Non-dispersive infrared (NDIR) gas sensors typically use an optical filter that transmits a discriminating 4.26 ㎛ wavelength band to measure carbon dioxide (CO2), as CO2 absorbs 4.26 ㎛ infrared. The filter performance depends on the transmittance and full width at half maximum (FWHM). This paper presents the fabrication, sensitivity, and selectivity characteristics of a distributed Bragg reflector (DBR)-based Fabry-Perot filter with a simple structure for CO2 detection. Each Ge and SiO2 films were prepared using the RF magnetron sputtering technique. The transmittance characteristics were measured using Fourier-transform infrared spectroscopy (FT-IR). The fabricated filter had a peak transmittance of 59.1% at 4.26 ㎛ and a FWHM of 158 nm. In addition, sensitivity and selectivity experiments were conducted by mounting the sapphire substrate and the fabricated filter on an NDIR CO2 sensor measurement system. When measuring the sensitivity, the concentration of CO2 was observed in the range of 0-10000 ppm, and the selectivity was measured for environmental gases of 1000 ppm. The fabricated filter showed lower sensitivity to CO2 but showed higher selectivity with other gases.
선행 연구에서 poly(styrene sulfonate) (PSS)/poly(diallyldimethylammonium chloride) (PDADMAC) 나노 여과막을 사용하여 불소 이온을 포함한 1가 이온 혼합물을 분리하는 것이 가능함을 보였다. 예를 들면, 다공성 알루미나 지지체에 $(PSS/PBADMAC)_4PSS$ 필름을 코팅한 경우 염소/불소 이온의 선택도가 3 이상이었으며 4.8 bar에서 용액의 플럭스가 $3.5m^3/m^2$-day이었다. 그러나, PSS/PDADMAC 이층의 수가 4.5에서 5.5.로 증가하면 염소/불소 이온의 선택도가 1.9로 떨어졌으며, $(PSS/PDADMAC)_6PSS$ 필름의 경우에는 염소 이온의 배제율이 급속히 증가하면서 선택도가 1에 가까웠다. 이러한 선택도의 감소 현상은 예상치 못한 것으로서 다른 지지체를 사용하여도 같은 경향을 보이는지 여부는 불분명하였다. 따라서, 본 연구에서는 다공성 알루미나 대신에 분획 분자량이 50kDa인 다공성 polyethersulfone (PES)에 PSS/PDADMAC을 적층하고 불소/염소 이온 혼합물의 나노 여과 특성을 살펴보았다. 그 결과 다공성 알루미나의 경우와 비록 적층 수는 달랐으나 불소 이온의 배제율이 최대가 되는 최적 적층수가 존재하였으며 이로부터 이러한 현상이 지지체에 무관한 일반적인 사실임을 알 수 있었다.
Electroless plating nickel has superior mechanical property to electroplated nickel. Furthermore nickel can be coated on nonconducting substrate. In this research, electroless plating of nickel were conducted in different bath condition to find optimum conditions of electroless nickel plating for MEMS applications. The selectivity of activation method on several substrates was investigated. The effects of nickel concentration, reducing agent concentration and inhibitor on deposition rate were investigated. The effect of pH on deposition rate and content of phosphorous in deposited nickel was also investigated.
Aluminum films were deposited by the pyrolysis of triisobutylaluminum(TIBA) in a cold wall LPCVD system for the metallization of high level IC. the selectivity on Si/SiO2 substrate and the contact resistance on submicron contacts were investigated. The carbon free aluminum film could be obtained when the aluminum film was deposited at low substrate temperature. Contact resistances of CVD Al/n+ Si contacts whose contact size was 0.5 .mu.m werre as low as 20~40.OMEGA./ea, which is 30~50% of contact resistance obtained by sputtering technique.
An effective wet-chemical approach is demonstrated for growing large-area, selectively-patterned, and low-temperature-synthesized ZnO nanorods (ZNRs). The growth of ZNRs was enhanced on a Co layer. The selectivity and density were readily controlled by the control of the temperature when the substrate transfers into aqueous solution. The cross-sectional transmission electron microscopy image shows that single crystalline ZNRs grown along [0001] have good adhesion at interface between ZNRs/substrate. The turn-on field was 4 $V/{\mu}m$ at the emission current density of 1 ${\mu}A/cm^2$. The stable emission was obtained at 0.11 $mA/cm^2$ under 7.2 $V/{\mu}m$ over 10 hr. These results suggest that selectively-patterned ZNRs have the potential for use as field emitters in large-area field emission displays.
