$NO_2$기체의 감지를 위한 sensor의 원료물질로 $SnO_2$를 사용하였으며 $SnCl_4$ 용액을 암모니아수로 침전시킨 후 공기중에 하소하여 $SnO_2$를 제조하였다. $SnO_2$의 특성을 XRD 및 IR로 연구하였으며 스크린-프린팅법으로 $SnO_2$후막소자를 제작하였다. 하소온도가 높을수록 $SnO_2$의 입자의 크기는 결정의 성장으로 증가하였다. $1000^{\circ}C$에서 하소된 $SnO_2$분말을 가지고 만든 소자를 $700^{\circ}C$에서 열처리하여 제작된 $SnO_2$소자는 동작온도 $250^{\circ}C$에서 $NO_2$기체에 대한 우수한 감지특성과 선택성을 나타내었다.
Boran Kong ;Kaijie Zhu ;Han Zhang ;Chen Hao ;Jiong Guo ;Fu Li
Nuclear Engineering and Technology
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제55권4호
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pp.1350-1364
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2023
2D/1D coupling method is an important neutron transport calculation method due to its high accuracy and relatively low computation cost. However, 2D/1D coupling method may diverge especially in small axial mesh size. To analyze the convergence behavior of 2D/1D coupling method, a Fourier analysis for k-eigenvalue neutron transport problems is implemented. The analysis results present the divergence problem of 2D/1D coupling method in small axial mesh size. Several common attempts are made to solve the divergence problem, which are to increase the number of inner iterations of the 2D or 1D calculation, and two times 1D calculations per outer iteration. However, these attempts only could improve the convergence rate but cannot deal with the divergence problem of 2D/1D coupling method thoroughly. Moreover, the choice of axial solvers, such as DGFEM SN and traditional SN, and its effect on the convergence behavior are also discussed. The results show that the choice of axial solver is a key point for the convergence of 2D/1D method. The DGFEM SN based 2D/1D method could converge within a wide range of optical thickness region, which is superior to that of traditional SN method.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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pp.122-123
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2006
Tin oxide nanoparticles (n-SnO and $n-SnO_2$) were synthesized by the inert gas condensation (IGC) method under dynamic gas flow of oxygen and argon at various conditions. Transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) method were used to analysis the size, shape and crystal structure of the produced powders. The synthesized particles were mostly amorphous and their size increased with increasing the partial pressure of oxygen in the processing chamber. The particles also became broader in size when higher oxygen pressures were applied. Low temperature annealing at $320^{\circ}C$ in air resulted to crystallization of the amorphous n-SnO particles to $SnO_2$.
We report the post-annealing effect of Sn doped ZnO (ZnO:Sn) thin film grown on sapphire (001) substrate using radio-frequency powder sputtering method. During thermal annealing in a vacuum atmosphere, the ZnO:Sn thin film is transformed into a porous thin film. Based on X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and energy dispersive X-ray analyses, a possible mechanism for the production of pores is presented. Sn atoms segregate to form clusters that act as catalysts to dissociate Zn-O bonds. The Zn and O atoms subsequently vaporize, leading to the formation of pores in the ZnO:Sn thin film. We also found that Sn clusters were oxidized to form SnO or $SnO_2$ phases.
Sn-Cu-Ni계 솔더를 이용한 AC Adapter의 Pb-Free Wave 솔더링 공정을 Six Sigma기법으로 개발하였다. 솔더 접합부의 외관, 미세조직, Lift-off현상 및 Crack발생 유.무를 관찰하여 접합기구를 규명하고자 하였으며 열 충격시험을 통하여 신뢰성평가를 수행하였다. 솔더 접합부의 Sn-Cu-Ni계 솔더와 Cu Land 사이에는 약 5 $\mu\textrm{m}$ 두께의 $(Cu,Ni)_6/Sn_5$ 형태의 금속간화합물이 발견되었고 열 충격후 750사이클까지는 Crack이 발견되지 않았다. 본 연구로 개발된 제품은 기존의 Sn-Pb솔더를 사용한 제품에 비해서 양산성 및 신뢰성 측면에서 우수한 특성을 나타내었다.
