o-phenylene diamines, dehydroacetic acid (DHA) 및 p-chloro benzaldehyde에서 유도된 세자리 Schiff 염기 리간드인 4-hydroxy-3(1-{2-(benzylideneamino)-phenylimino}-ethyl)-6-methyl-2H-pyran-2-one (HL)의 Cu(II), Ni(II), Co(II), Mn(II) 및 Fe(III) 착물의 형성상수와 항미생물 활성과의 관계를 연구하였다.리간드와 착물은 원소분석, 전도도, 자기수자율, 열분석, X-선 회절, IR, $^1H$-NMR, UV-vis 및 질량 스펙트럼으로 특성조사를 하였다. 분석데이터로부터 착물들의 화학량론비가 1:2 (금속:리간드)임을 알았다. 금속 착물들의 몰 전도도 값은 이들의 비전해질 성질을 의미한다. X-선 회절 데이터에서 Ni(II) 착물은 단사정계 그리고 Cu(II) 및 Co(II) 착물은 삼사정계 결정계임을 규명하였다. IR 스펙트럼 데이터로부터 리간드는 중심금속에 대해 ONN 주개원자 배열의 세자리 리간드로 행동함을 알았다. 열적 행동 (TG/DTA)과 Coats-Redfern 법에 의해 계산한 반응속도 파라메터는 착물형성 과정에서 좀 더 질서 있는 활성화 상태를 제안하고 있다. 착물의 양성자화 상수를 THF:물 (60:40) 용액, $25^{\circ}C$ 및 이온세기 ${\mu}=0.1\;M$ ($NaClO_4$)에서 전위차법으로 측정하였다. Staphylococcus aureu 및 Escherichia coli.에 대한 항박테리아 활성을 시험관에서 조사하였다. 또한 Aspergillus Niger 및 Trichoderma에 대한 항세균 활성도 조사하였다. 금속 이온 및 착물의 안정도가 항미생물학적 활성에 미치는 영향을 고찰하였다.
Refat, Moamen S.;Megahed, Adel S.;El-Deen, Ibrahim M.;Grabchev, Ivo;El-Ghol, Samir
대한화학회지
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제55권1호
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pp.28-37
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2011
본 연구에서는 Benzanthrone 치환체인 3-N-2-hydroxy ethylamine benzanthrone (HEAB)와 3-N-2-amino ethylamine benzanthrone (AEAB)의 Cu(II), Co(II) 및 Ni(II) 염화물 착물에 대한 분광학 (IR, UV-vis 및 $^1H$-NMR), 원소분석, 몰전도도, 열무게분석 (TGA/DTG) 및 생물학적 특성에 대해 고찰하였다. 이 연구의 결과에서 HEAB리간드가 히드록소 및 아미노기를 통하여 각 금속에 배위되어 [Cu(HEAB)$(Cl)_2$].$2H_2O$, [Co(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$8H_2O$ 및 [Ni(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$7H_2O$ 착물을 형성함을 알았다. 한편, AEAB는 [Cu(HEAB)$(Cl)_2$].$2H_2O$, [Co(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$8H_2O$ 및 [Ni(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$7H_2O$의 분자식을 갖는 팔면체 배위구조를 갖는다. $25^{\circ}C$ DMF에서 모든 착물의 몰전기전도도는 반응안한 리간드보다 약간 컸는데, 이는 염화 이온이 배위권 내부에 존재함을 의미한다. Benzanthrone계 리간드와 이들 착물을 이용하여 서로 다른 종류의 박테리아에 대한 생물활성을 조사하였다.
N'-(2-hydroxybenzyl)-2-(phenylamino)acetohydrazide ($H_2L^1$, 1) 및 N'-((3-hydroxy-naphthalen-2-yl)methylene)-2-(phenylamino)acetohydrazide ($H_2L^2$, 13)에 대한 VO(II), ZrO(II), Hf(IV), $UO_2$(II), Sn(II), V(V)$O_3$, Ru(III), Cd(II), Ho(III) 및 Yb(III) 착물을 합성하여 원소분석, $^1H$ NMR, IR, UV-Vis, 전기전도도 및 열분석 (DTA 및 TG)을 통해 특성을 조사하였다. 이들 리간드는 분광학적 결과에 의하면 중성 이배위, 일염기성 이배위, 일열기성 삼배위 또는 이염기성 삼배위 리간드로 행동한다. 그 결과 azomethine 질소원자, 양성자화 되어있거나 또는 탈양성자화 된 형태의 페놀 하이드록시 그룹 그리고 에놀 또는 케톤형 카드보닐 그룹을 통해 금속이온에 결합한다. 이들 리간드와 그 금속 착물들은 모체 리간드 및 금속이온 용액에 비해 높은 항균 및 항박테리아 저해효과를 보인다. 대부분의 금속 착물은 표준 항균성 시약 (amphotricene B) 보다 더 높은 항균 활동성을 보인다. 또한 이들 리간드와 착물은 항박테리아 활성도보다는 항균활성도에서 더 높은 수치를 보인다.
