• 한국주조공학회지
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• 제13권3호
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• pp.238-247
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• 1993

Microstructure, hardness and wear characteristics of $SiC_p/Al-6.5wt%Si-1.7wt%Mg$ alloy composites fabricated by the method of rheo-compocasting and hot pressing are investigated in this study. The dispersion of SiC particles in the composites is homogeneous and the hardness improves as additional amount increases. The wear amount of the matrix metal increases highly as wear rates increase, for the wear mechanism changes from adhesive wear to melt wear, and the matrix metal was coated on the surface of revolving disc and its weight increases. In the 5vol% composites, Fe is adhered on the surface of specimen by the projection of the dispersed hard SiC particles which have net-work structure and the coating layer is about $300{\mu}m$. But in the composite more than 20vol%, the wear amount of composite decreases because the SiC particles which have superior hardness, wear resistance and heat resistance properties resist wear, the abrasive wear turn out predominant wear mechanism and so the wear amount of revolving disc increases.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권7호
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• pp.481-485
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• 2003

25㎛ 두께의 폴리이미드 박핀 기판을 glass 기판에 부착하여 최대 온도 150℃에서 비정질 실리콘 TFT를 제작하였다. 본 논문은 plastic 기판 위에 TFT가 제작되는 공정 절차를 요약하고 glass 위에 제작된 TFT와 ON/OFF 전달특성과 전계효과 이동도를 서로 비교해 보았다. a-SiN:H 코팅층은 plastic 기판의 표면 거칠기를 감소시키는 중요한 역할을 하여 TFT의 누설전류를 감소시키고 전계효과 이동도를 증가시켰다. 따라서 a-SiN:H 코팅층을 이용하여 plastic 기판에 양철의 TFT를 제작하였다.

• Journal of Korean Dental Science
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• 제8권2호
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• pp.82-88
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• 2015

Purpose: To evaluate the effect of light-curing on the immediate and delayed micro-shear bond strength (${\mu}SBS$) between yttria-tetragonal zirconia polycrystal (Y-TZP) ceramics and RelyX Ultimate when using Single Bond Universal (SBU). Materials and Methods: Y-TZP ceramic specimens were ground with #600-grit SiC paper. SBU was applied and RelyX Ultimate was mixed and placed on the Y-TZP surface. The specimens were divided into three groups depending on whether light curing was done after adhesive (SBU) and resin cement application: uncured after adhesive and uncured after resin cement application (UU); uncured after adhesive, but light cured after resin cement (UC); and light cured after adhesive and light cured resin cement (CC). The three groups were further divided depending on the timing of ${\mu}SBS$ testing: immediate at 24 hours (UUI, UCI, CCI) and delayed at 4 weeks (UUD, UCD, CCD). ${\mu}SBS$ was statistically analyzed using one-way ANOVA and Student-Newman-Keuls multiple comparison test (P<0.05). The surface of the fractured Y-TZP specimens was analyzed under a scanning electron microscope (SEM). Result: At 24 hours, ${\mu}SBS$ of UUI group ($8.60{\pm}2.06MPa$) was significantly lower than UCI group ($25.71{\pm}4.48MPa$) and CCI group ($29.54{\pm}3.62MPa$) (P<0.05). There was not any significant difference between UCI and CCI group (P>0.05). At 4 weeks, ${\mu}SBS$ of UUD group ($24.43{\pm}2.88MPa$) had significantly increased over time compared to UUI group (P<0.05). The SEM results showed mixed failure in UCI and CCI group, while UUI group showed adhesive failure. Conclusion: Light-curing of universal adhesive before or after application of RelyX Ultimate resin cement significantly improved the immediate ${\mu}SBS$ of resin cement to air-abrasion treated Y-TZP surface. After 4 weeks, the delayed ${\mu}SBS$ of the non-light curing group significantly improved to the level of light-cured groups.

