• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.389-392
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• 2009

Metal oxides have been proposed as an alternative channel material to hydrogenated amorphous silicon in thin film transistors (TFTs) because their higher mobility and stability make them suitable for transistor active layers. Thin films of indium zinc oxide (IZO) were deposited using a High Target Utilization Sputtering (HiTUS) system on various dielectrics, some of which were also deposited with the HiTUS. Investigations into bottom-gated IZO TFTs have found mobilities of 8 $cm^2V\;^1s^{-1}$ and switching ratios of $10^6$. There is a variation in the threshold voltage dependent on both oxygen concentration, and dielectric choice. Silica, alumina and silicon nitride produced stable TFTs, whilst hafnia was found to break down as a result of the IZO.

• Macromolecular Research
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• 제12권1호
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• pp.53-62
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• 2004

We have prepared polymer composites of low-density polyethylene (LDPE) and ionomers (Surlyn 8940) containing polar segments and metal ions by melt blending with carbon black (CB) as a conductive filler. The resistivity and positive temperature coefficient (PTC) of the ionomer/LDPE/CB composites were investigated with respect to the CB content. The ionomer content has an effect on the resistivity and percolation threshold of the polymer composites; the percolation curve exhibits a plateau at low CB content. The PTC intensity of the crosslinked ionomer/LDPE/CB composite decreased slightly at low ionomer content, and increased significantly above a critical concentration of the ionomer. Irradiation-induced crosslinking could increase the PTC intensity and decrease the NTC effect of the polymer composites. The minimum switching current (Ι$\sub$trip/) of the polymer composites decreased with temperature; the ratio of Ι$\sub$trip/ for the ionomer/LDPE/CB composite decreased to a greater extent than that of the LDPE/CB composite. The average temperature coefficient of resistance (${\alpha}$$\sub$T/) for the polymer composites increased in the low-temperature region.

• 한국통신학회논문지
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• 제31권11A호
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• pp.1138-1146
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• 2006

센서 네트워크에서는 배터리 용량이 중요한 문제이다. 기존 MAC 프로토콜에서는 배터리 수명을 연장시키기 위하여 sleep 모드와 active 모드가 주기적으로 전환되는 S-MAC 프로토콜과 가변적인 active 시간을 사용하는 T-MAC 프로토콜이 제안되었다. 본 논문에서는 S-MAC 프로토콜과 T-MAC 프로토콜보다 에너지 소비 효율성이 뛰어난 IS-MAC (Improved Sensor MAC) 프로토콜을 제안한다. IS-MAC 프로토콜은 센서 네트워크의 에너지 효율성을 높이기 위하여 버퍼의 임계 값을 사용하여 데이터를 전송하며 에너지 낭비의 원인인 제어 패킷 수를 줄이는 방안을 제안하였다. 또한 제안한 알고리즘에 대한 수학적 분석을 통하여 IS-MAC이 기존의 센서 MAC 프로토콜보다 에너지와 데이터 전송 시간 면에서 더 효율적임을 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권6호
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• pp.448-453
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• 2019

This work reports the electrical characteristics of and temperature distribution in chalcogenide phase change memory (PCM) devices that have a self-aligned structure. GST (Ge-Sb-Te) chalcogenide alloy films were formed in a self-aligned manner by interdiffusion between sputter-deposited Ge and $Sb_2Te_3$ films during thermal annealing. A transmission electron microscopy-energy dispersive X-ray spectroscopy (TEM-EDS) analysis demonstrated that the local composition of the GST alloy differed significantly and that a $Ge_2Sb_2Te_5$ intermediate layer was formed near the $Ge/Sb_2Te_3$ interface. The programming current and threshold switching voltage of the PCM device were much smaller than those of a control device; this implies that a phase transition occurred only in the $Ge_2Sb_2Te_5$ intermediate layer and not in the entire thickness of the GST alloy. It was confirmed by computer simulation, that the localized phase transition and heat loss suppression of the GST alloy promoted a temperature rise in the PCM device.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제17권6호
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• pp.1674-1688
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• 2023

