Indium tin oxide (ITO) used as an electrode in organic light emitting diodes (OLEDs) and organic thin film transistors (OTFTs) was modified by a self-assembled monolayer (SAM). For device fabrication, surface of the ITO was modified by immersion in a solution including various phosphonic acid at room temperature in order to increase work function of an electrode. The work function of ITO with SAM was measured by Kelvin probe. Work function increase of 0.88 eV was observed in ITO with various SAM. Therefore, ohmic contact is achieved in an interface between ITO and organic semiconductors (pentacene). We analyzed the origin of work function increase of ITO with SAM by X-ray photoelectron spectroscopy. We confirmed that increase of oxygen bonding energy attributed to increase the work function of ITO. These results suggested that ITO with the SAM gives a high possibility for high performance of OLEDS and OTFTs.
Multilayer transparent electrodes, having a much lower electrical resistance than the widely used transparent conducting oxide electrodes, were prepared by using radio frequency magnetron sputtering. The multilayer structure consisted of five layers, indium tin oxided(ITO)/zinc oxide(ZnO)/Ag/oxide(ZnO)/ITO. With about 50nm thick ITO films, the multilayer showed a high optical transmittance in the visible range of the spectrum and had color neutrality. The electrical and optical properties of ITO/ZnO/Ag/ZnO/ITO multilayer were changed mainly by Ag film properties, which were affected by the deposition process of the upper layer. Especially ZnO layer was improved to adhesion of Ag and ITO. A high quality transparent electrode, having a resistance as low as and a high optical transmittance of 91% at 550nm, was obtained. It could satisfy the requirement for the flexible OLED and LCD.
정보 통신 분야의 발전에 따라 기존의 전자 기기들은 평면성을 벗어나 투명 유연하고 깨지지 않는 특성이 요구되고 있다. 이러한 부가적인 특성을 갖춘 기기들의 제조를 위해서는 전극의 투명성과 유연성을 동시에 갖고 있어야 하지만, 현재 가장 대표적으로 이용되는 투명전극인 ITO (Indium Tin Oxide)는 유연하지 못하다는 단점과 자원적인 한계를 갖고 있다. 이에 따라 ITO의 한계를 극복하기 위해 다양한 물질들을 이용한 대체 재료 개발이 활발히 연구되고 있으며 대체 물질들의 복합화를 통해 더 향상된 물성을 발현시키기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 총설에서는 ITO의 한계를 극복하고 투명전극으로서의 응용 가능한 대체 물질들에 대한 연구 현황을 정리하였다.
Interfacial properties of electrode and organic thin layer is one of the most important factor in performing a Light Emitting Diodes(LED). Phthalocyanine copper was used as a buffer layer to improve interface characteristic, so that device efficiency was improved. In this study, LEDs were fabricated as like structures of Indium-Tin-Oxide (ITO) / N,N' -Diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD) / 8-Hydroxyquinoline aluminum(Alq) / Aluminum(Al) and Indium-Tin-Oxide(ITO) / N,N'-Diphenyl-N,N' -di(m-tolyl)-benzidine(TPD) / 2-(4-Biphenylyl)-5(4-tert-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD) / Aluminum(Al). In these devices, CuPC was layered at electrode/organic layer interface. As position is changing and thickness is changing, devices showed characteristic luminescence efficiency and luminescence inensity respectively. We showed in this study that luminescence efficiency was improved with CuPC layer in LEDs. The efficiency of device with layer CuPC is higher than that of 2 layer CuPC. However, the luminescence of 2 layer CuPC device got higher value.
최근 유연 소자, 투명 소자, MEMS 소자와 같은 다양한 소자를 결합하는 시스템 집적화 기술이 많이 개발되고 있다. 이러한 다종 소자 시스템 제조 기술의 핵심 공정은 칩 또는 웨이퍼 레벨의 접합 공정, 기판 연삭 공정, 그리고 박막 기판 핸들링 기술이라 하겠다. 본 연구에서는 Si 기판 연삭 공정이 투명 박막 트랜지스터나 유연 전극 소재로 적용되는 산화주석 박막의 전기적 성질에 미치는 영향을 분석하였다. Si 기판의 두께가 얇아질수록 Si d-spacing은 감소하였고, Si 격자 내에 strain이 발생하였다. 또한, Si 기판의 두께가 얇아질수록 산화주석 박막 내 캐리어 농도가 감소하여 전기전도도가 감소하였다. 얇은 산화 주석 박막의 경우 전기전도도는 두꺼운 산화 주석 박막보다 낮았으며 Si 기판의 두께에 의해 크게 변하지 않았다.