SnO nanosheets were prepared at room temperature through a reaction between an aqueous solution of $SnCl_2$, $N_2F_4$, and NaOH and were converted into $SnO_2$ nanosheets without a morphological change. The SnO nanosheets were formed through a dissolution-recrystallization mechanism. Uniform and well-dispersed SnO nanosheets with the round-shape morphology were attained when the solution was treated by ultrasonic sound immediately after the addition of NaOH. The $SnO_2$ nanosheets prepared by means of solution reduction under the ultrasonic treatment, and subsequent oxidation at $600^{\circ}C$ showed a high level of gas sensitivity to $C_2H_5OH$ and $CH_3COCH_3$.
Tin oxide (SnO2) nanocrystals are synthesized by a thermal evaporation method using a mixture of SnO2 and Mg powders. The synthesis process is performed in air at atmospheric pressure, which makes the process very simple. Nanocrystals with a belt shape start to form at 900 ℃ lower than the melting point of SnO2. As the synthesis temperature increases to 1,100 ℃, the quantity of nanocrystals increases. The size of the nanocrystals did not change with increasing temperature. When SnO2 powder without Mg powder is used as the source material, no nanocrystals are synthesized even at 1,100 ℃, indicating that Mg plays an important role in the formation of the SnO2 nanocrystals at temperatures as low as 900 ℃. X-ray diffraction analysis shows that the SnO2 nanocrystals have a rutile crystal structure. The belt-shaped SnO2 nanocrystals have a width of 300~800 nm, a thickness of 50 nm, and a length of several tens of micrometers. A strong blue emission peak centered at 410 nm is observed in the cathodoluminescence spectra of the belt-shaped SnO2 nanocrystals.
In this study, the fabrication of through-silicon vias (TSVs) filled with SWNTs/Sn by utilizing surface/bulk micromachining and MEMS technologies is proposed. Tin (Sn) and single-walled nanotube (SWNT) powders are used as TSV interconnector materials in the development of a novel TSV at low temperature. The measured resistance of a TSV filled with SWNT/Sn powder is considerably reduced by increasing the fraction of Sn and is lower than that of a TSV filled with only Sn. This is because of a decrease in the surface scattering of electrons along with an increase in the grain size of sintered SWNTs/Sn. The proposed method is conducted at low temperatures (< $400^{\circ}C$) due to the low melting temperature of Sn; hence, the proposed TSVs filled with SWNTs/Sn can be utilized in CMOS based applications.
본 고에서는 Nb$_{3}$Sn 초전도선재의 대표적인 제조방법 및 원리 그리고 고자장마그네트 설계시 중요한 요소인 Nb$_{3}$Sn의 자장중 초전도특성 및 기계적특성 등에 대하여 고찰하고자 한다. 또한 Nb$_{3}$Sn 초전도선재의 응용분야로서 몇가지 대표적인 예를 들어 현재 세계적으로 활발하게 진행되고 있는 선진국의 고자장 초전도마그네트와 관련된 연구개발동향을 소개하고자 한다.
The reaction of ultra-small eutectic 58Bl-42Sn solder bump with Au/Ni/Ti and Au/Cu/Ti UBMs during reflow was studied. The eutectic Bi-Sn solder bumps of $46{\mu}m$ diameter were fabricated by using the evaporation method and were reflowed using the rapid thermal annealing system. The intermetallic compound was characterized using a SEM, an EDS, and an XRD. The $(Cu_xAu_{1-x})_6Sn_5$ compounds formed at the interface between Bi-Sn solder and Au/Cu/Ti UBM. On the other hand, in the Bi-Sn solder bump on Au/Ni/Ti UBM, the faceted and rectangular intermetallic compounds were observed on the solder bump surface and inside the solder bump as well as at the UBM interface. These intermetallic compounds were Identified as $(Au_{l-x-y}Bi_xNi_y)Sn_2$ phase.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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