• 한국진공학회지
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• 제18권3호
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• pp.203-207
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• 2009

반도체 공정에서 기존 금속배선으로 사용되던 Al을 대체하여 사용되는 금속배선으로는 Cu가 그 대안으로 인식되고 있다. 이는 비저항값이 Al ($2.66{\mu}{\Omega}$-cm)보다 Cu ($1.67{\mu}{\Omega}$-cm)가 더 작아 RC 지연 시간 (RC delay time)을 극복하기 때문이다. 그러나 Cu의 녹는점은 $1085^{\circ}C$로 높지만 저온에서 쉽게 Si기판과 반응하는 특성을 가지고 있고, 또한 Si과의 접착력이 좋이 않는 것으로 알려져 있다. 이러한 이유로 Cu와 Si과의 반응을 방지하고 접착력을 높이기 위하여 확산방지막의 연구가 꾸준히 진행되고 있다. 본 연구그룹에서는 Cu의 확산을 방지하기 위하여 W-C-N의 확산방지막에 대하여 연구하여 왔다. 지금까지 보고된 연구 결과에 의하면 W-C-N (tungsten-carbon-nitrogen) 확산방지막은 고온에서도 Cu와 Si과의 확산을 효과적으로 방지하는 것으로 보고되었다. 이 논문에서는 W-C-N 확산방지막에 질소(N) 비율을 다르게 증착하여 지금까지 진행한 연구 결과를 기반으로 새로이 Cu의 전자거동현상(Electromigration)에 대하여 연구하였고, 고온 열처리 과정에서 박막의 표면강도 (Surface hardness)를 Nano-Indenter system을 이용하여 연구하였다. 이러한 연구를 통하여 박막내 질소가 포함된 W-C-N 확산방지막이 Cu의 전자거동에 더 안정적이며, 고온 열처리 과정에서도 표면 강도가 더 안정한 연구 결과를 획득하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권6호
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• pp.283-287
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• 2002

초고집적 반도체 회로에서 Cu를 배선으로 쓰이기 위한 Cu 금속과 Si 기판사이의 확산방지막으로써 Zr(Si)N 박막을 연구하였다. Zr(Si)N 박막증착은 DC magnetron sputter으로 $Ar/N_2$의 혼합 gas를 사용한 reactive sputtering 방법을 이용하였다. 상온에서 ZrN 박막 증착시 Ar gas와 NE gas 비율이 48 : 2일 때 가장 낮은 비저항값을 가졌으며, 증착시 기판의 온도의 증가에 따라서 비저항값이 낮아졌다. 비저항값이 감소된 ZrN 박막일수록 (002)면의 방향성을 갖는 결정이 성장되었다. ZrN 박막의 Cu 확산방지 특성은 ZrN 박막에 Si을 첨가함으로써 개선될 수 있으며 지나치게 첨가될 경우에는 오히려 확산방지 특성이 감소되었다. 접착력 특성에서는 ZrN에 Si의 함유량이 증가함에 파라 개선되었다. 증착막의 특성은 XRD, 광학 현미경, scretch tester 그리고 $\alpha$-step 등을 사용하여 분석하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 The IMAPS-Korea Workshop 2001 Emerging Technology on packaging
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• pp.100-103
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• 2001

본 연구에서는 무전해도금으로 증착된 구리박막의 열적 및 접착특성에 관하여 고찰하였다. Si 기판에 MOCVD 방법으로 TaN 확산방지막을 증착한 후, 무전해 도금으로 구리박막을 증착하여 Cu/TaN/Si 다층구조를 제조공정하였다. 그리고, Ar 분위기에서 열처리시켰으며, 열처리온도에 따른 비저항 변화를 고찰함으로서 Cu/TaN/Si 계의 열적 특성을 분석하였다. 무전해도금 구리박막의 접착특성은 스크래치 테스트에 의해 평가하였으며, 열적 증착방법과 스퍼터 방법으로 증착된 구리 박막과 비교하였다. 스크래치 테스트 결과, 무전해도금 구리 박막의 접착력이 열적 증착과 스퍼터 방법으로 증착된 구리 박막보다 더 우수하였다.