주석은 땜납, 주석도금강판, 청동 합금, 투명전극용 타겟 및 화학첨가제 등에 널리 사용되고 있다. 최근 자원의 희소성 및 경제성으로 인해 주석 스크랩에 대한 재활용 기술이 연구되고 있다. 본 논문에서는 주석이 함유된 공정 스크랩, 슬러지, 도금 폐액 및 합금의 재활용 기술에 대하여 1970년부터 2013년까지 공개/등록된 한국, 미국, 중국, 일본, 유럽의 특허에 대하여 조사하였다. 특허는 키워드를 사용하여 수집하였으며, 기술의 정의에 의해 필터링 하여 연도, 국가, 출원인 및 기술에 따라 분석하였다.
Fluorine-doped tin oxide (FTO) nanoparticles have been successfully synthesized using ultrasonic spray pyrolysis. The morphologies, crystal structures, chemical bonding states, and electrochemical properties of the nanoparticles are investigated. The FTO nanoparticles show uniform morphology and size distribution in the range of 6-10 nm. The FTO nanoparticles exhibit excellent electrochemical performance with high discharge specific capacity and good cycling stability ($620mAhg^{-1}$ capacity retention up to 50 cycles), as well as excellent high-rate performance ($250mAhg^{-1}$ at $700mAg^{-1}$) compared to that of commercial $SnO_2$. The improved electrochemical performance can be explained by two main effects. First, the excellent cycling stability with high discharge capacity is attributed to the nano-sized FTO particles, which are related to the increased electrochemical active area between the electrode and electrolyte. Second, the superb high-rate performance and the excellent cycling stability are ascribed to the increased electrical conductivity, which results from the introduction of fluorine doping in $SnO_2$. This noble electrode structure can provide powerful potential anode materials for high-performance lithiumion batteries.
리튬 이차 전지의 성능은 부극으로 쓰이는 탄소재료의 표면의 미세 구조에 크게 의존한다. 본 연구에서는 이러한 표면 구조의 개질을 위해 유동상 화학증착법을 도입하여 금속 및 금속 산화물을 탄소재료 표면에 코팅하여 그 성능을 전기 화학적으로 평가하였다. 주석산화물을 코팅한 탄소 전극은 원래의 탄소 전극에 비해 용량의 상승을 나타내었으나 사이클이 진행됨에 따라 주석산화물이 코팅된 전지의 용량은 심각한 부피 변화에 의해 저하되어 사이클 수명이 감소되었다. 그러나, 부피 변화를 완화시켜주는 비활성 매트릭스 역할을 하는 구리를 주석 산화물 위에 코팅함으로 인해 부피 변화에 의한 용량 저하를 감소시킬 수 있었다.
전해코팅 법과 dip-coating 법을 이용해 산화주석(IV)을 티타늄 지지체에 코팅하여, 코팅 방법에 따른 코팅 전극의 물성과 전기화학적 특성에 대해여 연구하였다. HCl 로 전극 에칭 후, nitrate 용액에 $SnCl_2{\cdot}2H_2O$을 용해시켜 pulse technique를 이용하여 전해코팅 하였으며, dip-coating 법 또한 $SnCl_2{\cdot}2H_2O$를 사용하여 1:1V% HCl 용액에 용해시켜 코팅 소결 후 산화주석(IV)코팅 전극을 제작하였다. 두 가지 코팅 방법을 통해 제작된 산화주석(IV)코팅 전극은 전극의 물성을 비교하기 위해 x-ray diffraction (XRD), scanning election microscopy (SEM)를 관찰해보았고, 전기화학적 특성을 평가하기 위해 cyclic voltammetry (CV)를 측정하여 전위창을 비교해 보았다.
Aluminum-doped zinc oxide (AZO) films are attractive materials as transparent conductive electrode because they are inexpensive, nontoxic and abundant element compared with indium tin oxide (ITO). AZO films have been deposited on glass (corning 1737) substrates by RF magnetron sputtering system. The electrical resistivity of AZO films was $1.81{\times}10^{-2}{\Omega}cm$ and the average transmittance in the visible range 400-800 nm was more than 76% Organic light-emitting diodes (OLEDs) with AZO/TPD/$Alq_3$/Al configuration were fabricated. The current density-voltage properties of devices were studied and compared with ITO devices fabricated under the same conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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