• 한국자기학회지
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• 제15권3호
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• pp.177-180
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• 2005

Czochralski방법을 사용하여 정비조성(stoichiometric)으로 성장시킨 강유전체 $LiTaO_3$, 단결정을 $1000^{\circ}C$ 및 $1100^{\circ}C$에서 각각 열처리하였다. 열처리한 시료와 열처리하지 않은 정비조성 $LiTaO_3$ 단결정에 대하여 전자 상자성 공명(EPR : electron paramagnetic resonance) 실험을 하였다. X-band(9.21 GHz) 전자 상자성 공명 스펙트로미터를 사용하여 얻은 $Fe^{3+}$ 상자성 불순물 이온의 공명 흡수선을 분석한 결과 정비조성 $LiTaO_3$ 단결정내의 $Fe^{3+}$ 상자성 불순물 이온의 위치(site location)와 국소 대칭성(local site symmetry)은 열처리 후에도 변화가 없는 것을 알 수 있었다. 그러나 $1000^{\circ}C$및 $1100^{\circ}C$에서 열처리 한 단결정의 경우에는 $v$ 이온이 $Fe^{2+}$ 이온으로 원자가 상태가 바뀌는 것을 화인 하였다. 또한 유효 스핀 하밀토니안을 이용하여 EPR 상수를 계산하였다.

• 한국재료학회지
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• 제10권11호
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• pp.749-764
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• 2000

약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and $SiO_2/Si$ 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 $ 900^{\circ}C$까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산소분위기 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였으며 $650^{\circ}C$, 30분 열처리시 $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$의 경우 약 20 nm의 깊이까지 확산되었다. $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$ 박막의 증착 후 비저항은 약 $1,300{\mu}{\Omega}-cm$의 값을 보였지만 산소분위기 열처리시 $700^{\circ}C$ 이상에서 급격히 증가하였다.

• 한국재료학회지
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• 제8권10호
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• pp.945-949
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• 1998

Ta(OC2H5)5와 NH3를 이용하여 Cycle-CVD법으로 산화탄탈륨 막을 증착하였다. Cycle-CVD법에서는 Ta(OC2H5)5와 NH3사이에 불활성 기체를 주입한다. 하나의 cycle은 Ta(OC2H5)5주입, Ar주입, NH3 주입, Ar 주입의 네 단계로 이루어진다. Cycle-CVD법으로 산화탄탈륨 막을 증착할 때, 온도 $250-280^{\circ}C$에서 박막의 증착 기구는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition:ALD)이었다. $265^{\circ}C$에서 Ta(OC2H5)5:Ar:NH3:Ar:NH3:Ar의 한 cycle에서 각 단계의 주입 시간을 1-60초:5초:5초:5초로 Ta(OC2H5)5 주입 시간을 변화시키면서 산화탄탈륨 막을 Cycle-CVD법으로 증착하였다. Ta(OC2H5)5주입시간이 증가하여도 cycle 당 두께가 $1.5\AA$/cycle로 일정하였다. $265^{\circ}C$에서 증착된 박막의 누설 전류는 2MV/cm에서 2x10-2A/$\textrm{cm}^2$이었고 열처리후의 산화탄탈륨 막의 누설 전류값은 $10-4A\textrm{cm}^2$ 이하고 감소하였다. 증착한 산화탄탈륨 막의 성분을 Auger 전자 분광법으로 분석하였다. 2$65^{\circ}C$에서 증착한 막의 성분은 탄탈륨 33at%, 산소 50at%, 탄소 5at%, 질소 12at% 이었으며 90$0^{\circ}C$, O2300torr에서 10분 동안 열처리한 박막은 탄탈륨 33at%, 산소 60wt%, 탄소 4at%, 질소 3at%이었다. 박막의 열처리 온도가 높을수록 불순물인 탄소와 질소의 박막 내 잔류량이 감소하였다. 열처리 후의 박막은 O/Ta 화학정량비가 증가하였으며 Ta의 4f7/5와 4f 5/2의 결합 강도가 열처리 전 박막보다 증가하였다. 열처리 후 누설 전류가 감소하는 것은 불순물 감소와 화학정량비 개선 및 Ta-O 결합 강도의증가에 의한 것으로 생각된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.20-21
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• 2006

In this study, structural and microwave dielectric properties of the ${Ba_5}{B_4}{O_{15}}$ (B=Ta, Nb} cation-deficient perovskite ceramics with sintering temperature were investigated. All sample of the ${Ba_5}{B_4}{O_{15}}$ (B=Ta, Nb) ceramics prepared by conventional mixed oxide method and sintered at $1325^{\circ}C{\sim}1575^{\circ}C$. The bulk density and dielectric constant of the ${Ba_5}{Ta_4}{O_{15}}$ ceramics were increased continuously with increasing of sintering temperature. And the bulk density and dielectric constant of the ${Ba_5}{Nb_4}{O_{15}}$ ceramics was increased in $1375^{\circ}C{\sim}1400^{\circ}C$ but decerased in $1425^{\circ}C$. In the case of ${Ba_5}{Ta_4}{O_{15}}$ ceramics sintered at $1475^{\circ}C$ and ${Ba_5}{Nb_4}{O_{15}}$ ceramics sintered at $1400^{\circ}C$, The dielectric constant and quality factor, and temperature coefficient of the resonant frequency (TCRF) were 25.15, 53,105 GHz, $-3.06\;ppm/^{\circ}C$ and, 39.55, 28,052 GHz, $5.7\;ppm/^{\circ}C$ respectively.

