In this research, we proceeded with research on plasma resistance of the cleaning process of APS(Atmospheric Plasma Spray)-Y2O3 coated parts used for semiconductor and display plasma process equipment. CF4, O2, and Ar mixed gas were used for the plasma environment, and respective alconox, surfactant, and piranha solution was used for the cleaning process. After APS-Y2O3 was exposed to CF4 plasma, the surface changed from Y2O3 to YF3 and a large amount of carbon was deposited. For this reason, the plasma corrosion resistance was lowered and contamination particles were generated. We performed a cleaning process to remove the defect-inducing surface YF3 layer and carbon layer. Among three cleaning solutions, the piranha cleaning process had the highest detergency and the alconox cleaning process had the lowest detergency. Such results could be confirmed through the etching amount, morphology, composition, and accumulated contamination particle analysis results. Piranha cleaning process showed the highest detergency, but due to the very large thickness reduction, the base metal was exposed and a large number of contaminated particles were generated. In contrast, the surfactant cleaning process exhibit excellent properties in terms of surface detergency, etching amount, and accumulated contamination particle analysis.
이 연구의 목적은 유전치 법랑질에서 무소주 법랑질 층이 있는 치경부에서의 적절한 산부식 시간을 알아보고자 함이다. 경희대학교 치과대학병원 소아치과에 내원한 환아에게서 발거한 치아 순면에 우식이 없는 건전한 치아 32개를 대상으로 실험하였다. 발거된 유전치의 치경부 법랑질을 35% 인산으로 실험 1군은 15초, 실험 2군은 30초, 실험 3군은 45초, 실험 4군은 60초간 산부식한 후 부식시간에 따른 법랑질 표면의 양상을 SEM으로 관찰하여 평가하였다. 1. 실험 1군에서는 Type 3가 75% 나타났으며 실험 2군과 3군 모두에서 Type 1이 38%, Type 2가 50%로 나타났다. 2. 실험 2군보다 실험 3군에서 산부식된 양상이 좀더 뚜렷하게 나타났다. 3. 실험 4군에서 Type 1이 25%, Type 2가 75%를 보였고 Type 3는 나타나지 않았다. 4. 실험 4군에서는 다른 실험군에서 보다 좀더 전형적인 산부식 양상을 보였다. 5. 실험군 간의 산부식 시간에 따른 부식 양상의 차이는 통계학적으로 유의한 차이를 보였다(p<0.05). 6. 산부식 시간이 길수록 부착에 유리한 Type 1과 Type 2가 주로 관찰되었으며 Type 3는 드물게 관찰되었다(p<0.05). 유전치에서 무소주 법랑질 층이 주로 존재하는 치경부 측에, 와동의 변연부가 형성될 때에는 산부식 시간을 다소 길게 $45{\sim}60$초 정도 하는 것이 수복물 유지를 향상시킬 것으로 여겨진다.
반도체 회로를 제조하기 위해서 에칭, 세척, 증착 등의 공정들이 반복적으로 진행된다. 따라서 이러한 공정이 진행되면 진공장비 내부는 부식성이 높은 가혹한 플라즈마 환경에 노출되게 된다. 따라서 반도체 공정 장비의 내부를 플라즈마 노출에 강한 재료를 사용하여 코팅층의 에칭과 오염 입자의 생성을 최소화하여야 한다. 본 연구에서는 고상합성법에 의해 Y2O3와 YF3 분말을 원료물질로 옥시불화이트륨(YOF)를 성공적으로 합성하였다. Y2O3와 YF3 분말의 혼합비율은 1.0:1.0에서 1.0:1.6까지 조절하였으며, 혼합비율이 합성된 YOF 분말의 결정구조와 미세구조에 미치는 영향을 XRD와 FE-SEM으로 조사하였다. 합성된 YOF 분말을 이용하여 알루미늄 기판에 플라즈마 스프레이법으로 성공적으로 코팅하였다.
본 논문에서는 습식식각 설비의 Process 동작 간에 발생되는 설비의 비 가동 시간을 최소화하여 Throughput을 향상시키기 위하여 Monitoring 한 결과 Recipe 변경, 액 교환 발생, Tact 변경 등의 공정간 조건에 따라 대기시간이 발생(생산 지연시간 발생) 하는 것을 확인 하고 이를 개선하기 위한 연구이다. 연구 방법으로, Recipe Data 적용 시점을 약액 구간 처리 완료 시점에서 후속 기판이 대기하지 않고 연속 투입을 실시, Chamber Drain과 약액 Tank 전환이 동시에 이루어지고 액 교환 동작 중 Pump Spray의 연속성을 유지하는 무정지 액 교환 Sequence 적용, Tact 적용 시점을 전 기판 배출 확인 후 실시하는 것을 약액 구간 처리 완료 후 적용의 3가지 방법을 6시그마의 DMAIC 기법을 활용하였다. 연구 결과 개선 전 비 가동 시간이 설비 대당 1일 28분 시그마 Level 3.40 이었던 것을 개선 후 설비 대당 1일 17분 시그마 Level 5.3 으로 개선됨을 확인 할 수 있다.
$Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하기 위해, $Y_2O_3$ 분말을 분산한 상태에서 슬러리에 pH 조절제인 NaOH를 첨가하였으며 결합제로는 PVA, 가소제로는 PEG를 첨가하여 열분무 건조 공정을 거쳐 $Y_2O_3$ 과립형 분말을 제조하였다. ${\phi}14mm$ 크기의 $Y_2O_3$ 세라믹 성형체를 성형하고, $1650^{\circ}C$의 온도에서 소결하여 $Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하였다. $Y_2O_3$ 소결체의 미세구조, 밀도 및 내플라즈마 특성이 성형압력 및 소결시간에 따라 분석되었다. $Y_2O_3$ 소결체는 $CHF_3/O_2/Ar$ 플라즈마에 노출시켜, $Ar^+$ 이온빔에 의한 물리적반응 식각과 $CHF_3$로부터 분해된, $F^-$ 이온에 의한 화학적반응 식각에 의한 건식 식각 처리가 이루어졌다. 본 연구에서 $Y_2O_3$ 소결체 소결시간의 증가에 따라, 비교적 높은 밀도를 나타내었으며, 내플라즈마 특성이 향상되는 것으로 나타났다.
HVOF thermal spray coating of 80%WC-CoFe powder is one of the most promising candidate for the replacement of the traditional hard chrome plating and hard ceramics coating because of the environmental problem of the very toxic $Cr^{6+}$ known as carcinogen by chrome plating and the brittleness of ceramics coatings. 80%WC-CoFe powder was coated by HVOF thermal spraying for the study of durability improvement of the high speed spindle such as air bearing spindle. The coating procedure was designed by the Taguchi program, including 4 parameters of hydrogen and oxygen flow rates, powder feed rate and spray distance. The surface properties of the 80%WC-CoFe powder coating were investigated roughness, hardness and porosity. The optimal condition for thermal spray has been ensured by the relationship between the spary parameters and the hardness of the coatings. The optimal coating process obtained by Taguchi program is the process of oxygen flow rate 34 FRM, hydrogen flow rate 57 FRM, powder feed rate 35 g/min and spray distance 8 inch. The coating cross-sectional structure was observed scanning electron microscope before chemical etching. Estimation of coating porosity was performed using metallugical image analysis. The Friction and wear behaviors of HVOF WC-CoFe coating prepared by OCP are investigated by reciprocating sliding wear test at $25^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$. Friction coefficients (FC) of coating decreases as sliding surface temperature increases from $25^{\circ}C$ to $450^{\circ}C$.
The purpose of this study is to evaluate of shear bond strength of light-curing composite resin to light-curing glass ionomer cement. Composite resin and glass ionomer cement have been widely used as an esthetic filling materials in dental clinics. To achieve better clinical results, sandwich technic was developed with conpensating for disadvantages of these two materials. Especially, light-curing glass ionomer cement provided greately improved bonding strength of teeth or composite resin, and then excellent clinical results can be acquired. In this study, 6 commercial light-curing glass ionomer cements(3 commercial restorative materials : Fuji II LC, Variglass VLC, Vitremer, and 3 commercial lining materials : Fuji Lining LC, Baseline VLC, Vitrebond) were devided two groups. According to manufacturer's appointment, no surface treatment was referred to N groups. Supposing. of clinical practice, surface grinding with water spray at 320 grit sand paper, 40 seconds etching with 37% phosphoric acid, 20 seconds washing, 20 seconds air drying was referred to N groups. Totally 12 experimental groups were devided, and all 120 specimens from 10 specimens of each groups were made. After light-curing composite resin was bonded to light-curing glass ionomer cement, shear bond strength was tested by Instron universal testing machine between glass ionomer cement and composit resin. The data were analyzed statistically by Student's t-test and ANOVA. The obtained results were as follows; 1. In light-curing glass ionomer cement, restorative materials showed higher shear bond strength to composite resin than lining materials(p<0.05). 2. Variglass VLC of restorative material group and Baseline VLC of lining material group have highest shear bond strength to composite resin(p<0.001). 3. In light-curing glass ionomer cement, surface grinding and acid etching reduced shear bond strength to composite resin(p<0.001)}. 4. VGN group 1s highest shear bond strength to composite resin, VBE group is lowest shear bond strength to composite resin(p<0.001).
