Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.32
no.3
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pp.307-311
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1999
The well-crystalline hydroxyapatite($Ca_{10}(PO_4)_6(OH)_2$ ; HAp) layer having a biocompatibility was successfully coated onto titanium substrate using a radio-frequency magnetron sputtering, and effects of sputtering gas and the thickness of HAp film on a crystal growth of the HAp layers were investigated. The deposition rate of the layer sputtered with water-vapour gas was slower than that of the layer sputtered with argon gas. The results of X-ray diffraction demonstrated that the about $0.8\mu\textrm{m}$ thick HAp film under water-vapour gas was an amorphous phase, the about $1.2\mu\textrm{m}$ thick film was (100) plane-oriented HAp, and the about $1.5\mu\textrm{m}$ thick film was (001)plane-oriented HAp. FT-IR analysis proved that hydroxyl group of the layer sputtered with argon gas was defected, but that of the layer sputtered with water-vapour gas was not defected. From these results, it was favorable to use water-vapour gas on the HAp coatings onto metal surface.
Kim, Hyung-Jong;Chung, Yong-Sun;Joo, Kyoung;Auh, Keun-Ho
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.1
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pp.50-54
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1999
Plasma display panel is a potential candidate for HDTV, due to the fact that the screen size can easily be increased by a thick film technology. In this study, transparent dielectric materials which satisfied the requirements of dielectrics for PDP was developed using lead alumina borosilicate glasses. The Paste which had thixotropic behavior suitable for screen printing was made of this glass composition. the paste became more thixotropic as the particle size decreased. After firing, the cross sectional area of the thick film was analyzed by SEM. The voids in the thick film were removed using bimodal particle system. The dielectric thick film showed good adhesion characteristics.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2001.04a
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pp.57-65
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2001
Economical consumption of energy, longer life of lamps, higher lighting comfort and new aesthetic of illumination is subject of numerous research and development works. The halogen lamps are an example of positive solution some of above mentioned problems. The electronic transformers are more frequent used for their supply. In comparison with conventional transformers they have less weight, less volume and 60% less power tosses. Their advantages are particular visible, when the hybrid technique is applied. The paper presents the results of engineering research and development works carried out ill Private Institute of Electronic Engineering, in R. & D. Center for Hybrid Microelectronics and Resistors and in Technical School of Communications in Krakow, in the field of the design and exploitation tests of hybrid converters 220V AC /12V DC (electronic transformers) and electronic ballasts destined for the supply of halogen lamps 20W to 150W and fluorescent lamps respectively. To perform the converters, thick film technology and surface mount technology were used. For the protection of converter electronic circuit the thick film temperature sensor and transistors were applied. Moreover the paper presents the base application circuits of elaborated converters, their technical parameters and exploitation results. The development perspectives of hybrid domain of hybrid circuits are also discussed.
Microfluidic device can be applied in a wide range of chemical and biological technology. In this paper, ceramic-based T-type passive mixers for microfluidic applications were fabricated by LTCC process combined with thick film photolithography. The base ceramic material in thick film was amorphous cordierite $((Mg,Ca)_2Al_4Si_5O_{18})$ and photoimageable polymers were added to give a photosensitivity. Two types of passive mixer, which showed the channel width of 1.0 mm and $200{\mu}m$, respectively, were designed considering mixing efficiency in the channel and their microfluidic properties were discussed in detail.
$SnO_{2}$-based thick film ethanol gas sensors were fabricated on alumina substrates and their ethanol gas sensing characteristics were investigated. The film sintered at $400^{\circ}C$ for 2 hrs. showed the highest sensitivity to ethanol gas and the sensitivity of the film to 1000 ppm ethanol gas in air was 97 % at an operating temperature of $250^{\circ}C$. The addition of $Fe_{2}O_{3}$ to $SnO_{2}$ enhanced the sensitivity by changing the type and number of surface acidic/basic sites.
