Park, Jun-Han;Lee, Chi-Woo;Yang, Myo-Geun;Seong, Won-Mo
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.20
no.2
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pp.161-166
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2009
In this paper, we propose the internal mobile antenna for TDMB and KPCS. The proposed antenna is made of different dielectric substrate and it has small size ($45{\times}8{\times}8\;mm$, about 2.8 cc) for mobile device. TDMB antenna is designed spiral structure that makes maximum current for each cell and KPCS antenna is PIFA that is usually used for internal antenna. In order to compensate length of resonance TDMB antenna has a large inductor above 100 nH. In this case, the inductor isolate KPCS signal at TDMB by cutting high frequency. Also the antenna has good isolation because TDMB radiator is parasitic element in KPCS band. We simulated the antenna by using CST microwave studio and measured performance of the antenna in anechoic chamber Proposed antenna has $-6{\sim}-14\;dBi$ gain for TDMB and $-3.5{\sim}-5\;dBi$ gain for KPCS.
Double rectangular spiral thin-film inductors were fabricated using $Fe_{86.7}Zr_{3.3}B_{4}Ag_{6}$ thin film with high permeability and resistance, in which easy axis of magnetization of the thin-film was perpendicular or parallel to the current direction. The perpendicular geometry inductor revealed higher inductance than the parallel geometry one, because spin aligns of magnetic film were more easily along the field direction due to higher field intensity in the perpendicular geometry. The increase of the inductance, however, resulted in the decrease of resonance frequency. The permeability was monitored by annealing the thin-films at different temperatures. With increasing the permeability, the inductance increased, but total resistance also increased due to the increase in magnetic core loss. As the resonance frequency was higher in air-core inductor than in magnetic thin-film core inductor, it is suggested to increase the resonance frequency that the characteristic of air-core inductor rather than the magnetic properties of the thin-film should be enhanced..
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.23
no.3
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pp.343-354
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2012
In this paper, various spiral zeroth-order resonators are proposed for wireless power transmission. Since a zerothorder resonance(ZOR) mode of meta-material transmission lines has the characteristic of an infinite wavelength, its frequency is independent of physical length. Also, to obtain high transmission efficiencies high-Q resonators and strong coupling coefficient between coupled resonators are required. Therefore, the resonators consist of spiral inductor and lumped capacitor to use the ZOR mode and they are optimized via parametric study and circuit analysis for a high-Q resonator design. The optimized resonators are simulated and compared with a conventional spiral resonator and one of them was fabricated and measured. The fabricated one has a dimension of $20cm{\times}20cm{\times}8cm$($0.009{\lambda}_0{\times}0.009_{\lambda}_0{\times}0.004{\lambda}_0$) and the transmission efficiency of 80 % is measured at 13.56 MHz at transmitted distance of 40 cm.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.912-915
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2004
Inductors material utilized in the downsizing passive devices and Rf components requires the physical and electrical properties at given area such as inductors thickness reduction, inductance and q-factor increase, low leakage current and thermal stability. In this study, Spiral inductors on the $SiO_2/Si$(100) substrate were fabricated by the magnetron sputtering method. Cu thin film with the thickness of $2{\mu}m$ was deposited on the substrate. Also we fabricated square inductors through the wet chemical etching technique. The inductors are completely specified by the turn width and the spacing between spirals. Both the width and spacing between spirals were varied from 10 to $60{\mu}m$ and from 20 to $70{\mu}m$, respectively. Inductance and Q factor dependent on the RF frequency were investigated to analyze performance of inductor arrays
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.8
no.3
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pp.232-238
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2008
In this paper, a wideband power efficient 2.2 GHz - 4.9 GHz Medium Power Amplifier (MPA), has been designed and fabricated using $0.8{\mu}m$ SiGe BiCMOS process technology. Passive elements such as parallel-branch spiral inductor, metal-insulator-metal (MIM) capacitor and three types of resistors are all integrated in this process. This MPA is a two stage amplifier with all matching components and bias circuits integrated on-chip. A P1dB of 17.7 dBm has been measured with a power gain of 8.7 dB at 3.4 GHz with a total current consumption of 30 mA from a 3 V supply voltage at $25^{\circ}C$. The measured 3 dB bandwidth is 2.7 GHz and the maximum Power Added Efficiency (PAE) is 41 %, which are very good results for a fully integrated Medium PA. The fabricated circuit occupies a die area of $1.7mm{\times}0.8mm$.