To get high efficiency n-type crystalline silicon solar cells, passivation is one of the key factor. Tunnel oxide (SiO2) reduce surface recombination as a passivation layer and it does not constrict the majority carrier flow. In this work, the passivation quality enhanced by different chemical solution such as HNO3, H2SO4:H2O2 and DI-water to make thin tunnel oxide layer on n-type crystalline silicon wafer and changes of characteristics by subsequent annealing process and firing process after phosphorus doped amorphous silicon (a-Si:H) deposition. The tunneling of carrier through oxide layer is checked through I-V measurement when the voltage is from -1 V to 1 V and interface state density also be calculated about $1{\times}1012cm-2eV-1$ using MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) structure . Tunnel oxide produced by 68 wt% HNO3 for 5 min on $100^{\circ}C$, H2SO4:H2O2 for 5 min on $100^{\circ}C$ and DI-water for 60 min on $95^{\circ}C$. The oxide layer is measured thickness about 1.4~2.2 nm by spectral ellipsometry (SE) and properties as passivation layer by QSSPC (Quasi-Steady-state Photo Conductance). Tunnel oxide layer is capped with phosphorus doped amorphous silicon on both sides and additional annealing process improve lifetime from $3.25{\mu}s$ to $397{\mu}s$ and implied Voc from 544 mV to 690 mV after P-doped a-Si deposition, respectively. It will be expected that amorphous silicon is changed to poly silicon phase. Furthermore, lifetime and implied Voc were recovered by forming gas annealing (FGA) after firing process from $192{\mu}s$ to $786{\mu}s$. It is shown that the tunnel oxide layer is thermally stable.
본 논문에서는 고해상도와 높은 신호처리속도, 저전력 및 소면적을 동시에 요구하는 Software Defined Radio (SDR) 시스템 응용을 위한 14비트 150MS/s 0.13um CMOS ADC를 제안한다. 제안하는 ADC는 고해상도를 얻기 위한 특별한 보정 기법을 사용하지 않는 4단 파이프라인 구조로 설계하였고, 각 단의 샘플링 커패시턴스와 증폭기의 입력 트랜스컨덕턴스에 각각 최적화된 스케일링 계수를 적용하여 요구되는 열잡음 성능 및 속도를 만족하는 동시에 소모되는 전력을 최소화하였다. 또한, 소자 부정합에 의한 영향을 줄이면서 14비트 이상의 해상도를 얻기 위해 MDAC의 커패시터 열에는 인접신호에 덜 민감한 3차원 완전 대칭 구조의 레이아웃 기법을 제안하였으며, 온도 및 전원 전압에 독립적인 기준 전류 및 전압 발생기를 온-칩 RC 필터와 함께 칩 내부에 집적하고 칩 외부에 C 필터를 추가로 사용하여 스위칭 잡음에 의한 영향을 최소화하였고, 선택적으로 다른 크기의 기준 전압 값을 외부에서 인가할 수 있도록 하였다. 제안하는 시제품 ADC는 0.13um 1P8M CMOS 공정으로 제작되었으며, 측정된 DNL 및 INL은 14비트 해상도에서 각각 최대 0.81LSB, 2.83LSB의 수준을 보이며, 동적 성능은 120MS/s와 150MS/s의 동작 속도에서 각각 최대 64dB, 61dB의 SNDR과 71dB, 70dB의 SFDR을 보여준다. 시제품 ADC의 칩 면적은 $2.0mm^2$ 이며 전력 소모는 1.2V 전원 전압에서 140mW이다.
