CMOS Logic Design and Fabrication for Analyzing the Effect of Transient Radiation Damage

과도 방사선 피해 영향 분석을 위한 CMOS 논리 소자 설계 및 제작

In this paper, CMOS logic device, the INVERTER, NAND, NOR were designed and fabricated using 0.18um CMOS process for analyzing the effect of transient radiation damage. Fabricated logic devices were measured by applying a 1kHz input at 1.8V supply. As a result, the current consumption of less than 70uA and Rising time, Falling time was within a 4us. Experimental results transmission delays occurred when using a 50M cable for pulse radiation experiments.

본 논문에서는 CMOS 논리소자의 과도방사선 피해 영향을 분석하기 위해 0.18um CMOS 공정으로 NMOSFET, PMOSFET을 이용하여 기본 논리소자인 INVERTER, NAND, NOR를 설계하고 제작하였다. 제작된 논리 소자 실측결과 1.8V 전원에서 1kHz의 Pulse 입력을 가하였을 때 소모 전류는 70uA 이내, Rising Time, Falling Time 또한 4us 이내이며 펄스 방사선 실측시험을 위해 50M Cable을 이용하여 측정결과 Line Delay가 발생하는 것을 확인하였다.