• 한국농림기상학회지
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• 제20권2호
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• pp.159-165
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• 2018

본 연구는 급격하게 진행되고 있는 기후변화에 따른 콩의 생육과 종실 수량 반응을 온도구배챔버에서 수행하였다. 생식상 장기간의 고온 발생은 농업 생산성을 저해시키며, 인류의 식품안정성에도 영향을 줄 수 있다. 모든 품종이 $Ta+4^{\circ}C$에서 개화기간이 지연되는 현상을 보여 영양생장기보다 생식생장기의 고온에 대해 민감하게 반응을 하였다. 온도 변화에 대한 종실 수량 구성 반응을 보면 대원콩은 온도가 상승 할수록 협수, 종실 무게가 높아져 수량이 증가하였다. 반면 풍산나물콩과 대풍콩은 각각 $Ta+3^{\circ}C$와 $Ta+4^{\circ}C$사이에서 각각 일정 온도를 벗어나게 되면 온도에 민감하게 반응하여 착협수와 100립중이 감소를 하여 수량 감소로 이어졌다. 종자 크기로 보았을 때 대립 품종인 대원콩은 일정 온도 범위까지는 수량이 증가 할 것으로 판단된다. 반면 중립과 소립품종인 대풍콩과 풍산 나물콩은 일정 온도를 벗어나게 되면 수량이 감소 할 것으로 판단된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.264-265
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• 2014

This Paper reports the photocatalytic activity of $g-C_3N_4/NaTaO_3$ hybrid composite photocatalysts synthesized by ball-mill method. The $g-C_3N_4$ and $NaTaO_3$ were individually prepared by Solid state reaction and microwave hydrothermal process, respectively. The $g-C_3N_4/NaTaO_3$ composite showed the enhanced photocatalytic activity for degradation of rhodamine B dye (Rh. B) under simulated solar light irradiation. The results revealed that the band-gap energy absorption edge of hybrid composite samples was shifted to a longer wavelength as compared to $NaTaO_3$ and the 50 wt% $g-C_3N_4/NaTaO_3$ hybrid composite exhibited the highest percentage (99.6 %) of degradation of Rh. B and the highest reaction rate constant ($0.013min^{-1}$) in 4 h which could be attributed to the enhanced absorption of the hybrid composite photocatalyst in the UV-Vis region. Hence, these results suggest that the $g-C_3N_4/NaTaO_3$ hybrid composite exhibits enhanced photocatalytic activity for the degradation of rhodamine B under simulated solar light irradiation in comparison to the commercial $NaTaO_3$.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권11호
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• pp.1330-1336
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• 1994

Ta2O5 films were deposited on the p-Si(100) substrates by ECR-PECVD and annealed in O2 atmosphere. The thicknesses of Ta2O5/SiO2 layers were measured by an ellipsometer and a cross-sectional TEM. Annealing in O2 atmosphere enhanced the stoichiometry of the Ta2O5 film and reduced the impurity carbon content. Ta2O5 films were crystallized at the annealing temperatures above 75$0^{\circ}C$. The best leakage current characteristics and the maximum dielectric constant of Ta2O5/SiO2 film capacitor were observed in the specimen annealed at $700^{\circ}C$ and 75$0^{\circ}C$, respectively. The flat band voltage of the Al/Ta2O5/SiO2/p-Si MOS capacitor was varied in the range of -0.6~-1.6 V with the annealing temperature. The conduction mechanism in the Ta2O5 film, the variation of the effective oxide charge density with the annealing temperature, and the effective electric field distribution in the Ta2O5/SiO2 double layer were also discussed.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.100-103
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• 2001

In order to investigate the magnetic properties of CoCr-based bilayered thin films on kind of underlayer, we introduced amorphous Si layer to Co-Cr(-Ta) magnetic layer as underlayer. With the thickness of CoCr, CoCrTa single layer, crystalline orientation and perpendicular coercivity was improved. It was revealed that by introducing the Si underlayer, the c-axis orientation of CoCr, CoCrTa magnetic layer was improved largely. However, with increasing Si film thickness, perpendicular coercivity and saturation magnetization of Cocr/si, CoCrTa/Si bilayered thin films was decreased. Grain size of bilayered thin films became larger.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.793-796
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• 2004

In order to improve c-axis crystalline orientation and high perpendicular coercivity of deposited ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$perpendicualr recording layer, Two step method was investigated using a Facing Targets Sputtering System(FTS). The ${\Delta\theta}_50$ of ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$recording layer deposited on seedlayer prepared at Room Temperature was as low as $5^\circ$, while that of the recording layer without seedlayer was about 11$^{\circ}$. The Two-Step method using ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$seedlayer prepared at Room Temperature was shown to be very effective in controling the c-axis orientation of ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$ recording layer with thin thickness.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2003년도 춘계학술강연 및 발표대회
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• pp.29-29
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• 2003