In this work, we have designed a fully integrated 2.4GHz LC-tuned voltage-controlled oscillator (VCO) with multiple tuning inputs for a 0.25-$\mu\textrm{m}$ standard CMOS process. The design of voltage-controlled oscillator is based on an LC-resonator with a spiral inductor of octagonal type and pMOS-varactors. Only two metal layer have been used in the designed inductor. The frequency tuning is achieved by using parallel pMOS transistors as varactors and back-gate tuned pMOS transistors in an active region. Coarse tuning is achieved by using 3-bit pMOS-varactors and fine tuning is performed by using back-gate tuned pMOS transistors in the active region. When 3-bit digital and analog inputs are applied to the designed circuits, voltage-controlled oscillator shows the tuning feature of frequency range between 2.3 GHz and 2.64 GHz. At the power supply voltage of 2.5 V, phase noise is -128dBc/Hz at 3MHz offset from the carrier. Total power dissipation is 7.5 mW.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.12a
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pp.109-111
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2006
This paper presents characterization and analysis of integrated ferromagnetic inductors in RF regime. Two different materials (CoFe/NiFe) are used as ferromagnetic material. Systematic studies of the inductance (L), the Q-factor (Q) and the structure of the inductor have been performed.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.15
no.1
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pp.39-44
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2008
In this paper, fully embedded 2.4GHz WLAN band pass filter (BPF) was investigated into a multi-layered organic packaging substrate using high Q spiral stacked inductors and high Dk MIM capacitors for low cost RF System on Package (SOP) applications. The proposed 2.4GHz WLAN BPF was designed by modifying chebyshev second order filter circuit topology. It was comprised of two parallel LC resonators for obtaining two transmission zeros. It was designed by using 2D circuit and 3D EM simulators for finding out optimal geometries and verifying their applicability. It exhibited an insertion loss of max -1.7dB and return loss of min -l7dB. The two transmission zeros were observed at 1.85 and 6.7GHz, respectively. In the low frequency band of $1.8GHz{\sim}1.9GHz$, the stop band suppression of min -23dB was achieved. In the high frequency band of $4.1GHz{\sim}5.4GHz$, the stop band suppression of min -l8dB was obtained. It was the first embedded and the smallest one of the filters formed into the organic packaging substrate. It has a size of $2.2{\times}1.8{\times}0.77mm^3$.
Kim, Jong-Man;Lee, Sang-Hyo;Park, Jae-Hyoung;Kim, Jung-Mu;Baek, Chang-Wook;Kwon, Young-Woo;Kim, Yong-Kweon
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.4
no.4
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pp.300-306
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2004
This paper reports a novel tunable bandpass filter using two-state switched inductor with direct-contact MEMS switches for wireless LAN applications. In our filter configuration, the switched inductor is implemented to obtain more stable and much larger frequency tuning ratio compared with variable capacitor-based tunable filter. The proposed tunable filter was fabricated using a micromachining technology and electrical performances of the fabricated filter were measured. The filter consists of spiral inductors, MIM capacitors and direct-contact type MEMS switches, and its frequency tunability is achieved by changing the inductance that is induced by ON/OFF actuations of the MEMS switches. The actuation voltage of the MEMS switches was measured of 58 V, and they showed the insertion loss of 0.1 dB and isolation of 26.3 dB at 2 GHz, respectively. The measured center frequencies of the fabricated filter were 2.55 GHz and 5.1 GHz, respectively. The passband insertion loss and 3-dB bandwidth were 4.2 dB and 22.5 % at 2.55 GHz, and 5.2 dB and 23.5 % at 5.1 GHz, respectively.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.15
no.3
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pp.284-290
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2004
In this paper, two types of thin nim bulk acoustic resonator(TFBAR) ladder filters are desisted and fabricated to analyze the effects of on-wafer inductor integration. To suppress the overmode phenomenon a 1 $\mu\textrm{m}$ thick air-gap is fabricated under the TFBAR and aluminum nitride is used for piezoelectric material, while platinum is employed for the top and bottom electrodes. The Tx filter in a duplexer, which usually has a steeper skirt characteristics o the right side of the passband, is designed with four serial and two shunt resonators, namely, a 4/2 stage. Similarly, the Rx filter is devised with a 3/4 stage to create a mirrored image of the Tx filter passband characteristics. Fabricated on-wafer spiral inductors with underpass reveals the Q factor of 5~9 at 2 ㎓. Inductor integrated filters have approximately 10 to 12 ㏈ out-of-band rejection improvement, when compared to the original filters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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