Lead zirconate titanate (PZT) thick films with thicknesses of ㎛ were fabricated on silicon substrates using an aerosol deposition method. A PZT powder solution was prepared using a sol-gel process. The average diameters (d50) obtained were 1.67, 1.98, and 2.40μm when the pyrolysis temperatures were 300℃, 350℃, and 450℃ respectively. The as-deposited film had a uniform microstructure without any cracks or pores. The as-deposited films on silicon were annealed at a temperature of 700℃. The 20-㎛-thick PZT film showed good adherence between the PZT film and substrate, with no tearing observed in the conventional solid phase process. This was probably because the presence of pores produced from organic residue during annealing relieved the residual stresses in the deposited film.
Lead zirconate titanate (PZT) thick films with a thickness of $10-20{\mu}m$ were fabricated on silicone substrates using an aerosol deposition method. The starting powder, which had diameters of $1-2{\mu}m$, was observed using SEM. The average diameter ($d_{50}$) was $1.1{\mu}m$. An XRD analysis showed a typical perovskite structure, a mixture of the tetragonal phase and rhombohedral phase. The as-deposited film with nano-sized grains had a fairly dense microstructure without any cracks. The deposited film showed a mixture of an amorphous phase and a very fine crystalline phase by diffraction pattern analysis using TEM. The as-deposited films on silicon were annealed at a temperature of $700^{\circ}C$. A 20-${\mu}m$ thick PZT film was torn out as a result of the high compressive stress between the PZT film and substrate.
Line width under $100\;{\mu}m$ with good resolution is difficult to achieve using conventional thick-film process utilizing screen printing method. However combined with lithography technology finer line and space for miniaturization and highly integrated package is achievable. In this study, photosensitive Ag paste of optimum formulation used for thick film lithography technology was fabricated by various Ag powder, glass powder and additives. As the result, line width of $30\;{\mu}m$ with good definition and reduced mismatch during co-firing with LTCC substrate was acquired. Formulated Ag paste was used to pattern embedded fine line inductor with over 90% yield.
Kim, Min-Sik;Kim, Hyeong-Jun;Kim, Hyung-Tae;Kim, Dong-Jin;Kim, Young-Do;Ryu, Sung-Soo
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.47
no.5
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pp.467-473
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2010
The objective of this study is to prepare lead-free thick film resistor (TFR) paste compatible with AlN substrate for hybrid microelectronics. For this purpose, CaO-ZnO-$B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ glass system was chosen as a sintering aid of $RuO_2$. The effects of the weight ratio of CaO to ZnO in glass composition, the glass content and the sintering temperature on the electrical properties of TFR were investigated. $RuO_2$ as a conductive and glass powder were dispersed in an organic binder to obtain printable paste and then thick-film was formed by screen printing, followed by sintering at the range between $750^{\circ}C$ and $900^{\circ}C$ for 10 min with a heating rate of $50^{\circ}C$/min in an ambient atmosphere. The addition of ZnO to glass composition and sintering at higher temperature resulted in increasing sheet resistance and decreasing temperature coefficient of resistance. Using $RuO_2$-based resistor paste containing 40 wt%glass of CaO-20.5%ZnO-25%$B_2O_3$-7%$Al_2O_3$-15%$SiO_2$ composition, it is possible to produce thick film resistor on AlN substrate with sheet resistance of $10.6\Omega/\spuare$ and the temperature coefficient of resistance of 702ppm/$^{\circ}C$ after sintering at $850^{\circ}C$.
Highly sensitive thick film ethanol gas sensors based on a nanocrystalline $In_{2}O_{3}$ were fabricated by painting method on alumina substrates. The crystal structure of the $In_{2}O_{3}$ powder was characterised by XRD analysis. The microstructure of the films were characterised using FE-SEM. The experimental results of the ethanol gas sensing characteristics indicated that the undoped $In_{2}O_{3}$ thick film has a high sensitivity. The sensitivity of the film heat treated at $400^{\circ}C$ for 2 hrs. was as high as 32.73 at an operating temperature of $200^{\circ}C$ to 1000 ppm ethanol gas in air.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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