• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권1호
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• pp.61-65
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• 2010

Threshold voltage is one of the most important factors in a device modeling. In this paper, analytical method to calculate threshold voltage for recessed channel (RC) MOSFETs is studied. If we know the fundamental parameter of device, such as radius, oxide thickness and doping concentration, threshold voltage can be obtained easily by using this model. The model predicts the threshold voltage which is the result of 2D numerical device simulation.

• 한국음향학회지
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• 제19권5호
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• pp.20-26
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• 2000

화자 확인시스템에서 화자의 장기간 음성 변동에 대처하기 위해서는 작은 양의 데이터로써 화자 확인을 위한 HMM(hidden Markov model) 파라미터 갱신과 사전 문턱치 결정이 중요한 요소이다. 본 연구에서는 화자내 변이(mea-speaker variation)에 적응하는 모델 갱신방법과 이에 따른 문턱치 적응에 관한 방법을 제안한다. 제안하는 방법은 분기간 화자내 변이로 발생할 수 있는 오인식율을 Baum-Welch re-estimation을 통해 현재 화자 모델 파라미터에 새로운 음성 데이터를 적응시킴으로써 감소시킨다. 본 논문에서 제안하는 사전 문턱치 결정 방법은 기존의 월드 모델(world model) 방법과 군중 모델(cohort model) 방법의 하이브리드 형태로써 실험적으로 결정된다. 실험에 의해 모델 갱신을 하지 않은 경우보다 제안하는 모델 갱신방법의 화자 인식율이 우수함을 확인하였다. 또한, 사후 문턱치 결정에 의한 인식율과 제안한 사전 문턱치 결정에 의한 인식율의 차이가 근소함을 확인하였다.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제35권4호
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• pp.409-417
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• 2006

This article is concerned with threshold modeling of the bifurcating autoregressive model (BAR) originally suggested by Cowan and Staudte (1986) for tree structured data of cell lineage study where each individual $(X_t)$ gives rise to two off-spring $(X_{2t},\;X_{2t+1})$ in the next generation. The triplet $(X_t,\;X_{2t},\;X_{2t+1})$ refers to mother-daughter relationship. In this paper we propose a threshold model incorporating the difference of 'fertility' of the mother for the first and second off-springs, and thereby extending BAR to threshold-BAR (TBAR, for short). We derive a sufficient condition of stationarity for the suggested TBAR model. Also various inferential methods such as least squares (LS), maximum likelihood (ML) and quasi-likelihood (QL) methods are discussed and relevant limiting distributions are obtained.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.1338-1342
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• 2011

본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 문턱전압특성에 대하여 분석하고자 한다. 특히 포아송방정식을 풀 때 전하분포를 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로 부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압을 구하였다. 문턱전압은 표면전위가 페르미전위의 두배가 될 때 게이트 전압으로 정의되므로 표면전위의 해석학적 모델을 구하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 DGMOSFET의 도핑분포 함수의 형태에 따라 문턱전압 특성을 분석하였다.

• Journal of Electrical Engineering and information Science
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• 제3권2호
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• pp.274-279
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• 1998

We investigate a Leaky Bucket(LB) scheme with a threshold in the data buffer, where leaky rate changes depending on the contents of data buffer. We use the fluid flow model for the analysis of the LB scheme with a threshold. We model the bursty input source as markov modulated fluid flow(MMFF) As performance measures we obtain loss probability and mean delay. We present some numerical results to show the effects of the level of a threshold, the rate of token generation, the size of token pool, and the size the data buffer on the performances of the LB scheme with a threshold.