• 접착 및 계면
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• 제7권4호
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• pp.39-44
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• 2006

A new kind of silicone-epoxy composite is reported in this research. The silicone-epoxy resin was synthesized by the hydrosilylation of tetramethycyclotetrasiloxane and 4-vinyl-1-cyclohexene 1,2-epoxy with a high reaction yield. It was found that the obtained silicone-epoxy resin shows a high reactive activity to the aluminum complex-silanol catalyst. The resin could be cured under the catalysis of $(Al(acac)_3/Ph_2Si(OH)_2$ at a concentration below 0.1 wt% to give a hard cured resin showing excellent optical clarity, UV resistance and thermal stability. It was also found that the Si-H groups facilitated the curing reaction and the silicone-epoxy resin bearing Si-H group could be cured effectively even if $Ph_2Si(OH)_2h$ was absent. Moreover, the UV resistance and thermal stability were improved significantly by the introduction of Si-H groups. This is possibly due to the reductive property of Si-H groups which can annihilate radical and peroxide effectively. This kind of silicone-containing epoxy composite might have very promising applications as optical resin, optical adhesive and encapsulation materials for electronic devices.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권2호
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• pp.13-20
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• 2008

본 논문에서는 CMOS 이미지 센서의 웨이퍼 레벨 어셈블리를 위한 스페이스 제작 방법을 설명하였다. 스페이스 제작을 위해서 SU-8, PDMS, Si-interposer를 이용하는 세 가지 방법을 제안하였다. SU-8 스페이스에서는 균일한 두께 특성을 위해서 웨이퍼 회전 장치를 고안했으며, PDMS 스페이스에서는 glass/PDMS/glass 구조의 정렬 접합을 위해서 새로운 접합 방법을 제안하였다. Si-interposer를 이용한 스페이스 제작에서는 DRF을 이용한 접합 조건을 확립하였다. 세 가지의 실험 결과 Si-interposer를 이용한 스페이스 제작 시 glass/스페이스/glass 구조의 접합력이 가장 뛰어났으며, 접합력의 크기는 32.3MPa의 전단응력을 나타내었다.

• 한국광학회지
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• 제12권6호
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• pp.460-462
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• 2001

밀봉재를 사용하는 적외선 렌즈 마운트를 분석하고, 3-5$\mu\textrm{m}$에서 작동하는 전방 관측 적외선 열상장비의 대물렌즈인 직경 117mm의 Si 렌즈 마운팅 설계에 적용하였다. 밀봉재료는 Dow Corning 사의 heat cure 타입인 577 primerless Silicone Adhesive(MIL-PRF-23586F)을 이용하였으며, 마운트 재질로는 Al 6061을 사웅하였다. 이론적으로 렌즈와 마운트간의 간격은 -40~+6$0^{\circ}C$의 적용 온도환경에 대하여 250$\mu\textrm{m}$ 이상이 되어야 함을 알 수 있었다.

• 한국정밀공학회지
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• 제1권2호
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• pp.41-46
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• 1984

The machinability of calicium-deoxidized steel is studied in turning by being compared with that of Fe-Si deoxidized steel under a given set of cutting condition. Tool life, cutting force and cutting mechanism are examined on a few sorts of steel. It is found that adhesive layer "Belag" is developed on the cemented carbide tool and the peak value is observed at the cutting speed of 300m/min followed by gradual increase in the thickness of Belag with the increase of cutting speed. the maximum thickness of Belag is also shown at the feed of 0.3mm/rev. On the other hand, the tool life of carbide tool is more favorable than that of high speed steel (SKH 9) in cutting calcium- deoxidized steel. It is considered that the steel deoxidized with Ca-Si shows better machinability a little than that with Fe-Si. However, the cutting force and the shear angle of the former are similar to those of the latter in turning.n turning.