본 연구는 조조가온기간이 시설오이의 생육과 수량 및 난방부하에 미치는 영향을 구명하고자, 일출전에 난방온도를 올려서 $12^{\circ}C$에서 $16^{\circ}C$로 올려서 가온하는 기간을 2시간, 1시간 및 0시간을 비교하였다. 보온커텐을 열기 직전$(08:50\~09:00)$의 엽온은 조조가온을 하지 않는 것에 비해 1시간 가온이 $3.3^{\circ}C$, 2시간 가온이 $4.1^{\circ}C$각각 높았다. 오이 잎의 광합성, 기공전도도 및 증산량은 2시간 조조가온이 가장 좋았으나 1시간 가온과의 차이가 근소하였고 조조가온을 하지 않은 것은 현저히 감소하였다. 오이 잎의 무기성분함량은 유의적 차이는 없었으나 2시간, 1시간, 0시간 순으로 높은 경향이었다. 정식 이후의 초기생육은 1시간과 2시간 가온이 비슷하게 빨랐으나 조조가온을 하지 않는 것은 현저히 저조하였다. 과실 수량은 조조가온을 하지 않는 것에 비해 1시간 가온이 $11\%$, 2시간 가온이 $15\%$ 각각 증가되었다. 연료소모량은 조조가온하지 않는 것에 비해 1시간 가온이 $12\%$, 2시간 가온이 $22\%$ 각각 많았다. 생산물의 증수량과 연료소모량을 감안할 때 조조 가온하지 않는 것에 비해 가온한 것이 경영상 유리하였다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제39권3호
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pp.223-229
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2015
표면개질이란 재료 본연의 특성만으로 원하는 성능과 기능을 발휘할 수 없는 때 기재 표면에 열에너지, 응력 등을 부가하여 새로운 표면층을 형성하는 방법으로, 소지금속의 방청, 외관미화, 내마모성, 전기절연, 전기전도성 부여 등의 폭넓은 목적을 달성시키고자 하는 일련의 조작을 말한다. 이러한 표면개질에는 도금, 화성처리, 도장, 라이닝, 코팅, 표면 경화 등이 있다. 그 중 전해액을 이용한 표면개질은 오래전부터 공업적으로 활용하기 위한 연구가 많이 이루어져 왔으며, 원가절감과 높은 생산성, 그리고 복잡한 형상에 대한 적용이 가능해 여러 분야에서 각광받고 있다. 따라서 본 연구에서는 5083-O 알루미늄 합금을 이용해 해양환경에서 우수한 내식성을 보유할 수 있는 최적의 표면개질 전해액 온도를 선정하고자 전기화학 실험을 실시하였다. 실험 결과, 표면개질을 실시한 경우가 현저히 낮은 부식전류밀도를 나타냈으며, 특히 불완전 기공이 생성된 $5^{\circ}C$를 제외하고 전해액 온도가 증가함에 따라 감소하는 결과를 나타냈다.
4[N-(furfural)amino]antipyrine semicarbazone(FFAAPS)와 질산 란탄(III)이 형성하는 배위화합물의 입체화학에 미치는 ${\alpha}$-, ${\beta}$- 및 ${\gamma}$-picolines의 영향을 연구하였다. 이들 배위화합물의 일반적 조성은 [Ln(FFAAPS)$(NO_3)_3$Pic] (Ln=La, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy 또는 Ho 및 Pic=${\alpha}$-, ${\beta}$- or ${\gamma}$-picolines)이다. 모든 배위화합물은 원소분석, 분자량, 몰전기전도도, 자기수자율, 적외선 및 자외선 스펙트럼으로 특성을 조사하였다. 적외선 연구결과 FFAAPS는 N, N, O 주개를 갖는 중성 삼배위 리간드로 행동하는 반면, ${\alpha}$-, ${\beta}$- 또는 ${\gamma}$-picoline는 헤테로 N-원자를 통하여 란탄(III) 이온에 배위된다. 질산 음이온은 이들 화합물에서 이배위로 결합한다. 자외선 스펙트럼 결과로부터 전자구름 퍼짐 효과(${\beta}$), covalence factor($b^{1/2}$), Sinha parameter (${\delta}%$) 및 covalence angular overlap parameter(${\eta}$)를 계산하였다. 이들 착물의 열적성질을 열무게 분석법에 의해 연구하였다. 본 화합물에 있어서 란탄(III)의 배위수는 10으로 조사되었다. 기본 리간드인 FFAAPS와 착물의 항박테리아 선별조사 결과, 이들 착물은 중간 정도의 항박테리아 활성을 보였다.
많은 연구에서 정서 특정적 생리 반응을 밝히기 위하여 심박률, 혈류량, 피부전도 반응 등의 지표를 사용하였으나, 안면온도를 이용한 정서 연구는 많지 않다. 본 연구는 적외선 열화상을 통해 공포 및 기쁨 자극에 대한 안면온도 변화를 관찰하고자 한다. 98명의 대학생과 중고생을 대상으로 공포 또는 기쁨을 유발하는 자극을 제시하기 전과 후의 안면온도를 측정하였다. 온도값은 이마, 눈앞, 콧등, 코끝, 그리고 뺨에서 추출하였다. 공포자극을 제시한 조건에서는 콧등과 코끝의 온도가 유의하게 낮아졌다. 기쁨 자극을 제시한 조건에서는 이마, 눈앞의 온도 상승이 유의하였으며, 코끝에서 온도가 유의하게 낮아졌다. 두 조건에서 코의 온도가 유의하게 낮아졌는데, 이는 공포 또는 기쁨을 경험할 때 각성수준이 증가하여 코 혈관의 혈류량이 감소함으로써 온도가 낮아진 것으로 볼 수 있다. 공포나 기쁨을 경험할 때 나타나는 온도 변화는 정서를 경험할 때 손가락온도를 측정한 선행 연구결과와 일치한다. 이런 연구결과는 정서 측정기법의 개발과, 인간의 정서를 탐지하는 컴퓨터 시스템의 기초를 확립하는데 기여하는 바가 있을 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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