• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.80-80
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• 2009

Recently, multiferroics have attracted much attention due to their numorous potentials. In this work, we attemped to utilize the multiferroics as an alternative material for ferroelectrics. Ferroelectric materials have been stadied to ferroelectric random access memories, however, some inevitable problems prevent it from inplementation. multiferroics shows a ferroelectricity and has low process temperature $BiFeO_3$(BFO) films have good ferroelectric properties but poor leakage characterization. Thus we tried, in this work, to adopt $HfO_2$ insulating layer for metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFMIS) structure to surpress to leakage current. $BiFeO_3$(BFO) thin films were fabricared by using a sol-gel method on $HfO_2/Si$ structure. Ferroelectric BFO films on a p-type Si(100)wafer with a $HfO_2$ buffer layer have been fabricated to form a metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) structure. The $HfO_2$ insulator were deposited by using a sol-gel method. Then, they were carried out a rapid thermal annealing(RTA) furnace at $750\;^{\circ}C$ for 10 min in $N_2$. BFO films on the $HfO_2/Si$ structures were deposited by sol-gel method and they were crystallized rapid thermal annealing in $N_2$ atomsphere at $550\;^{\circ}C$ for 5 min. They were characterized by atomic force microscopy(AFM) and Capacitance-voltage(C-V) curve.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.182-182
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• 2014

Multiferroic materials have attracted much attention due to their own fascinating fundamental physical properties and potential technological applications to magnetic/ferroelectric data storage systems, quantum electromagnets, spintronics, and sensor devices. Among single-phase multiferroic materials, $BiFeO_3$, in particular, has received considerable attention because the enhanced ferromagnetism was found by the Fe-site ion substitution with magnetic ions. The structural, the magnetic and the ferroelectric properties of polycrystalline $BiFe_{1-x}Ni_xO_3$ (x=0, 0.01, 0.02, 0.03 and 0.05), which were prepared by the solid-state reaction and the rapid-sintering method, have been investigated. The x-ray diffraction patterns reveal that all the samples are in single phase and show rhombohedral structure with R3c space group. The magnetic properties are enhanced according to the doping content. The Ni-doped $BiFeO_3$ samples exhibit lossy P-E loop due to the oxygen vacancy. The leakage current density of Ni-doped samples (x=0.01 and 0.02) is increased by four orders of magnitude. On the other hand, the x=0.03 and 0.05 samples show the relative reduction of the leakage current.

• Journal of Information Technology Applications and Management
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• 제16권4호
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• pp.79-92
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• 2009

With the rising reliance on market estimation through customer analysis in customer-centered marketing, there is a rapid increase in the amount of personal data owned by corporations. There has been a corresponding rise in the customers' interest in personal information protection, and the problem of personal information leakage has risen as a serious issue. The purpose of this research is to develop a diagnosis model for personal information protection that is suited to our country's corporate environment, and on this basis, to present diagnostic instruments that can be applied to domestic corporations. This diagnosis model is a structural equation model that schematizes the degree of synthetic effect that administration factors and estimation items have on the protection of personal information owned by corporations. We develop the model- consisting of the administration factors for personal information protection and the measurement items of each factor- using the development method of standardized structural equation model. We then present a tool through which the administration factors and estimation items verified through this model can be used in the diagnosis for personal information protection in corporations. This diagnostic tool can be utilized as a useful instrument to prevent in advance the leakage of personal information in corporations.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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• pp.677-680
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• 2013

최근 IT, BT, NT 등의 융합과 정보시스템의 비약적 발전으로 정보통신 서비스가 활성화되면서 SNS, 클라우드 서비스 등 신규서비스가 증가함에 따라 개인정보의 유출위험이 증대되고 있다. 특히 IT와 의료 분야는 지속적인 경제 발전과 고령화 사회 진입으로부터 발생되는 문제를 해결하고 삶의 질 향상에 대한 요구에 따라 IT 기술을 활용한 새로운 의료기기 및 유헬스 서비스의 새로운 시장을 형성을 기대할 수 있다. 하지만 이러한 IT 기술의 도입으로 대부분의 의료 정보 시스템이 전산화 되면서 의료기관간에도 의료정보정보의 교환 및 전송이 자주 발생함에 따라 의료 정보유출 및 보안에 대한 위험성이 커지고 있다. 따라서 본 연구에서는 개인 의료정보 보호와 관련 주요 법 제도와 관리적, 기술적 보호 방법을 검토 및 분석한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.33-36
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• 1999

In this paper, $Ba_{0.5}$Sr$_{0.5}$TiO$_3$ thin-films were prepared on Pt/Ti/Si0$_2$/Si substrates by RF magnetron sp-uttering method. We investigated electric and dielectric properties of BST thin-films with various ann-ealing temperature using in-sute RTA. Deposition conditions of BST films were set substrate temperat-ure, 30$0^{\circ}C$ and working gas ratio, Ar:O$_2$=90:10. After BST films deposited, we fabricated a capacitor of MIM structure with Al top electrode for measurement. Post-annealing using RTA performed at 40$0^{\circ}C$, $600^{\circ}C$, 80$0^{\circ}C$ for 60 sec, respectively. Also we exacted crystallization and composition of BST thin-films by XRD analysis. In measurement result, this capacitors showed a dielectric constant of about 200 at 1MHz and leakage current density of 5$\times$10$^{-8}$ A/$\textrm{cm}^2$ at 1.5V Microstructure of BST thin-films exhibited effective quality in low-temperature annealed 71ms than high-temperature annealed 71ms.s.s.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권5호
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• pp.329-337
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• 2001

고유전 (Ba, Sr)TiO/sub 3/ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.