본 연구에서는 CaO-Al2O3-SiO2(CAS) 계 유리 벌크와 유리 분체를 알루미나 소결체 표면에 스프레이 코팅막 적용 시 내플라즈마 특성에 대하여 비교하였다. CAS 유리 벌크와 유리 코팅막을 CF4/O2/Ar 플라즈마 가스에 노출시켰을 때의 식각율과 표면의 미세구조 분석을 통해 내플라즈마 특성을 확인하였다. CAS 유리 소성막은 유리 벌크와 비교하여 에칭속도가 최대 25배 빠른 것을 확인하였다. 유리 소성막의 표면 조도 값과 식각율 간의 통계학적으로 높은 상관성을 도출하였고, 이에 따라 소성막의 높은 표면조도가 빠른 식각을 유발하는 것으로 판단하였다. 그리고 유리 소성막은 Ca 성분의 함량이 적고, Si 함량이 많은 크리스토발라이트(cristobalite) 결정의 형성으로 인하여 Ca과 Ca 불화물에 의한 내플라즈마 효과가 감소한 것으로 판단된다. 따라서 CAS 유리 소성막은 유리 벌크에 비해 낮은 내플라즈마 특성을 갖는 것으로 판단된다.
반도체 및 디스플레이의 진공부품은 알루미늄 모제에 전해연마법(electrolytic polishing), 양극산화피막법(anodizing), 플라즈마 용사법(plasma spray) 등을 사용하여 $Al_2O_3$ 피막을 성장시켜 사용되고 있다. 반도체 제조공정 중 30~40% 이상의 비중을 차지하는 식각(etching) 및 증착(deposition) 공정의 대부분 은 플라즈마에 의해 화학적, 물리적 침식이 발생하여 피막에 손상을 일으켜 피막이 깨지거나 박리되면서 다량의 particle을 생성함으로써 생산수율에도 문제를 야기 시킨다. 본 연구에서는 이러한 진공부품의 하나인 etcher용 상부전극을 양극산화피막법(Anodizing)으로 $Al_2O_3$ 피막을 성장시킨 샘플을 제작하여 플라즈마 처리에 따른 내전압, 식각율, 표면 미세구조의 변화를 관찰하였고 이를 종합적으로 고려하여 etcher용 상부전극의 Life Time 평가 방법을 연구하였다. 이러한 실험을 통해 플라즈마 처리 후 피막에 크랙이 발생되는 것을 확인할 수 있었고 피막의 손상으로 전기적 특성이 감소되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 플라즈마 처리 중 ISPM 장비를 이용하여 플라즈마 공정에서 발생하는 오염입자를 실시간으로 측정할 수 있는 방법을 연구하였다. 이러한 결과를 이용하여 진공공정에서 사용되는 코팅부품이 플라즈마에 의한 손상정도를 정량화 하고 etcher용 상부전극의 Life Time 평가 방법을 개발하여 부품 양산업체의 진공장비용 코팅부품의 개발 신뢰성 향상이 가능할 것으로 기대된다.
반도체 드라이 에처 시스템의 웨이퍼 정전기 척에 적용하기 위해 플라즈마 스프레이 방법으로 Al-60 계열 기판에 코팅한 $Al_2O_3$ 코팅 막의 특성을 조사하였다. 시편 뒷면에 냉각봉이 장착되었을 때와 없을 때, 용사거리와 분말공급량을 변형하면서 $Al_2O_3$ 막 코팅을 하여 시편을 제작 하였다. 시편 뒷면에 냉각봉이 없을 때는 크랙과 기공이 많이 발생하였다. 시편 뒷면에 냉각봉을 장착하고 분말공급량을 15g/min로 한 경우에 용사거리 60, 70, 80mm에 따른 $Al_2O_3$ 코팅에서는 크랙과 기공은 거의 찾아볼 수 없었다. 용사거리 변화에 따른 $Al_2O_3$ 막 코팅의 표면형태 변화는 없었다. 같은 공정조건에서 분말 공급량을 20g/min로 한 경우에도 크랙은 볼 수 없었으나 약간의 기공이 생겼고, 분말공급량을15g/min로 하였을 때 보다 작은 입자들이 많이 증착되었다. 시편 뒷면에 냉각봉이 없을 때가 시편 뒷면에 냉각봉이 장착된 경우에 비하여 증착 속도가 빨랐다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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