The remarkable advancement of quantum steganography offers enhanced security for quantum communications. However, there is a significant concern regarding the potential misuse of this technology. Moreover, the current research on identifying malicious quantum steganography is insufficient. To address this gap in steganalysis research, this paper proposes a specialized quantum steganalysis algorithm. This algorithm utilizes quantum machine learning techniques to detect steganography in general quantum secure communication schemes that are based on pure states. The algorithm presented in this paper consists of two main steps: data preprocessing and automatic discrimination. The data preprocessing step involves extracting and amplifying abnormal signals, followed by the automatic detection of suspicious quantum carriers through training on steganographic and non-steganographic data. The numerical results demonstrate that a larger disparity between the probability distributions of steganographic and non-steganographic data leads to a higher steganographic detection indicator, making the presence of steganography easier to detect. By selecting an appropriate threshold value, the steganography detection rate can exceed 90%.

• 마케팅과학연구
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• 제18권2호
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• pp.223-252
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• 2008

본 연구에서 우리는 시장 자료가 부족한 상황에서 개인레벨과 총량레벨 모두에서 신상품들과 기존 상품들 간의 동태적 대체, 경쟁을 예측하는데 적합하도록 전환비용 요소가 포함된 신 구상품간 대체 경쟁 예측 선택기반 확산 모형을 제안하고자 한다. 추가적으로, 우리는 제안된 모형을 디지털 케이블 TV, IPTV 등이 포함된 신규 유료 양방향 방송서비스들과 기존의 아날로그 케이블 TV가 대표하는 구 유료 방송 서비스간에 벌어지는 대체 및 경쟁 예측 사례에 적용하여 본 모형의 의의를 밝히며, 또한 관련된 실증적 시사점을 도출하고자 한다. 실증 적용 결과, 유료 방송서비스 시장에 있어선 기존 상품과 전환 비용을 고려하지 않고 신상품 수요 예측을 하는 경우, 초기 확산 속도를 과대 추정하거나 왜곡된 예측 경향이 존재하여, 보다 현실적이고 보수적인 신상품 수요 예측을 위해 이들의 반영이 필요함을 밝혀, 본 연구에서 제안된 모형의 의의를 확인할 수 있었다. 또한, 제안된 모형이 S자 곡선을 미리 가정하기보다, 실증 대상의 속성이 소비자의 상태전환에 미치는 영향의 정도에 따라 유연한 형태의 총량시장 성장 곡선을 도출함을 확인하였다. 실증적으로는 여러 가격 조합에 대해 IPTV가 디지털 케이블 TV에 비해 더 선호되어 가입자 확보 면에서 우위에 있을 것임을 확인할 수 있었다. 한편, 기존 상품인 아날로그케이블 TV의 경우 열위의 서비스 속성에도 불구하고, 가격에서의 우위와 높은 전환비용의 존재로 인해 급격한 대체보다 점진적인 대체가 이루어질 가능성이 큼을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.785-792
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• 2012

본 연구에서는 고속 및 저전력 스위칭 소자 응용을 위하여 n-채널 무접합 및 반전모드 MuGFET 와 p-채널 무접합 및 축적모드 MuGFET의 기판전압에 따른 전류-전압 특성을 측정하고 비교 분석하였다. 기판전압에 따른 문턱전압과 포화 드레인 전류 변화로부터 n-채널 소자에서는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 변화량이 크며 p-채널 소자에서는 무접합 소자가 축적모드 소자보다 변화량이 큰 것을 알 수 있었다. 전달컨덕턴스 변화는 n-채널 소자보다 p-채널 소자의 변화량이 큰 것을 알 수 있었다. 그리고 subthreshold swing 특성으로부터 n-채널 소자와 p-채널 무접합 소자는 기판전압 변화에 따라 S값의 변화가 거의 없지만 p-채널 축적모드 소자는 기판전압이 양의 방향으로 증가할 때 S 값이 증가하는 것으로 관측되었다. 기판전압을 이용한 고속 및 저전력 스위칭 소자 응용 측면에서는 n-채널 소자에서는 반전모드 소자가 p-채널 소자에서는 무접합 소자가 더 좋은 특성을 보였다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권5호
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• pp.69-76
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• 2016

