Alumina particles were grafted onto the surface of manganese oxide particles via the coprecipitation process using surfactant and cosurfactant. The phase of Mn/Al salts (Phase I) and the phase of precipitation agent (Phase II) were prepared in aqueous surfactant solution, separately. Phase II was added into Phase I and the reaction was performed to form the precursors of composites through hydrogen bonding between $Mn(OH)_2$ and $Al(OH)_3$ prepared by the reaction of Mn/Al salts with the precipitation agent. The alumina-grafted manganese oxide particles were obtained as a final product after calcination. The concentrations of Al salt and surfactant were varied to investigate their effects on the formation and the crystallinity of composites. In addition, the crystal structure of products could be controlled by changing the calcination temperature. Through thermal analyses, it was found that the thermal stability of manganese oxide was improved by the introduction of alumina on its surface.
We have studied the epitaxial growth and electrical properties of $Si_{0.8}Ge_{0.2}$, films on Si substrates at $550^{\circ}C$ by LPCVD. In a low $PH_3$, partial pressure region such as below 1.25 mPa, the phosphorus doping concentration increased proportionally with increasing $PH_3$ partial pressure while the deposition rate and the Ge fraction x were constant. In a higher $PH_3$ partial pressure region, the phosphorus doping concentration and the deposition rate decreased, while the Ge fraction slightly increased. The dependence of P incorporation rate on the $PH_3$ partial pressure was similar to the phosphorus doping concentration. According to test results, it suggests that high surface coverage of phosphorus atoms suppress both the $SiH_4$ adsorption/reaction and the $GeH_4$ adsorption/reaction on the surfaces, and the effect is more stronger on $SiH_4$ than on $GeH_4$. In a higher $PH_3$ partial pressure region, the deposition is largely controlled by surface coverage effect of phosphorus atoms.
We investigated the interface defect engineering and reaction mechanism of reduced transition layer and nitride layer in the active plasma process on 4H-SiC by the plasma reaction with the rapid processing time at the room temperature. Through the combination of experiment and theoretical studies, we clearly observed that advanced active plasma process on 4H-SiC of oxidation and nitridation have improved electrical properties by the stable bond structure and decrease of the interfacial defects. In the plasma oxidation system, we showed that plasma oxide on SiC has enhanced electrical characteristics than the thermally oxidation and suppressed generation of the interface trap density. The decrease of the defect states in transition layer and stress induced leakage current (SILC) clearly showed that plasma process enhances quality of $SiO_2$ by the reduction of transition layer due to the controlled interstitial C atoms. And in another processes, the Plasma Nitridation (PN) system, we investigated the modification in bond structure in the nitride SiC surface by the rapid PN process. We observed that converted N reacted through spontaneous incorporation the SiC sub-surface, resulting in N atoms converted to C-site by the low bond energy. In particular, electrical properties exhibited that the generated trap states was suppressed with the nitrided layer. The results of active plasma oxidation and nitridation system suggest plasma processes on SiC of rapid and low temperature process, compare with the traditional gas annealing process with high temperature and long process time.
Park, Jin Hyeong;Nam, Yoon-Ho;Yoo, Bongyoung;Lee, Jung-Ho
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.50
no.5
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pp.315-321
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2017
Antireflective pyramid arrays can be readily obtained via anisotropic etching in alkaline solution (KOH, NaOH), which is widely used in crystalline-Si (c-Si) solar cells. The periodic inverted pyramid arrays show even lower light reflectivity because of their superior light-trapping characteristics. Since this inverted pyramidal structures are mostly achieved using very complex techniques such as photolithograpy and laser processes requiring extra costs, here, we demonstrate the Cu-nanoparticle assisted chemical etching processes to make the inverted pyramidal arrays without the need of photolithography. We have mainly controlled the concentration of $Cu(NO_3)_2$, HF, $H_2O_2$ and temperature as well as time factors that affecting the reaction. Optimal inverted pyramid structure was obtained through reaction parameters control. The reflectance of inverted pyramid arrays showed < 10% over 400 to 1100 nm wavelength range while showing 15~20% in random pyramid arrays.
