Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
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2009.03a
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pp.118-119
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2009
As the rapid development of the electronics, the demand for portable electronics and wireless sensors is growing faster, also with the increased needs of one material which can power it automatically, and then power the electrical devices. The piezoelectric effect of the PVDF material can be used for this. So in this paper, PVDF multilayer films were made for this aim. Make the PVDF / DMAc solution in the 10% concentration; use the spin coater technique to make films with the optimum process parameters: the spin rate is 1260rpm; the spin time is 70s; the dry temperature is 100$^{\circ}C$; the dry time is 30mins. And also, for obtaining the higher $\beta$-phase crystallinity, put the Ca(NH3)2.4H2O into the PVDF / DMAc solution system.
Porous silicons were prepared by dry etching as well as by chemical etching. The latter is a conventional method used by many researchers. Meanwhile, the former is a new method we developed. Also the porous silicon structure was made by E-beam lithography technique. However, due to the limit of this technique, minimum size we could produce was about 0.3 $\mu\textrm{m}$ in diameter on silicon wafer. In a new method, the porous silicon microstructure was fabricated by using Reactive Ion Etching method after covering with diamond powder on 4 inch wafer by using spin coater. In this method, diamond powder acted as a mask. The morphology of samples prepared under many different conditions were analysed be SEM and AFM. And we measured PL spectra for the samples. Based on these results, we observed the structure of a few hundreds $\AA$ in size from porous silicon which was made by dry etching with diamond powder. Also the PL peak for these samples lied around 590 nm compared to 760 nm for chemically etched porous silicon.
We present the rectifying and nitrogen monoxide (NO) gas sensing properties of an oxide semiconductor heterostructure composed of n-type zinc oxide (ZnO) and p-type copper oxide thin layers. A CuO thin layer was first formed on an indium-tin-oxide-coated glass substrate by sol-gel spin coating method using copper acetate monohydrate and diethanolamine as precursors; then, to form a p-n oxide heterostructure, a ZnO thin layer was spin-coated on the CuO layer using copper zinc dihydrate and diethanolamine. The crystalline structures and microstructures of the heterojunction materials were examined using X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The observed current-voltage characteristics of the p-n oxide heterostructure showed a non-linear diode-like rectifying behavior at various temperatures ranging from room temperature to $200^{\circ}C$. When the spin-coated ZnO/CuO heterojunction was exposed to the acceptor gas NO in dry air, a significant increase in the forward diode current of the p-n junction was observed. It was found that the NO gas response of the ZnO/CuO heterostructure exhibited a maximum value at an operating temperature as low as $100^{\circ}C$ and increased gradually with increasing of the NO gas concentration up to 30 ppm. The experimental results indicate that the spin-coated ZnO/CuO heterojunction structure has significant potential applications for gas sensors and other oxide electronics.
We present the detection characteristics of nitrogen monoxide(NO) gas using p-type copper oxide(CuO) thin film gas sensors. The CuO thin films were fabricated on glass substrates by a sol-gel spin coating method using copper acetate hydrate and diethanolamine as precursors. Structural characterizations revealed that we prepared the pure CuO thin films having a monoclinic crystalline structure without any obvious formation of secondary phase. It was found from the NO gas sensing measurements that the p-type CuO thin film gas sensors exhibited a maximum sensitivity to NO gas in dry air at an operating temperature as low as $100^{\circ}C$. Additionally, these CuO thin film gas sensors were found to show reversible and reliable electrical response to NO gas in a range of operating temperatures from $60^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$. It is supposed from these results that the p-type oxide semiconductor CuO thin film could have significant potential for use in future gas sensors and other oxide electronics applications using oxide p-n heterojunction structures.
