• 열처리공학회지
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• 제18권4호
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• pp.229-234
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• 2005

Effect of incident ion beam energy on microstructure and adhesion behavior of TiN thin films were studied. Without ion beam assist, TiN film showed (111) growth mode which was thought to have the lowest deformation energy. As the ion beam assist energy increased, TiN film growth mode was changed from (111) to (200) mode. On the Si(100) substrate the critical incident energy for growth mode change was 100 eV/atom, however the critical assist energy was 121 eV/atom on the STD61 substrate. Grain size of TiN films increased with the assist ion beam energy. Finally, adhesion strength of TiN films bombarded above the critical ion assist energy showed 4~5 times higher values than that with lower bombard ion energy.

• 한국어병학회지
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• 제34권1호
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• pp.111-115
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• 2021

Immunoglobulin M (IgM) of sevenband grouper (Epinephelus septemfasciatus) was purified by mannan-binding protein (MBP) affinity column. The purified IgM had an apparent molecular weights of 76 (heavy chain) and 28 (light chain) kDa in sodium dodecyl sulfate-polyacrylamide gel electrophoresis (SDS-PAGE). Eight hybridoma clones secreting monoclonal antibodies (mAbs) against sevenband grouper IgM were established. Antibody detection enzyme-linked immunosorbent assay (ELISA) with bovine serum albumin (BSA, antigen) and the 8 mAbs revealed that optical density (OD) values were clearly different between sera from BSA-immunization and non-immunization of sevenband grouper. These results suggest that the produced mAbs in this study are specifically reacted with IgM of sevenband grouper.

• Current Photovoltaic Research
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• 제9권4호
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• pp.111-122
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• 2021

Silicon heterojunction technology (HJT) solar cells have received considerable attention due to advantages that include high efficiency over 26%, good performance in the real world environment, and easy application to bifacial power generation using symmetric device structure. Furthermore, ultra-highly efficient perovskite/c-Si tandem devices using the HJT bottom cells have been reported. In this paper, we discuss the unique feature of the HJT solar cells, the fabrication processes and the current status of technology development. We also investigate practical challenges and key technologies of the HJT solar cell manufacturers for reducing fabrication cost and increasing productivity.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권9호
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• pp.624-630
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• 2005

To investigate the possibility of the $ZrO_2$ buffer layer as the insulator for the Metal-Ferroelectric-Insulator-semiconductor (MFIS) structure, $ZrO_2$ and $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin films were deposited on the P-type Si(111) wafer by the R.F. magnetron-sputtering method. According to the process with and without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer and SBT thin film, the diffusion amount of Sr, Bi, Ta elements show slight difference through the Glow Discharge Spectrometer (GDS) analysis. From X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) results, we could confirm that the post-annealing process affects the chemical binding condition of the interface between the $ZrO_2$ thin film and the Si substrate. Compared to the MFIS structure without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer, memory window value of MFlS structure with post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer were considerably improved. The window memory of the Pt/SBT (260 nm, $800^{\circ}C)/ZrO_2$ (20 nm) structure increases from 0.75 to 2.2 V under the applied voltage of 9 V after post-annealing.

• KSBB Journal
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• 제15권3호
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• pp.254-261
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• 2000

공시균주인 Thiobacillus ferrooxidans(ATCC 19859)와 광양의 폐광산수에서 분리한 Thiobacillus KY를 이용하여 황칠광(pyrite, FeS2)에 대하여 30일간 침출반응하여 반응시간에 따른 황철광의 표변특성 변화를 관찰하였다. Thiobacillus ferrooxidans (ATCC 19859)의 경우 반응시간 20일 경과 후Thiobacillus KY는 반응 시간 10일 후 각각 황철광 표변에 결정구조의 변화가 관찰되었 다. FezS의 결합에서 S-Fe-S의 결합이 끊어점에 기언하는 [311] 평면의 상대적으로 감소와 침출시간 증가에 따른 [111]평면과 [220]의 상대적으로 노출의 증가의 특정을 나타냈다. SEM-EDS 결과 침출시키기 전의 시료는 Fe 36.97%, S 45.71%, Si 16.94% 이며 반응이 진행됨에 따라 황성분의 비율이 증가하였다. 또한 노출된 황칠광 위에 칩착물은 S 59.56%, Fe 38.9%, Si 1.53%의 원지구성비를 가진 물질이었다. 이러한 결과로 부터 침출이 진 행되면서 결정구조의 변화와 황과 철의 침착물에 의하여 황철광 의 표면이 비활성화된다는 결론을 도출할 수 있다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권1호
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• pp.33-40
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• 1992

4인치(100) 실리콘 기판상에 센서용 다이아프램을 제조할 때 생기는 식각 현상들을 관찰하고 분석하였다. 115$^{\circ}C$의 "F etch' 용액을 사용하여 300$\mu$ 이상의 깊은 식각을 행하였을 때 식각 표면에 발생하느 식각 결함은 hillock, 반응 생성물, 그리고 횐색 잔유물로 구분될 수 있었따. 특히 hillock의 경우 식각 표면에 부착된 반응 생성물의 밀도나 크기에 관계하여 |111|면들로 이루어질는 피라밋 구조나 사다리꼴 육면체등의 형태를 취함이 확인되었다. 또한 용해된 실리콘의 국부적인 과잉 포활 발생하는 흰색 잔유물의 IR 흡수 스펙트럼을 조사한 결과, Si-N-O 성분에 미량의 h와 C가 포함된 것임을 알 수 있었다. 아울러 식각면을 식각용액에 대해 아래쪽, 위쪽, 그리고 측면을 향하도록 놓았을때 식각 결함의 존재 확률과 분포 그리고 식각율의 분포를 비교한 결과 식각율의 균일성면에서는 하측방향의 자세가, 식각결함의 제거에 있어서는 측면방향의 자세가, 식각결함의 제거에 있어서는 측면방향의 자세가 유리하게 나타났으며 이를 반응조내의 흐름 패턴을 이용하여 해석하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제22권2호
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• pp.65-72
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• 2012