A simple chemical fixation method for the fabrication of layer-by-layer (LbL) polyelectrolyte multilayer (PEM) has been developed to create a large area, highly uniform film for various applications. PEM of weak poly-electrolytes, i.e., polyallylamine hydrogen chloride (PAH) and poly(acrylic acid)(PAA), was assembled on polymer substrates such as poly(methyl methacrylate)(PMMA) and polycarbonate (PC). In the case of a weak polyelectrolyte, the fabricated thin film thickness of the polyelectrolyte multilayers was strongly dependent on the pH of the processing solution, which enabled the film thickness or optical properties to be controlled. On the other hand, the environmental stability for device application was poor. In this study, we utilized the chemical fixation method using glutaraldehyde (GA)-amine reaction in order to stabilize the polyelectrolyte multilayers. By simple treatment of GA on the PEM film, the inherent morphology was fixed and the adhesion and mechanical strength were improved. Both surface tension and FT-IR measurements supported the chemical cross-linking reaction. The surface property of the polyelectrolyte films was altered and converted from hydrophilic to hydrophobic by chemical modification. The possible application to antireflection coating on PMMA and PC was demonstrated.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.51
no.5
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pp.263-270
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2018
Ag-coated Cu dendrites were prepared as a filler for an electromagnetic interference shielding application. Ag layers on the Cu dendrites was coated by two approaches. One is a direct autocatalytic plating with a reducing agent. The other approach was achieved by two-step plating, a galvanic displacement reaction to form Ag seed layers on Cu following by an autocatalytic plating with a reducing agent. The procedure-dependent average particle size and tap density of Ag-coated Cu dendrites were characterized. The electrical resistance and electromagnetic interference shielding effect (EMI SE) were analyzed with the Ag-coated Cu dendrites prepared in the two approaches. Additionally, the content of the Ag coated on Cu dendrites was controlled from 2% to 20%. The electrical resistance and EMI SE were critically determined by Ag contents coated on Cu.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.56
no.4
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pp.243-249
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2023
Urea oxidation reaction (UOR) via electrochemical oxidation process can replace oxygen evolution reaction (OER) for green hydrogen production since UOR has lower thermodynamic potential (0.37 VRHE) than that of OER (1.23 VRHE). However, in the case of UOR, 6 electrons are required for the entire UOR. For this reason, the reaction rate is slower than OER, which requires 4 electrons. In addition, it is an important challenge to develop catalysts in which both oxidation reactions (UOR and OER) are active since the active sites of OER and UOR are opposite to each other. We prove that among the NiFe2O4 nanoparticles synthesized by the hydrothermal method at various synthesis temperatures, NiFe2O4 nanoparticle with properly controlled particle size and crystallinity can actively operate OER and UOR at the same time.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.211.2-211.2
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2014
Epitaxial complex oxide thin film heterostructures have attracted a great attention for their multifunctional properties, such as ferroelectricity, and ferromagnetism. Two dimensional electron gas (2DEG) confined at the interface between two insulating perovskite oxides such as LaAlO3/SrTiO3 interface, provides opportunities to expand various electronic and memory devices in nano-scale. Recently, it was reported that the conductivity of 2DEG could be controlled by external electric field. However, the switched conductivity of 2DEG was not stable with time, resulting in relaxation due to the reaction between charged surface on LaAlO3 layer and atmospheric conditions. In this report, we demonstrated a way to control the conductivity of 2DEG in non-volatile way integrating ferroelectric materials into LAO/STO heterostructure. We fabricated epitaxial Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 films on LAO/STO heterostructure by pulsed laser deposition. The conductivity of 2DEG was reproducibly controlled with 3-order magnitude by switching the spontaneous polarization of PZT layer. The controlled conductivity was stable with time without relaxation over 60 hours. This is also consistent with robust polarization state of PZT layer confirmed by piezoresponse force microscopy. This work demonstrates a model system to combine ferroelectric material and 2DEG, which guides a way to realize novel multifunctional electronic devices.
Monodisperse ZnS colloidal particles with precisely specified diameters over a broad size range were synthesized by controlled aggregation. Sub-10nm ZnS seed crystals were first nucleated at ambient temperature and then grown at an elevated temperature, which produced large polydisperse colloidal particles. Subsequent rapid thermal quenching and heating processes induced a number of secondary nucleations in addition to growing the large polydisperse microparticles which were finally removed by centrifugation and discarded at the completion of the reaction. The secondary nuclei were then aggregated further at elevated temperatures, resulting in colloidal particles which exhibited a nearly monodisperse size distribution. Particle diameters were controlled over a wide size range from 50 nm to 1 μm. Mie simulations of the experiment extinction spectra determined that the volume fraction of the ZnS is 0.66 in an aggregated colloidal particle and the colloidal particle effective refractive index is approximately 2.0 at 590 nm in water. The surface of the colloidal particles was subsequently coated with silica to produce ZnS@silica core-shell particles.
Herein, we report an electrode surface with a hierarchical assembly of wild-type M13 virus nanofibers (M13) to nucleate the AuPt alloy nanostructures by electrodeposition. M13 was pulled on the electrode surface to produce a virus film, and then a layer of sol-gel matrix (SSG) was wrapped over the surface to protect the film, thereby a bio-template was constructed. Blending of metal binding domains of M13 and amine groups of the SSG of the bio-template were effectively nucleate and directed the growth of nanostructures (NSs) such as Au, Pt and AuPt alloy onto the modified electrode surface by electrodeposition. An electrocatalytic activity of the modified electrode toward methanol oxidation in alkaline medium was investigated and found an enhanced mass activity ($534mA/mg_{Pt}$) relative to its controlled experiments. This bio-templated growth of NSs with precise composition could expedite the intention of new alloy materials with tuneable properties and will have efficacy in green energy, catalytic, and energy storage applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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