MCT (MOS Controlled Thyristor)의 전류 구동능력은 도통상태의 MCT를 턴-오프 시킬 수 있는 능력, 즉 off-FET의 성능에 의해 결정되고, MCT의 주된 응용분야인 펄스파워 분야에서는 턴-온 시의 피크전류($I_{peak}$)와 전류상승기울기(di/dt) 특성이 매우 중요하다. 이러한 요구사항을 만족시키기 위해서는 MCT의 on/off-FET 성능 조절이 중요하지만, 깊은 접합의 P-웰과 N-웰을 형성하기 위한 삼중 확산공정과 다수의 산화막 성장공정은 이온주입 불순물의 표면농도를 변화시키고 on/off-FET의 문턱전압($V_{th}$) 조절을 어렵게 한다. 본 논문에서는 on/off-FET의 $V_{th}$를 개선하기 위한 채널영역 문턱전압 이온주입에 대하여 시뮬레이션을 진행하고 이를 토대로 제작한 MCT의 전기적 특성을 비교 평가하였다. 그 결과 문턱전압 이온주입을 진행한 MCT의 경우(활성영역=$0.465mm^2$) $100A/cm^2$ 전류밀도에서의 전압손실($V_F$)은 1.25V, 800V의 어노드 전압에서 $I_{peak}$ 및 di/dt는 290A와 $5.8kA/{\mu}s$로 문턱전압 이온주입을 진행하지 않은 경우와 유사한 특성을 나타낸 반면, $100A/cm^2$의 구동전류에 대한 턴-오프 게이트전압은 -3.5V에서 -1.6V로 감소하여 MCT의 전류 구동능력을 향상시킴을 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권8A호
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• pp.1160-1168
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• 2000

본 논문은 ATM 네트워크에서 예측하기 힘든 트래픽 특성을 갖는 VBR 및 ABR 서비스를 효과적으로 관리하여 서비스 품빌을 지원할 수 있는 실시간 통합트랙픽 관리(RITM : real-time integrated traffic management) 기법을 제안한다. RITM 기법은 독특한 ATM 셀 제어 블록을 운용하여 버스트 특성을 갖는 트래픽을 실시간으로감시하여 셀 도착 율의측정 시 소요되는 지연 시간을 최소화하고 기존의 연결들의 서비스 품질에 영향을 미치지않도록 여분의 네트워크 자원을 동적으로 재 할당하도록 한다 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 제안한 RITM 기법이 입력 트래픽을 정확히 감시하고 네트워크 자원을 효율적으로 관리함을 보였으며 이는 주어진 네트워크 상황에서 수용가능한 최적의 사용자 연결수를 결정할수 있음을 증명한다 마지막으로 이 연결 값이 가격 대비 성능을 최대화할 수 있는 버퍼 설계 및 네트워크 혼잡 상태를 방지하는 임계치로 사용될 수 있음을 보였다.

• 한국항공우주학회지
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• 제41권1호
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• pp.79-84
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• 2013

DC/DC 컨버터는 임의의 직류전원을 부하가 요구하는 형태의 직류전원으로 변환시키는 효율이 높은 전력변환기이다. DC/DC 컨버터는 PWM-IC(펄스폭 변조 집적회로) 제어기, MOSFET(산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터), 인덕터, 콘덴서 등으로 구성되어있다. 코발트 60 ($^{60}Co$) 저준위 감마발생기를 이용한 TID실험에서 방사선의 영향으로 PWM-IC의 전기적 특성중에 문턱전압과 옵셋전압이 증가되고, SEL에 적용된 4종류의 중이온 입자는 PWM-IC의 파형을 불안정하게 만든다. 또한, 입/출력관계의 파형을 SPICE 시뮬레이션 프로그램으로 관찰하였다. PWM-IC의 TID 실험은 30 Krad 까지 수행하였으며, SEL 실험을 제어보드를 구현한 후 LET($MeV/mg/cm^2$)별 cross section($cm^2$)으로 연구하였다.