• 전기학회논문지
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• 제66권10호
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• pp.1494-1498
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• 2017

In this study, we investigate the influence of an overlap between the gate and source/drain regions of silicon nanowire (SiNW) CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) inverter on bendable plastic substrates and describe their electrical characteristics. The combination of n-channel silicon nanowire field-effect transistor (n-SiNWFET) and p-channel silicon nanowire field-effect transistor (p-SiNWFET) operates as an inverter logic gate. The gains with a drain voltage ($V_{dd}$) of 1 V are 3.07 and 1.21 for overlapped device and non-overlapped device, respectively. The superior electrical characteristics of each of the SiNW transistors including steep subthreshold slopes and the high $I_{on}/I_{off}$ ratios are major factors that enable the excellent operation of the logic gate.

• 한국수자원학회논문집
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• 제34권5호
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• pp.561-566
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• 2001

본 연구는 자연하천에서 유로변경 계획구간에 대한 수리특성을 수치모형시험을 통해 분석하는 것이다. 이 연구를 통해 하천공사 특히 홍수시 피해방지와 하천의 흐름특성을 파악하는 기보자료를 제공할 것이다. 본 연구에서는 수리특성분석을 위해 1차원 모형은 HEC-RAS 모형과 2차원 유한요소모형인 RMA2 모혀이 어떻게 유로만곡부의 흐름형태와 급경사면, 복잡한 하상형태 등의 하천 흐름특성에 영향을 미치는가를 분석하는데, HEC-RAS보다 더 효과적임을 알 수 있었다.

• 한국조경학회지
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• 제18권3호통권39호
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• pp.39-56
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• 1990

The purpose of this study is to analyze the roadside slope of mountainous Parkway. 48 sites were selected by Random Ranking Sampling. This study was researched on the slope condition with the cause of occurrence, the situation of fundamental engineering works and vegetation on slopes. The main results of this research are summarized as follow ; 1. Slope shapes are shown nine types in cut slope and four types in fill slope. 2. Generally, fill slopes are larger than cut slopes in slop area. 3. Grade is more steep than standard grade. 4. Main engineering works, which constructed for slope stability, are terracing, side-ditch wall, channel, concrete trellis works and wire fence. 5. Roundabout channel were many constructed within the sector of Ukmojeong-Deokdong, but were few constructed within the sector of Banseon-Seongsam pass and Cheoneun Temple-Seongsam pass. 6. Most. of side-ditch wall were constructed of concrete and wet-masonry. 7. In vegetation works, many exterior species were selected. 8. Planting pattern was not combinated with the national park landscape.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제8권5호
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• pp.1152-1156
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• 2013

We propose a compact high-order(9th) UHF bandpass filter comprising the composite right-handed and left-handed(CRLH) zeroth-order resonators(ZORs) in the form of the three cascaded-triplets(CTs) newly applied to the ZOR filter which results in very steep skirt. The method is verified by circuit and EM simulations and measurement with metamaterial properties.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.1003-1006
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• 2003

본 논문에서는 sub-micron 소자에서 SCE(Short Channel Effect) 억제를 위한 Halo 와 SSR(Super Steep Retrograde Well) 적용에 따른 analog 특성의 열화를 석하고 이를 개선하기 위해 Twist 이온주입과 In, Sb Halo 를 채택하였다. Analog 특성은 CMOS 의 amplifier 과 Comparator 로의 사용을 고려해 Drain Rout과 Early voltage를 이용해 나타내었으며 Digital 성능을 함께 고려하였다. 실험결과 NMOS 의 경우 45 twist Halo 조건에서, PMOS의 경우 As보다 Sb를 Halo 로 적용하는 경우 더 우수한 analog 특성을 나타내었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권2호
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• pp.136-147
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• 2005

A theoretical design evaluation based on a hydrodynamic transport simulation of strained Si-SiGe on insulator (SSOI) type nMOSFETs is reported. Although, the net performance improvement is quite limited by the short channel effects, simulation results clearly show that the strained Si-SiGe type nMOSFETs are well-suited for gate lengths down to 20 nm. Simulation results show that the improvement in the transconductance with decreasing gate length is limited by the long-range Coulomb scattering. An influence of lateral and vertical diffusion of shallow dopants in the source/drain extension regions on the device performance (i.e., threshold voltage shift, subthreshold slope, current drivability and transconductance) is quantitatively assessed. An optimum layer thickness ($t_{si}$ of 5 and $t_{sg}$ of 10 nm) with shallow Junction depth (5-10 nm) and controlled lateral diffusion with steep doping gradient is needed to realize the sub-50 nm gate strained Si-SiGe type nMOSFETs.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2011년도 학술발표회
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• pp.83-87
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• 2011

