1 |
H. Deng, K. Endo, and K. Yamamura,uf Sci. Rep. 5, 8947 (2015).
DOI
|
2 |
D. -K. Kim, K. -S. Jeong, Y. -S. Kang, H. -K. Kang, S. -W. Cho, S. -O. Kim, D. Suh, S. Kim, and M. H. Cho, Sci. Rep. 6, 34945 (2016).
DOI
|
3 |
D. -K. Kim, Y. -S. Kang, K. -S. Jeong, H. -K. Kang, S. W. Cho, K. -B. Chung, H. Kim, and M.-H. Cho, J. Mater. Chem. C 3, 5078 (2015).
DOI
|
4 |
J. L. Cantin, H. J. von Bardeleben, Y. Shishkin, Y. Ke, R. P. Devaty, and W. J. Choyke, Phys. Rev. Lett. 92, 015502-015505 (2004).
DOI
|
5 |
S. Wang, S. Dhar, S. Wang, A. C. Ahyi, A. Franceschetti, J. R. Williams, L. C. Feldman, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 98, 026101-026104 (2007).
DOI
|
6 |
K. -C. Chang, N. T. Nuhfer, L. M. Porter, and Q. Wahab, Appl. Phys. Lett. 77, 2186-2188 (2000).
DOI
|
7 |
K. -C. Chang, L. M. Porter, J. Bentley, C. -Y. Lu, and J. Cooper Jr, J. Appl. Phys. 95, 8252-8257 (2004).
DOI
|
8 |
T. Zheleva, A. Lelis, G. Duscher, F. Liu, I. Levin, and M. Das, Appl. Phys. Lett. 93, 022108-022110 (2008).
DOI
|
9 |
X. Shen and S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 98, 053507-053509 (2011).
DOI
|
10 |
R. E. Herbert, Y. Hwang, and S. Stemmer, J. Appl. Phys. 108, 124101 (2010).
DOI
|
11 |
K. Martens, C. O. Chui, G. Brammertz, B. D. Jaeger, D. Kuzum, M. Meuris, M. M. Heyns, T. Krishnamohan, and K. Saraswat, Electron Devices, IEEE Transactions on. 55, 547 (2008).
DOI
|
12 |
B. Hornetz, H.-J. Michel, and J. Halbritter, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 767-771 (1995).
DOI
|
13 |
S. Yasuhara, J. Chung, K. Tajima, H. Yano, S. Kadomura, M. Yoshimaru, N. Matsunaga, and S. Samukawa, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 235201-235208 (2009).
DOI
|