SOI(Silicon-On-Insulator) technology is proposed as an alternative to bulk silicon for MEMS(Micro Electro Mechanical System) manufacturing. In this paper, we fabricated the SOI wafer with uniform active layer thickness by silicon direct bonding and mechanical polishing processes. Specially-designed electrostatic bonding system is introduced which is available for vacuum packaging and silicon-glass wafer bonding for SOG(Silicon On Glass) wafer. We demonstrated thermopile sensor and RF resonator using the SOI wafer, which has the merits of simple process and uniform membrane fabrication.
본 논문은 silicon-on-glass(SOG) 공정에서 접합력 균일도 향상을 위한 고정단 설계에 대한 내용을 다룬다. SOG 공정은 전극이 형성된 유리 기판층과 실리콘 구조층의 양극접합을 기반으로 하며, 가속도 센서와 공진형 센서를 비롯한 고종횡비 구조를 갖는 다양한 실리콘 센서들의 제작에 널리 사용된다. 본 논문에서는 전극과 유리 기판층의 표면 사이에 발생하는 단차로 인한 불균일한 접합을 방지하기 위해, 실리콘 구조층에서 유리 기판층과 접합되는 부분과 전극과 겹쳐지는 부분을 트렌치(trench)를 이용해 분리하는 새로운 형상의 고정단을 제안한다. 본 고정단은 추가적인 공정 없이 기존의 SOG 공정으로 제작되는 디바이스들에 손쉽게 적용이 가능하다.
3차원 실리콘 챔버를 갖는 $15.8{\times}15.8 mm^2$크기의 칩을 바이오 센서용으로 마이크로머시닝 기술을 이용하여 개발하였다. 비등방성 식각기술을 이용하여 (100)방향의 p형 실리콘 웨이퍼위에 마이크로 챔버를 형성하였다. 마이크로 챔버를 갖는 웨이퍼와 백금전극이 도포된 Pyrex 유리를 DGF-48S 접착제를 이용하여 접합하였다. 백금전극과 Ag/AgCl 기준전극에 의한 전기화학적 특성을 조사하였다.
We report experimental results on the high-speed micromachining using a femtosecond laser (800 nm, 130 fs, 1kHz) and galvanometer scanner system (Raylase, Germany). Periodic hole drilling of silicon and glass with the scan speed of 1-20 mm/s is demonstrated. Finally, we demonstrate the utility of the femtosecond laser application to ITO patterning by using a high-speed femtosecond laser scanner system.
The fabrication of a micro mass flow sensor on a silicon chip by means of micro-machining technology is described on this paper. The operation of micro mass flow sensor is based on the heat transfer from a heated chip to a fluid. The temperature differences on the chip is a measure for the flow velocity in a plane parallel with the chip surface. An anisotropic etching technigue was used for the formation of the V-type groove in this fabrication. The micro mass flow sensor is made up of two main parts ; A thin glass plate embodying the connecting parts and mass flow sensor parts in silicon chip. This sensor have a very small size and a neglible dead space. Micro mass flow sensor can fabricate on silicon chip by micro machining technology too.
In this study, a micro-glucose sensor was fabricated by micromachining technology and its sensing characteristics were investigated. The 7740 pyrex glass was used as the bottom substrate and anisotropically etched silicon wafer was used as the top substrate. The size of the fabricated microchip is 1.58${\times}$1.58mm$^2$. It is shown that output current exhibits a linear change according to glucose concentration (100 mM ∼ 300 mM). It is also shown that the response time for glucose was within 240 sec. It was followed by a saturation trend within 50 sec. The g1ucose sensor with Fc$\^$+/ exhibits relatively higher sensitivity than that without Fc$\sub$+/ for output current.
A new valveless micropump for bi-directional application has been developed and tested. The micropump was fabricated on silicon and glass substrates by micromachining process. The micropump in this study consists of a membrane actuator, a pumping chamber, fluidic channels and two piezoelectric ceramic films. The channels and pumping chamber were etched on a glass wafer and the membrane was made on a silion wafer which is actuated by a piezoelectric ceramic (PZT) film. The geometry of the micropump was optimized by numerical analysis and the performance of the micropump was investigated by the experiments. The maximum flow rate was $323{\mu}L/min$ and the maximum back pressure was 294 Pa when the membrane actuator of $10{\times}10mm^2$ was driven at 130 Hz and 385 V.
This paper presents the analysis, the fabrication and the test results of a micro passive gas pressure regulator to keep the outlet pressure costant even for a widely-varying inlet pressure. This device is to regulate the outlet pressure according to the applied reference pressure based on the pressure balancing mechanism of the structure including a membrane and a valve. This regulator consists of four layers; a bulk-micromachined silicon substrate, a sandblasted glass substrate, a PDMS valve seat layer and a glass valve layer. The device size is $10\times13\times1.7 mm3$. The device was fabricated by micromachining. The characteristic of the device was analyzed and tested. The characteristic of the fabricated pressure regulator is similar to that obtained from the analysis. The pressure regulator of this paper is feasible for portable systems and miniature drug delivery systems.
Recently, mass spectrometers are widely used for in-situ chemical analysis. It has rapid response and high sensitivity. In this paper, we present the fabrication and test of a cold cathode emitter for micro mass spectrometer using CNTs(Carbon nano tubes). The CNTs have good mechanical, electrical and chemical characteristics. So they have a long life time and strong robustness. The micro mass spectrometer is composed of the glass substrate and the silicon substrate. The glass substrate is constructed by electrodes for TOF(Time-of-flight) which analyze an ion with mass to charge ratio as ion separator. The silicon substrate is highly doped wafer which is patterned for gate electrode and then 100 11m dry etching to grow the CNTs as the electron emitter. The CNTs are grown by HFCVD(Hot filament chemical vapor deposition) with sputtering the catalyst. We successfully attained to grow the CNTs and to test the characteristics.
Aluminum-induced crystallization (AIC) of amorphous silicon (a-Si) is studied with the structure of a glass/Al/$SiO_2$/a-Si, in which the $SiO_2$ layer has micron-sized laser holes in the stack. An oxide layer between aluminum and a-Si thin films plays a significant role in the metal-induced crystallization (MIC) process determining the properties such as grain size and preferential orientation. In our case, the crystallization of a-Si is carried out only through the key hole because the $SiO_2$ layer is substantially thick enough to prevent a-Si from contacting aluminum. The crystal growth is successfully realized toward the only vertical direction, resulting a crystalline silicon grain with a size of $3{\sim}4{\mu}m$ under the hole. Lateral growth seems to be not occurred. For the AIC experiment, the glass/Al/$SiO_2$/a-Si stacks were prepared where an Al layer was deposited on glass substrate by DC sputter, $SiO_2$ and a-Si films by PECVD method, respectively. Prior to the a-Si deposition, a $30{\times}30$ micron-sized hole array with a diameter of $1{\sim}2{\mu}m$ was fabricated utilizing the femtosecond laser pulses to induce the AIC process through the key holes and the prepared workpieces were annealed in a thermal chamber for 2 hours. After heat treatment, the surface morphology, grain size, and crystal orientation of the polycrystalline silicon (pc-Si) film were evaluated by scanning electron microscope, transmission electron microscope, and energy dispersive spectrometer. In conclusion, we observed that the vertical crystal growth was occurred in the case of the crystallization of a-Si with aluminum by the MIC process in a small area. The pc-Si grain grew under the key hole up to a size of $3{\sim}4{\mu}m$ with the workpiece.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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