산지하천은 지형 및 지질적인 요인으로 경사가 급하고 만곡수충부가 많이 발달되어 있기 때문에 홍수시 수충부에서 호안파괴의 문제가 많이 발생한다. 본 연구에서는 급경사 만곡수로의 외측 벽면에 돌출줄눈을 설치할 때 조도계수에 미치는 영향을 조사하였다. 실험유량은 $100{\ell}/s$, $120{\ell}/s$, $140{\ell}/s$이고, 수로경사는 1/50으로 고정하였다. 모든 구간에서 돌출줄눈의 영향으로 약 5-63%의 조도계수 변화가 발생하였다. 상대적으로 유량이 많을 때 외측벽면조도에 의한 조도계수의 증가는 더 크다. 이는 급경사 만곡수충부의 조도계수가 돌출줄눈에 의하여 제어될 수 있음을 나타내는 것이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권9호
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• pp.2133-2138
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• 2013

다중게이트 구조인 나노 와이어 n-채널 무접합(junctionless) 및 반전모드(inversion mode) MuGFET에서 문턱전압 이하의 급격히 작은 기울기 (subthreshold slope)가 온도에 따라 변하는 것을 비교 분석하였다. 온도가 증가함에 따라 무접합 및 반전모드 소자의 문턱전압 아래 기울기는 증가하는 것으로 관측 되었다. 문턱전압 아래 기울기 증가는 반전모드 소자보다 무접합 소자에서 더 심함을 알 수 있었다. 소자의 핀 폭이 다른 소자의 문턱전압 아래 기울기의 온도 의존성은 비슷한 것으로 관측되었다. 그리고 기판 전압에 따른 문턱전압 아래 기울기의 온도 의존성 측정으로부터 기판전압이 증가함에 따라 문턱전압 아래 기울기 변화는 심하지 않는 것으로 관측되었다. 기판에 양의 전압을 인가하므로 무접합 MuGFET 소자를 이용하여 400K 온도에서도 문턱전압 아래 기울기가 41mV/dec 이하인 소자를 구현할 수 있었다.

• 한국수자원학회논문집
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• 제36권1호
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• pp.87-104
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• 2003

지표면 유출과 하천 유출 통으로 구성된 동일한 홍수유출모형 SIRG-RS를 소유역과 대유역에 적용하였다. 지표면 유출로부터의 유입 방법, 하천 접합부에서의 계산방법, 급경사 산지하천에서의 에너지손실 계산 등에서 개선책을 강구하였다. 마찰력 산정을 위하여 레이놀즈수와 조고비의 함수인 지수형 마찰계수 산정식을 도입하였다. 또한 지수형 마찰계수 산정식은 실험자료뿐 아니라 최근 입수한 현장 관측자료를 사용하여 개선하였다. 개선된 모형은 대규모의 유역과 아주 작은 크기의 소유역에도 적용하였는데, 두 가지 경우 모두 관측자료와 비교하여 양호한 계산 결과를 얻었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권2호
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• pp.230-238
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• 2017

We have proposed an InGaAs-based gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET) with a stacked dual-metal gate (DMG). The electrical performances of the proposed TFET are evaluated through technology computer-aided design (TCAD) simulations. The simulation results show that the proposed TFET demonstrates improved DC performances including high on-state current ($I_{on}$) and steep subthreshold swing (S), in comparison with a single-metal gate (SMG) TFET with higher gate metal workfunction, as it has a thinner source-channel tunneling barrier width by low workfunction of source-side channel gate. The effects of the gate workfunction on $I_{on}$, the off-state current ($I_{off}$), and S in the DMG-TFETs are examined. The DMG-TFETs with PNPN structure demonstrate outstanding DC performances and RF characteristics with a higher n-type doping concentration in the $In_{0.8}Ga_{0.2}As$ source-side channel region.