• 전기학회논문지
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• 제66권3호
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• pp.581-586
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• 2017

The well-known Integral Pulse Frequency Modulation (IPFM) cardiac oscillator has been used to generate the heart beat fluctuations as a representation of the modulatory autonomic nervous activity in terms of sympathetic and parasympathetic state. The IPFM model produces heartbeats by integrating the modulated sinusoid signals and applying the threshold of unity or chaotic threshold levels. This study aims at evaluating the performance of IPFM model by analyzing the influence of the threshold level with comparatively applying preset threshold of unity and Logistic-map and Henon-map chaotic-threshold. Based on our simulated results with interpreting the spectral features of Heart Rate Variability (HRV), we can conclude that the IPFM model with preset threshold level of unity can generate the optimal heartbeat variations int the sense of clinically valid heartbeats.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권1호
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• pp.61-66
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• 2020

Threshold voltage shift occurring during operation is implemented in a SPICE simulation tool. Among the shift models the stretched-exponential function model, which is frequently observed from both single-crystal silicon and thin-film transistors regardless of the nature of causes, is selected, adapted to transient simulation, and added to BSIM4 developed by BSIM Research Group at the University of California, Berkeley. The adaptation method used in this research is to select degradation and recovery models based on the comparison between the gate and threshold voltages. The threshold voltage shift is extracted from SPICE transient simulation and shows the stretched-exponential time dependence for both degradation and recovery situations. The implementation method developed in this research is not limited to the stretched-exponential function model and BSIM model. The proposed method enables to perform transient simulation with threshold voltage shift in situ and will help to verify the reliability of a circuit.

• 대한전기학회논문지:전력기술부문A
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• 제50권9호
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• pp.399-399
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• 2001

This paper proposes TAR(Threshold Autoregressive) model for short-term load forecasting including temperature variable. In the scatter diagram of daily peak load versus daily high or low temperature, we can find out that the load-temperature relationship has a negative slope in the lower regime and a positive slope in the upper regime due to the heating and cooling load, respectively. TAR model is adequate for analyzing these phenomena since TAR model is a piecewise linear autoregressive model. In this paper, we estimated and forecasted one day-ahead daily peak load by applying TAR model using this load-temperature characteristic in these regimes. The results are compared with those of linear and quadratic regression models.

• 대한전기학회논문지:전력기술부문A
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• 제50권9호
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• pp.309-405
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• 2001

This paper proposes TAR(Threshold Autoregressive) model for short-term load forecasting including temperature variable. In the scatter diagram of daily peak load versus daily high or low temperature, we can find out that the load-temperature relationship has a negative slope in the lower regime and a positive slope in the upper regime due to the heating and cooling load, respectively. TAR model is adequate for analyzing these phenomena since TAR model is a piecewise linear autoregressive model. In this paper, we estimated and forecasted one day-ahead daily peak load by applying TAR model using this load-temperature characteristic in these regimes. The results are compared with those of linear and quadratic regression models.

• 응용통계연구
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• 제27권6호
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• pp.1049-1068
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• 2014

자기회귀 모형(autoregressive model)은 일변량(univaraite) 시계열자료의 분석에서 널리 사용되는 방법 중 하나이다. 그러나 이 방법은 자료에 일정한 추세가 있다고 가정하기 때문에 자료에 분절(structural break)이 존재할 때 적절하지 않을 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 국면전환(regime-switching) 모형인 임계자기회귀 모형(threshold autoregressive model)이 제안되었는데 최근 지연 모수(delay parameter)을 포함한 이 국면전환(two regime-switching) 모형으로 확장되어 많은 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 이 국면전환 임계자기회귀 모형을 베이지안(Bayesian) 관점에서 살펴본다. 베이지안 분석을 위해 모수적 임계자기 회귀 모형 뿐만 아니라 디리슐레 과정(Dirichlet Process) 사전분포를 이용하는 비모수적 임계자기 회귀 모형을 고려하도록 한다. 두 가지 베이지안 임계자기 회귀 모형을 바탕으로 사후분포를 유도하고 마코프 체인 몬테 카를로(Markov chain Monte Carlo) 방법을 통해 사후추론을 실시한다. 모형 간의 성능을 비교하기 위해 모의실험을 통한 자료 분석을 고려하고, 더 나아가 한국과 미국의 국내 총생산(Gross Domestic Product)에 대한 실증적 자료 분석을 실시한다.