• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
• /
• 제33권3호
• /
• pp.178-192
• /
• 2006

버퍼 오버플로우 공격은 Code Red나 SQL Stammer와 같은 최근의 웜의 발발에서 알 수 있는 것과 같이 가장 강력하고 치명적인 형태의 악성 코드 공격이다. 버퍼 오버플로우 공격은 일반적으로 시스템에 비정상적인 증상들을 유발한다. 버퍼 오버플로우 공격에 대한 기존의 대처방안들은 심각한 성능 저하를 초래하거나, 다양한 형태의 버퍼 오버플로우 공격을 모두 방지하지 못했으며, 특히 일반적으로 사용되는 소프트웨어 패치를 사용하는 방법은 버퍼 오버플로우 입의 확산을 효과적으로 차단하지 못한다. 이러한 문제를 해결하고자 본 논문에서는 적은 하드웨어 비용과 성능 저하만으로 거의 모든 악성 코드 공격을 탐지하고 피해를 복구할 수 있도록 하는 복귀 주소 포인터 스택 (Return Address Pointer Stack: RAPS) 과 변조 복구 버퍼 (Corruption Recovery Buffer: CRB)라는 마이크로 구조 기술들을 제안한다. 버퍼 오버플로우 공격으로 인한 비정상적인 증상들은 RAPS를 통해 프로세스 실행 중 메모리 참조의 안전성을 점검함으로써 쉽게 탐지될 수 있으며, 이는 그러한 공격들에 의한 잠재적인 데이타 흑은 제어 변조를 피하는 것을 가능하게 한다. 안전 점검 장치의 사용으로 인한 하드웨어 비용과 성능 손실은 거의 발생하지 않는다. 또한, RAPS에 비해 더욱 강도 높은 방법인 CRB를 이용하여 보안 수준을 더욱 향상시킬 수 있다. 변조 복구 버퍼는 안전 점검 장치와 결합되어 버퍼 오버플로우 공격에 의해 발생했을 가능성이 있는 의심스러운 쓰기들을 저장함으로써 공격이 탐지되는 경우 메모리의 상태를 공격 이전의 상태로 복구시킬 수 있다. SPEC CPU2000 벤치마크 중에서 선정한 프로그램들에 대해 상세한 시뮬레이션을 수행함으로써, 제안된 마이크로구조 기술들의 효율성을 평가할 수 있다. 실험 결과는 안전 점검 장치를 사용하여 공격으로 인한 복귀 주소 변조로부터 스택 영역을 방어하는 것이 시스템의 이상 증상들을 상당 부분 감소시킬 수 있다는 것을 보여준다. 또한, 1KB 크기의 작은 변조 복구 버퍼를 안전 점검 장치와 함께 사용할 경우 스택 스매싱 공격으로 인해 발생하는 추가적인 데이타 변조들까지 막아낼 수가 있는데, 이로 인한 성능 저하는 2% 미만에 불과하다.

• Progress in Superconductivity
• /
• 제7권2호
• /
• pp.130-134
• /
• 2006

Buffer layers such as $CeO_2\;and\;Yb_2O_3$ films for YBCO coated conductors were deposited on (100) $SrTiO_3$ single crystals and (100) textured Ni substrates by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) system of the hot-wall type. The substrates were moved with the velocity of 40 cm/hr. Source flow rate, $Ar/O_2$ flow rate and deposition temperature were main processing variables. The degree of film epitaxy and surface morphology were investigated using XRD and SEM, respectively. On a STO substrate, the $CeO_2$ film was well grown epitaxially above the deposition temperature of $450^{\circ}C$. However, on a Ni substrate, the XRD showed NiO (111) and (200) peaks due to Ni oxidation as well as (111) and (200) film growth. For the films deposited with $O_2$ gas as oxygen source, it was found that the NiO film was formed at the interface between the buffer layer and the Ni substrate. The NiO layer interrupts the epitaxial growth of the buffer layer. It seems that the epitaxial growth of the buffer layer on Ni metal substrates using $O_2$ gas is difficult. We are considering a new method avoiding Ni oxidation with $H_2O$ vapor instead of $O_2$ gas.

• 한국통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국통신학회 1986년도 춘계학술발표회 논문집
• /
• pp.156-159
• /
• 1986

In this paper, we discribed characteristics of two buffer which are limited area in packet communication networks, we selected JSQ(Join the Shortest Queue) method for buffrt management and compared it with single, random methods. The blocking probabilities of massage using JSQ method is decreased about (2.5 times) in compared with that of single queue method and (0.5 times) in random selection method. This results could be used in designing packet switching communication networks.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2001년도 창립10주년 제20회 학술발표회
• /
• pp.196-196
• /
• 2001

• 한국경영과학회:학술대회논문집
• /
• 한국경영과학회/대한산업공학회 1999년도 춘계공동학술대회:정보화시대의 지식경영
• /
• pp.275-277
• /
• 1999

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
• /
• pp.103-106
• /
• 2012