A filtering power divider based on air-filled substrate-integrated waveguide (AFSIW) technology is proposed in this study. The AFSIW structure is used in the proposed filtering power divider for substantially reducing the transmission losses. This structure occupies a large area because of the use of air as a dielectric instead of typical dielectric materials. A filtering power divider provides power division and frequency selectivity simultaneously in a single device. The proposed filtering power divider comprises three AFSIW cavities. The filtering function is achieved using symmetrical inductive posts. The input and output ports of the proposed circuit are realized by directly connecting coaxial lines to the AFSIW cavities. This transition from the coaxial line to the AFSIW cavity eliminates the additional transitions, such as AFSIW-SIW and SIW-conductor-backed coplanar waveguide, applied in existing AFSIW circuits. The proposed power divider with a second-order bandpass filtering response is fabricated and measured at 5.5 GHz. The measurement results show that this circuit has a minimum insertion loss of 1 dB, 3-dB fractional bandwidth of 11.2%, and return loss exceeding 11 dB.
It is generally recognized that thin Pd-Cu alloy films fabricated by sputtering show a wide range of microstructures and properties, both of which are highly dependent on the sputtering conditions. In view of this, the present study aims to investigate the relationship between the performance of hydrogen separation membranes and the microstructure of Pd alloy films depending on sputtering deposition conditions such as substrate temperature, working pressure, and DC power. We fabricated thin and dense Pd-Cu alloy membranes by the micro-polishing of porous Ni support, an advanced Pd-Cu sputtered multi-deposition under the conditions of high substrate temperature / low working pressure / high DC power, and a followed by Cu-reflow heat-treatment. The result of a hydrogen permeation test indicated that the selectivity for $H_2/N_2$ was infinite because of the void-free and dense surface of the Pd alloy membranes, and the hydrogen permeability was 10.5 $ml{\cdot}cm^{-2}{\cdot}min^{-1}{\cdot}atm^{-1}$ for a 6 ${\mu}m$ membrane thickness.
The heterodimeric amino acid transporter family is a subfamily of SLC7 solute transporter family which includes 14-transmembrane cationic amino acid transporters and 12-transmembrane heterodimeric amino acid transporters. The members of heterodimeric amino acid transporter family are linked via a disulfide bond to single membrane spanning glycoproteins such as 4F2hc (4F2 heavy chain) and rBAT $(related\;to\;b^0,\;^+-amino\;acid\;transporter)$. Six members are associated with 4F2hc and one is linked to rBAT. Two additional members were identified as ones associated with unknown heavy chains. The members of heterodimeric amino acid transporter family exhibit diverse substrate selectivity and are expressed in variety of tissues. They play variety of physiological roles including epithelial transport of amino acids as well as the roles to provide cells in general with amino acids for cellular nutrition. The dysfunction or hyperfunction of the members of the heterodimeric amino acid transporter family are involved in some diseases and pathologic conditions. The genetic defects of the renal and intestinal transporters $b^{0,+}AT/BAT1\;(b^{0,+}-type\;amino\;acid\;transporter/b^{0,+}-type\;amino\;acid\;transporter\;1)$ and $y^+LAT1\;(y^+L-type\;amino\;acid\;transporter\;1)$ result in the amino aciduria with sever clinical symptoms such as cystinuria and lysin uric protein intolerance, respectively. LAT1 is proposed to be involved in the progression of malignant tumor. xCT (x-C-type transporter) functions to protect cells against oxidative stress, while its over-function may be damaging neurons leading to the exacerbation of brain damage after brain ischemia. Because of broad substrate selectivity, system L transporters such as LAT1 transport amino acid-related compounds including L-Dopa and function as a drug transporter. System L also interacts with some environmental toxins with amino acid-related structure such as cysteine-conjugated methylmercury. Therefore, these transporter would be candidates for drug targets based on new therapeutic strategies.
Experiments of RIE of tungsten films using SF$_{6}$ plasma were conducted to investigate the effect of process parameters on etch rate, uniformity, anisotropy, and selectivity. As power increased, the etch rate increased. Maximum etch rate was obtained at 200mtorr As interelectrode spacing increased the etch rate increased for P < 200mtorr while it decreased for P> 200mtorr. Etch rate was maximum at 20 sccm gas flow rate. As substrate temperature increased, the etch rate increased and activation energy was 0.046 eV. In addition, maximum etch rate was acquired at 20% $O_{2}$ addition. The etch rate slightly increased when Ar was added up to 20% while it continuously decreased when N$_{2}$ was added. Uniformity got improved as pressure decreased and was less than 4% for P <100mtorr. Mass spectrometer was utilized to analyze gas composition and S and F peaks were observed from XPS analysis with increasing power. The anisotropy was better for smaller power and spacing, and lower pressure and temperature. It improved when CH$_{4}$ was added and anisotropic etch profile was obtained when about 10% $O_{2}$ was added. The selectjvity was better for smaller power larger pressure and spacing, and lower temperature. Especially. low temperature processing was proposed as a novel method to improve the anisotropy and selectivity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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