플라즈마 산화방법을 이용한 질소가 첨가된 실리콘 산화막의 제조와 산화막 내의 질소가 박막트랜지스터의 특성에 미치는 영향 (Low-Temperature Growth of N-doped SiO2 Layer Using Inductively-Coupled Plasma Oxidation and Its Effect on the Characteristics of Thin Film Transistors)
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- 한국재료학회지
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- 제19권1호
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- pp.37-43
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- 2009