The hydration effect on the intrinsic magnetism of natural salmon double-strand DNA was explored using electron magnetic resonance (EMR) spectroscopy and superconducting quantum interference device (SQUID) magnetic measurements. We learned from this study that the magnetic properties of DNA are roughly classified into two distinct groups depending on their water content: One group is of higher water content in the range of 2.6-24 water molecules per nucleotide (wpn), where all the EMR parameters and SQUID susceptibilities are dominated by spin species experiencing quasi one-dimensional diffusive motion and are independent of the water content. The other group is of lower water content in the range of 1.4-0.5 wpn. In this group, the magnetic properties are most probably dominated by cyclotron motion of spin species along the helical π -way, which is possible when the momentum scattering time (${\tau}_k$) is long enough not only to satisfy the cyclotron resonance condition (${\omega}_c{\tau}_k$ > 1) but also to induce a constructive interference between the neighboring double helices. The same effect is reflected in the S-shaped magnetization-magnetic field strength (M-H) curves superimposed with the linear background obtained by SQUID measurements, which leads to larger susceptibilities at 1000 G when compared with the values at 10,000 G. In particular, we propose that the spin-orbital coupling and Faraday's mutual inductive effect can be utilized to interpret the dimensional crossover of spin motions from quasi 1D in the hydrate state to 3D in the dry state of dsDNA.
Kim, Do-Yoon;Yoo, Ji-Beom;Han, In-Taek;Kim, Ha-Jin;Kim, Ha-Jong;Jin, Yong-Wan;Kim, Jong-Min
Journal of Information Display
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v.6
no.2
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pp.19-24
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2005
The density controlled carbon nanotubes (CNTs) are grown on the iron acetate nanoparticles by using the freeze-dry method. The iron-acetate [Fe(II)$(CH_3COO)_2$] solution is used to prepare the catalytic iron nanoparticles. The density of CNTs is controlled in order to enhance the field emission process. Furthermore, the patterning of the iron nanoparticle catalyst-layer for the fabrication of electronic devices is simply achieved by using alkaline solution, TMAH (tetramethylammonium hydroxide). We applied this patterning process of catalyst layer to form the electron emitter with under-gate type triode structure.
The aim of this study is to determine the exposure concentration of tetrabromobisphenol A(TBBPA) in southwestern coast and their photodecomposition rate. Also, it is to identify the radical species of the photodecomposition of TBBPA and their reactive byproducts using the electron spin resonance(ESR) method. TBBPA was not detected in any of the sea water samples from Mokpo, Gunsan, or Goheung. The sediment samples from Mokpo contained not detection(N.D)~50.0 ng/g dry wt., while those from Gunsan contained N.D~28.5 ng/g dry wt. and those from Goheung contained N.D~7.3 ng/g dry wt. The photodecomposition rates were $2.56{\times}10^{-6}/hr$ by visible light(400 nm), $7.98{\times}10^{-6}/hr$ by ultraviolet light(300 nm <), and $6.78{\times}10^{-6}/hr$ by sunlight. Also, we confirmed that singlet oxygen and hydroxyl radicals are the key reactive oxygen species at wavelengths greater than 400 and 300 nm, respectively. This study shows that the main byproducts formed during irradiation at wavelengths above 300 nm are 2,6-dibromobenzosemiquinone radical(2,6-$DBSQ{\cdot}^-$) and g-value 2.0048 doublet spectrum.
Self-patterning of thin films using photosensitive sol solution has advantages such as simple manufacturing process compared to photoresist/dry etching process. In this study,$La_{0.5}SR_{0.5}CoO_3$(LSCO) thin films as an electrode material for ferroelectric memories have been prepared by spin coating method using photosensitive sol solution. La-2methoxyethoxide, Sr-ethoxide, Co-2methoxyethoxide were used as starting materials. As UV exposure time to the LSCO gel thin film increased, the UV absorption peak intensity of metal${beta}$-diketonate decreased due to reduced solubility by M(metal)-O-M bond formation. Solubility difference by UV irradiation on LSCO gel thin film allows to obtain a fine patterning of thin film. The LSCO thin films annealed over$680{\circ}C$ in air showed perovskite phase and the lowest resistivity$(4{ imes}10^{-3}{Omega}cm)$ of the thin films were obtained by annealing at$740{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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