechanism for upset and latchup was analyzed.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.68-72
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• 2002

This work investigates the transient cooling characteristics of an Infrared (IR) detector cryochamber, which has a critical effect on the cooling load. The current thermal modeling considers the conduction heat transfer through a cold well. the gaseous conduction due to outgassing. and the radiation heat transfer. The transient cooling Performance. i.e. the penetration depth and cooling load, is determined using a finite difference method. It is found that the penetration depth increases as the bore conductivity increases. Gaseous conduction and radiation hardly affect the penetration depth. The transient cooling load increases as the bore conductivity increases. The effects of gaseous conduction and radiation on transient heat transfer are weak at initial stages of cooling. However, their effects become significant as the cooling Process Proceeds.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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• pp.791-794
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• 2013

본 연구에서는 초기 핵 방사선 조건에서 반도체소자의 과도응답특성을 분석하기 위한 선행연구의 일환으로 반도체 소자의 과도방사선에 의한 영향에 대한 주요원인과 반도체의 물성, 설계구조, 공정방식의 조건에 따라 소자내부에 생성되는 광전류 거동특성에 대한 정략적인 분석을 위한 시뮬레이션 분석을 수행하였으며 결과적으로 반도체소자의 설계조건과 입력되는 과도방사선의 선량율에 따른 비선형 특성을 확인하였다.

• 전기학회논문지
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• 제62권7호
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• pp.969-973
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• 2013

To simulate the effect of high dose-rate radiation on semiconductor devices, device modeling work has been performed especially in the area of photo-current generation by a PIN diode. The resultant analytical values were compared with experimental ones that were specially designed and performed to benchmark the simulation results. Initial results showed 27.85% error between the simulation and the experiment. The error can be further reduced by improvement both in simulation and in related experiments. The developed technique from the study can be applicable to radiation dosimetry and to analysis on the radiation effects in electronics.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.719-721
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• 2012

본 시험은 군전자장비의 전원제어부품으로 사용되는 TPS54315소자에 대하여 과도방사선에 따른 과도응답특성인 Upset/Latch-up특성을 평가하기 시험으로 포항가속기 연구소내의 Test LINAC 조사시설을 이용하여 $1.43{\times}10^7$rad(si)/sec~$1.25{\times}10^8$rad(si)/sec 선량률 조건에서의 실측시험을 수행하였다. 시험결과 $1.0{\times}10^8$rad(si)/sec 이후 Latch-up 현상이 확인되었으며 연속펄스 인가 시 Latch-up상태에서 정상상태로 복귀하는 결과를 확인하였다. 또한 이러한 현상은 과도방사선에 의한 광전류가 내부전원 Reset로직을 트리거 시킴으로써 Latch-up상태에서의 전원바이어스를 일시적으로 차단함에 따라 발생된 것으로 본 실험을 통하여 Reset회로가 내장된 소자의 경우 일부 Latch-up현상과 동시에 Reset회로가 트리거 되는 경우 Latch-up상태에서 정상상태로 복귀되는 결과를 확인하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.880-883
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• 2012

본 논문에서는 CMOS 논리소자의 과도방사선 피해 영향을 분석하기 위해 0.18um CMOS 공정으로 NMOSFET, PMOSFET을 이용하여 기본 논리소자인 INVERTER, NAND, NOR를 설계하고 제작하였다. 제작된 논리 소자 실측결과 1.8V 전원에서 1kHz의 Pulse 입력을 가하였을 때 소모 전류는 70uA 이내, Rising Time, Falling Time 또한 4us 이내이며 펄스 방사선 실측시험을 위해 50M Cable을 이용하여 측정결과 Line Delay가 발생하는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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• 제20권3호
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• pp.203-224
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• 2016

The heat and mass transfer characteristics of the unsteady hydromagnetic natural convection flow with Hall current and Soret effect of an incompressible, viscous, electrically conducting, heat absorbing and optically thin radiating fluid flow past a suddenly started vertical infinite plate through fluid saturated porous medium in a rotating environment are taken into account in this paper. Derivations of exact analytical solutions are aimed under different physical properties. The velocity, concentration and temperature profiles, Sherwood number and Nusselt number are easily examined and discussed via the closed forms obtained. Soret effect and permeability parameter tends to accelerate primary and secondary fluid velocities whereas hall current, radiation and heat absorption have reverse effect on it. Radiation and heat absorption have tendency to enhance rate of heat transfer at the plate. The results obtained here may be further used to verify the validity of obtained numerical solutions for more complicated transient free convection fluid flow problems.

• 한국항공우주학회지
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• 제32권5호
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• pp.116-121
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• 2004

사이클로트론 가속기를 이용한 양성자 우주환경의 모사시험이 수행되었다. 모사시험에 사용된 사이클로트론은 양성자를 약 $10^6-10^8\;protons/cm^2/s$의 선속에서 200 MeV까지 가속 할 수 있다. 가속된 양성자는 우주에서 사용될 MPC860 소자에 입사되었으며, 양성자 조사에 의한 소자의 누적 반응과 순간 반응이 모두 관찰되었다. 주된 순간 반응은 저장된 데이터의 변화였으나, 간헐적인 기능 정지 현상도 관찰되었다. 누적 반응은 소자 내에서 소모되는 전류의 증가로 나타났다.

• 한국추진공학회지
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• 제16권5호
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• pp.37-46
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• 2012

로켓엔진 연소실에서 막냉각을 고려한 열전달 해석을 위한 모델을 수립하였다. 연소실 내에서의 대류, 복사, 막냉각 효과는 로켓엔진을 위한 경험식을 사용하였으며, 벽 외부는 일반적인 대류, 복사 식을 적용하였다. 또한 벽 내부는 유한체적의 격자를 구성하여 시간전진법에 의해 비정상 열해석을 수행하였다. 연소압 50 기압의 액체산소/케로신 엔진을 예로 해석하였으며, 이 경우 4% 유량의 막냉각까지는 벽온도를 낮추는데 크게 기여하였으나, 그 이상의 공급은 막냉각 유량에 비해 효과가 미비함을 확인하였다.