실시간 영상신호압축에서 일정 분량의 신호를 저장한 후 다른 순서로 읽어내는 과정은 간단하지만 JPEG, MPEG1/2/4, H.264, HEVC 등의 거의 모든 표준에서 필수적으로 사용하고 있는 중요한 과정이다. 실시간 처리가 중요하기 때문에 지금까지는 필요한 영상 블럭 크기의 메모리를 두 개 이용하여 동시에 번갈아 가며 읽고 쓰는 이중 버퍼링 방법을 사용하였다. 예외적으로 2D DCT에서의 전치버퍼의 경우는 입출력 순서가 단순하기 때문에 단일 버퍼링을 이용하여 입출력 순서의 변환이 가능하다. 본 논문에서는 불규칙한 임의의 입출력 순서에서도 유한한 횟수 안에 규칙적 형태의 입출력 순서열이 반복됨을 보이고, 그것을 이용하여 단일 메모리를 사용하는 효율적인 실시간 메모리 입출력 기법을 구현하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제9권7호
• /
• pp.1497-1501
• /
• 2005

프로그램의 순차적인 실행 순서를 바꾸는 명령어를 분기 명령어라 하며, 분기는 마이크로프로세서의 파이프라인 정지를 일으켜 성능을 저하시키는 가장 큰 원인이 된다. 이에 따라 분기를 정확히 예측하여 다음 실행될 명령어를 제공한다면 마이크로프로세서의 자연스런 명령어의 실행 흐름은 끊어지지 않게 되고 이로써 논은 성능의 향상을 기대할 수 있게 된다. 분기 예측을 위해서는 분기 타겟 버퍼가 필수적이며, 분기 타겟 버퍼는 분기 예측 결과에 따라 다음에 실행할 명령어의 주소를 제공한다. 본 논문에서는 가상주소를 실제주소로 바꾸어 주는 TLB와 분기 타겟 버퍼가 각각 가지고 있는 태그 메모리를 함께 사용하는 구조를 제안한다. 이러한 공유 태그 구조의 이점은 2재의 태그 메모리를 하나로 공유함으로써 칩 면적의 감소를 꾀하고 더불어 분기 예측 속도를 향상시킬 수 있다는 점이다. 또한, 본 논문에서 제안된 구조는 주소로 사용되는 비트 수가 커지거나 여러 개의 명령어를 동시에 실행할 수 있는 구조에서 그 이점이 더욱 커지기 때문에 향후 개발되는 마이크로프로세서에서 유용하게 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제48권8호
• /
• pp.45-52
• /
• 2011

플래시 메모리는 빠른 처리 속도, 비휘발성, 저전력, 강한 내구성으로 인해 최근 다방면에서 활용되는 비중이 점점 커지고 있고, 최근 비트 당 가격이 저렴해지면서 NAND 플래시 기반의 SSD (Solid State Disk)가 기존 기계적 메커니즘의 HDD(Hard Disk Drive)를 대체할 새로운 저장 장치로 주목받고 있다. 특히 모바일 기기에 적용되는 싱글 패키지 SSD 제품의 경우 병렬 처리를 통한 성능 향상을 위해 채널 수를 증가시키면 NAND 플래시 컨트롤러의 면적과 입출력 핀 수가 채널 수 증가에 따라 증가하여 폼팩터 (form factor)에 직접적인 영향을 주게 된다. 본 논문에서는 NAND 플래시 채널 수와 인터페이스의 채널당 FIFO 버퍼 사이즈를 최적화하여 SSD 컨트롤러의 성능을 고려한 면적과 입출력 핀 수를 최소화하고 이를 폼팩터에 반영하는 방법을 제안한다. 이중 버퍼를 채용한 10채널 지원 SSD 컨트롤러에 대해서 실험을 통해 동일한 성능을 유지하면서도 버퍼 블록 사이즈를 73%정도 축소시킬 수 있었고, 컨트롤러 전체 칩 면적으로는 채널 수 감소에 따른 채널별 컨트롤 블록과 입출력 핀 수 감소 등으로 인해 대략 40%정도 축소 가능할 것으로 예상된다.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제41권1호
• /
• pp.73-82
• /
• 2004

GFR 서비스는 UBR의 단순성을 유지하면서 최소 전송율 보장, 잉여 대역의 공평한 할당 및 효율적인 링크 대역의 사용을 보장해야 한다. ATM에서 TCP 트래픽에 대응해서 만들어진 이러한 GFR 서비스 클래스의 효율적인 관리를 위해서는 ATM 스위치에서의 버퍼 관리가 필요하다. 제안된 버퍼 관리 알고리즘은 단일 FIFO에서 per-VC accounting 방식을 사용하며 GFR.1 및 GFR.2 모두를 수용할 수 있는 버퍼 관리 알고리즘이다. 제안된 알고리즘은 GFR.1 및 GFR.2를 차별적으로 다루기 위해서 CLP=0인 셀 수 및 CLP=1인 셀 수를 이용하여 버퍼 관리를 함으로써 GFR.1 VC들과 GFR.2 VC들에게 공평하게 잉여대역을 할당하여 사용함을 볼 수 있었으며, 전체 공평성 관점에서도 기존 알고리즘보다 우수한 성능을 보여주었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제30권1호
• /
• pp.1-6
• /
• 2017

Tungsten carbide (WC) has been suggested as a new buffer layer for the GaN-on-Si technology. We have investigated and optimized the sputtering condition of WC layer on the Si-substrate. We confirmed the suppression of the Si melt-back phenomenon. In addition, surface energy of WC/Si layer was measured to confirm the possibility as a buffer layer for GaN growth. We found that the surface energy(${\gamma}=82.46mJ/cm^2$) of WC layer is very similar to that of sapphire substrate(${\gamma}=82.71mJ/cm^2$). We grow GaN layer on the WC buffer by using gas-source MBE, and confirm that it is available to grow a single crystalline GaN layer.