본 연구에서는 비정질 실리콘의 알루미늄 유도 결정화(AIC)가 시도되었다. 결정질 실리콘의 좀 더 큰 입자를 얻기 위해, 선택적인 핵생성(Selective nucleation) 시도는 비정질 실리콘 밑의 실리카($SiO_2$) 층의 습식 파우더 분사 처리와 함께 진행됐다. 또한 니켈 층은 실리콘 원자가 알루미늄 층으로 이동하는 것을 방지하기 위한 확산 방지막(Diffusion barrier)으로 선택되었다. $520^{\circ}C$에서 열처리를 한 후에 XRD 분석을 통해 Si(111) 방향으로 결정화된 결정질 실리콘을 확인했고 니켈은 실리콘과 알루미늄 사이의 확산 방지막으로 매우 효과적인 재료라는 것을 입증하였다. 이 연구는 고성능의 태양전지에 적용하는 결정질 실리콘 막의 좀 더 큰 입자를 얻기 위한 방법 중의 하나라고 기대된다.

• Parasites, Hosts and Diseases
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• 제53권5호
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• pp.611-618
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• 2015

This study describes the first record of Globocephalus samoensis (Nematoda: Ancylostomatidae) recovered in wild boars from southwestern regions of Korea. Gastrointestinal tracts of 111 Korean wild boars (Sus scrofa coreanus) hunted from mountains in Suncheon-si, Gwangyang-si, and Boseong-gun between 2009 and 2012 were examined for their visceral helminths. G. samoensis, as identified by morphological characteristics of the head and tail, were recovered from the small intestine of 51 (45.9%) wild boars. Worms were found from 7 of 28 wild boars (25.0%) from Suncheon-si, 40 of 79 (50.6%) from Gwangyang-si, and all 4 (100%) from Boseong-gun. The length of adult females was $7.2{\pm}0.5mm$, and the thickest part of the body measured the average $0.47{\pm}0.03mm$, while those of males were $6.52{\pm}0.19$ and $0.37{\pm}0.02mm$, respectively. The buccal cavity was equipped with a pair of large and bicuspid subventral lancets near the base of the capsule. The average length of spicules of males was $0.45{\pm}0.02mm$. By the present study, G. samoensis is recorded for the first time in southwestern regions of Korea. Additionally, morphological characteristics and identification keys provided in the present study will be helpful in the faunistic and taxonomic studies for strongylid nematodes in both domestic and wild pigs. The infection of G. samoensis apparently did not elicit pathologic lesions, as revealed by macroscopic observation during the autopsy of all wild boars in this study.

• 한국재료학회지
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• 제6권7호
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• pp.723-732
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• 1996

ICB 공정으로 선행 증착한 Cu Seeding 층이 이후의 CVD 공정으로 증착하는 최종의 Cu 박막의 기계적 전기적 특성에 미치는 영향을 고찰하였고, seening을 하지 않은 CVD-Cu 박막과의 특성을 비교하였다. seeding 층을 형성한 경우의 CVD-Cu 박막에 있어서 증착 속도가 증가하였으며, grain 크기의 균일성도 향상되는 경향을 보였다. 증착된 Cu 박막은 seening에 무관하게 모두 FCC 우선배향인 (111)의 결정배향을 나타냈으며, seeding 우에 성정된 박막의 경우 $I_{111}/I_{200}$비가 향상되었다.$ 180^{\circ}C$의 동일 조건하에서 증착하는 경우 $40\AA$ seeding층 위에 성장한 박막의 전기비저항이 $2.42\mu$$\Omega$.cm로 낮은 값을 나타내었으며, 130$\AA$ seeding 경우는 오히려 전기비저항이 증가하는 경향을 나타내었다. Cu 박막의 접착력은 seeding층의 두께가 $0\AA$에서 $130\AA$으 증가함에 따라 21N에서 27N 으로 향상되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권10호
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• pp.942-947
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• 2001

MEMS 소자에의 응용을 위한 PZT(52/48) 박막을 diol을 용매로한 솔젤법에 의해 제조하였으며 미세구조에 따른 전기적 특성 및 압전 특성 관계를 고찰하였다. 0.5 mol 의 sol을 제작하여 1회 코팅시 $0.2{\mu}m$ 두께를 갖는 균열 없는 박막을 얻을 수 있었으며 $0.2{\mu}m$에서 $3.8{\mu}m$의 두께의 막을 증착하였다. 미세구조사진으로부터 층간 porous한 영역이 관찰되지 않음과 제2상의 성장이 없는 치밀한 columnar입자 성장을 확인 할 수 있었으며 균열없는 치밀화된 입자의 성장으로부터 우수한 이력곡선을 얻을 수 있었다. XRD분석으로부터 우선 배향성을 알아본 결과 (111)우선 배향성이 $1{\mu}m$ 영역까지 우세하다가 $1{\mu}m$이상의 두께에서 점차 random하게 바뀌는 것을 확인할 수 있었으며, 유전 특성 및 압전특성의 경향도 이와 유사하게 $1{\mu}m$ 영역까지 증가하다가 그 이상의 두께에서는 수렴하여 각각 1400, 300 pC/N 정도의 우수한 값을 가졌다.