• 센서학회지
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• 제23권4호
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• pp.266-271
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• 2014

Chemical sensors are used in various industrial facilities such high-risk and prevent the leakage of substances, important in life and environmental protection and the safe use of industry, used for management. In particular, high-temperature environments such as power generation equipment of the rotating part due to leakage generated by the various oil, power plants Shut Down, fire, work environment (exposure to various chemical solution and gas leak) and various water, air and soil pollution causes. Thus, over the long term through various channels such as crops and groundwater contamination caused by the slow, serious adverse effect on the ecosystem. In this paper, synthetic lube oil and high pressure hydraulic fluid leakage and immediately detect a new Printed Electronic implementation of technology-based film-type sensors, and its performance test. Thus, industrial accidents and environmental pollution and for early detection of problems, large accidents can be prevented. Experimental results of the synthetic lube oil and high pressure hydraulic fluid solution after the contact time depending on the experiment and the oil solution of the sensor material of the conductive porous PE resistance value by a chemical reaction could be confirmed that rapid increase. Also implemented in the film-type oil sensor electrical resistance change over time of the reaction rate and the synthetic lube oil is about 2 minutes or less, the high pressure hydraulic fluid is less than about 1 minute was. Therefore, more high-pressure hydraulic fluid such as a low volatility synthetic lube oils are the resistance change and the reaction rate was confirmed to be the slowest.

• 한국가스학회지
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• 제13권5호
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• pp.1-6
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• 2009

본 논문에서는 LPG 차량의 연비효과에 미치는 대기온도, 증발기의 가스누출, 엔진오일의 점도, 엔진의 부하조건을 실험적으로 고찰하고자 한다. 연비에 대한 시험결과에 의하면, 엔진의 온도가 상승할수록 연비효과도 함께 점차 높아지고 있다. 대기온도가 $24.2^{\circ}C$일 때의 연비는 $1^{\circ}C$일 때보다 13.6% 정도 높게 나타난 것을 알 수 있다. LP가스 누출이 없는 증발기의 연비는 가스누출이 있는 경우에 비해 5.3%나 좋아지는 것으로 확인되었다. 반면에 엔진오일을 새로 교환한 경우의 연비는 9,500km를 주행한 오일에 비해 1.1% 정도 향상된 것으로 나타났으며, 이것은 대기온도나 증발기의 누설조건에 비해 상대적으로 낮은 영향을 미치는 것으로 관찰되었다. 연비에 더 많은 영향을 미치는 요소는 급제동, 급출발, 급가속과 같은 운전조건으로 판단된다. 연비시험 결과에 의하면, 정상출발은 급출발에 비해 32.3%나 연비가 향상되었고, 급가속은 급출발보다 10.8%나 우수한 연비조건을 보여주고 있다. 또한, 급제동은 급출발보다 18.3%나 우수한 연비상태를 나타내고 있다. 결국 비정상적인 주행조건은 정상적인 운전패턴에 비해 연비가 나쁜 것으로 나타났으므로, 연비를 높이기 위해서는 차량의 주행조건을 정상상태로 유지하는 것이 대단히 중요함을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.358-361
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• 2002

Self-aligned MOSFETS using a polysilicon gate are widely fabricated in silicon technology. The polysilicon layer acts as a mask for the source and drain implants and does as gate electrode in the final product. However, the usage of polysilicon gate as a self-aligned mask is restricted in fabricating SiC MOSFETS since the following processes such as dopant activation, ohmic contacts are done at the very high temperature to attack the stability of the polysilicon layer. A metal instead of polysilicon can be used as a gate material and even can be used for ohmic contact to source region of SiC MOSFETS, which may reduce the number of the fabrication processes. Co-formation process of metal-source/drain ohmic contact and gate has been examined in the 4H-SiC based vertical power MOSFET At low bias region (<20V), increment of leakage current after RTA was detected. However, the amount of leakage current increment was less than a few tens of ph. The interface trap densities calculated from high-low frequency C-V curves do not show any difference between w/ RTA and w/o RTA. From the C-V characteristic curves, equivalent oxide thickness was calculated. The calculated thickness was 55 and 62nm for w/o RTA and w/ RTA, respectively. During the annealing, oxidation and silicidation of Ni can be occurred. Even though refractory nature of Ni, 950$^{\circ}C$ is high enough to oxidize it. Ni reacts with silicon and oxygen from SiO$_2$ 1ayer and form Ni-silicide and Ni-oxide, respectively. These extra layers result in the change of capacitance of whole oxide layer and the leakage current

• 융합보안논문지
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• 제9권4호
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• pp.1-6
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• 2009

현재 산업보안의 패러다임은 단순한 보안장비 설치에서 효율적인 운영 관리로 바뀌어 가고 있다. 물리적 보안시스템(출입통제시스템, 영상보안시스템 등)과 IT 통합보안관제시스템이 융합하면 기업의 위험관리 및 보안관리를 통하여 내부자의 정보유출을 획기적으로 예방, 차단하고, 사후 추적등을 가능케 해준다. 즉, 기존의 물리적 보안과 IT 보안인력의 추가적인 확충이 없어도 단시간 내에 체계적인 융합보안관리 프로세스 확립이 가능해져 전문 조직 체제를 상시 운영하는 효과를 기대할 수 있게 된다. 이제 개별 기술로 IT보안 및 물리보안 영역의 보안이벤트 수집 및 통합관리, 보안사고 발생시 사후 연계 추적 관리, 정보유출 보안위반 사항에 대한 패턴 정의 및 실시간 감시, 보안위반 정보유출 시도에 대한 신속한 판단 및 대응/조치, 단계적 체계적 보안정책 수립 및 융합보안의 통합보안관리체계 확립이 필요하다.