• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.287.2-287.2
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• 2016

Silicon has considerably good characteristics on electron, hole mobility and its price. With 2-D sinlge-layer Graphene/n-Si heterojunction solar cell shows that in one sun condition exhibit power conversion efficiency(PCE) of 10.1%. This photovoltaic effect was achieved by applying gate voltage to the Schottky junction of the heterostructure solar cell. Energy band diagram shows that Schottky barrier between Si and graphene can be adjust by the external electric field. because of the fermi level of the graphene can be changed by external gate voltage, we can control the Schottkky barrier of the heterostructure solar cell. The ratio between generated power of solar cell and consumption electrical power is remarkable. Since we use the graphene as the top gate electrode, most of the sun light can penetrate into the active area.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권3호
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• pp.731-736
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• 2014

An organic junction transistor with a vertical structure based on an active layer of poly(3-hexylthiophene) was fabricated by facile micro-contact printing combined with the Langmuir-Schaefer technique, without conventional e-beam or photo-lithography. Direct printing and subsequent annealing of Au-nanoparticles provided control over the thickness of the Au electrode and hence control of the electrical contact between the Au electrode and the active layer, ohmic or Schottky. The junction showed similar current-voltage characteristics to an NPN-type transistor. Current through the emitter was simply controllable by the base voltage and a high transconductance of ~0.2 mS was obtained. This novel fabrication method can be applied to amplifying or fast switching organic devices.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.200-203
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• 2007

넓은 에너지 갭의 물질인 탄화규소(4H)기판을 사용하여, 초고내압을 위한 접합장벽 쇼트키 구조의 소자를 설계하여 제작하였다. 측정결과로써 소자의 역방향 I-V 특성은 1000V 이상의 항복전압을 보였고 p-grid의 설계 최적 길이는 $3{\mu}m$ 간격이였다. 이 연구에서는 제작한 소자의 공정 조건 파라미터들을 사용하여 I-V 특성을 모델링 하였고 I-V 특성 파라미터들을 추출하여 실제 소자 파라미터와 비교, 분석하였다.

• 센서학회지
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• 제16권4호
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• pp.259-262
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• 2007

This paper describes the electrical characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin film diodes, in which poly 3C-SiC thin films on n-type and p-type Si wafers, respectively, were deposited by APCVD using HMDS, $H_{2}$, and Ar gas at $1150^{\circ}C$ for 3 hr. The schottky diode with Au/poly 3C-SiC/Si (n-type) structure was fabricated. Its threshold voltage ($V_{bi}$), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration ($N_{D}$) value were measured as 0.84 V, over 140 V, 61 nm, and $2.7{\times}10^{19}cm^{-3}$, respectively. Moreover, for the good ohmic contact, Al/poly 3C-SiC/Si (n-type) structure was annealed at 300, 400, and $500^{\circ}C$, respectively for 30 min under the vacuum condition of $5.0{\times}10^{-6}$ Torr. Finally, the p-n junction diodes fabricated on the poly 3C-Si/Si (p-type) were obtained like characteristics of single 3CSiC p-n junction diode. Therefore, poly 3C-SiC thin film diodes will be suitable for microsensors in conjunction with Si fabrication technology.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권8호
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• pp.47-54
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• 2012

본 논문에서는 테라헤르츠 시스템에 적용 가능한 쇼트키 다이오드를 이종 레지스트 패터닝 기술을 이용하여 제작 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 전자선묘화공정(electron beam lithography)과 포토리소그래피(photolithography)를 사용하여 양극 및 양극 패드의 연결을 동시에 패터닝 하여 공정을 단순화 시켰다. 측정결과 제작된 쇼트키 다이오드의 직렬 저항은 $11.2{\Omega}$, 접합용량은 25.96 fF, 이상 계수(ideality factor)는 1.25를 얻었으며, 차단 주파수는 547.6 GHz를 얻었다.

• 한국환경과학회지
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• 제29권1호
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• pp.95-108
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• 2020

Silver nanoparticles were loaded onto g-C₃N₄ (CN) with a nanoroll-type morphology (Ag/CN) synthesized using a co-polymerization method for highly selective conversion of toxic nitrobenzene to industrially-valuable aminobenzene. Scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) images of Ag/CN revealed the generation of the nanoroll-type morphology of CN. Additionally, HRTEM analysis provided direct evidence of the generation of a Schottky barrier between Ag and CN in the Ag/CN nanohybrid. Photoluminescence analysis and photocurrent measurements suggested that the introduction of Ag into CN could minimize charge recombination rates, enhancing the mobility of electrons and holes to the surface of the photocatalyst. Compared to pristine CN, Ag/CN displayed much higher ability in the photocatalytic reduction of nitrobenzene to aminobenzene, underscoring the importance of Ag deposition on CN. The enhanced photocatalytic performance and photocurrent generation were primarily ascribed to the Schottky junction formed at the Ag/CN interface, greater visible-light absorption efficiency, and improved charge separation associated with the nanoroll morphology of CN. Ag would act as an electron sink/trapping center, enhancing the charge separation, and also serve as a good co-catalyst. Overall, the synergistic effects of these features of Ag/CN improved the photocatalytic conversion of nitrobenzene to aminobenzene.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.157-165
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• 2001

집적 쇼트키 논리 게이트에서 전압 스윙을 크게 하기 위해서 백금 실리사이드 쇼트키 접합의 전기직 특성을 분석하였고, 이 접합에서 프로그램으로 특성을 시뮬레이션 하였다. 분석특성 특성을 위한 시뮬레이션 프로그램은 제조 공정용 SUPREM V와 모델링용 Matlab, 소자 구조용의 Medichi 툴이다. 시뮬레이션 특성을 위한 입력 파라미터는 소자 제작 공정의 공정 단계와 동일한 조건으로 하였다. 분석적인 전기적인 특성들은 순방향 바이어스에서 턴-온 전압, 포화 전류, 이상인자이고, 역방향 바이어스에서 항복 전압을 실제 특성과 시뮬레이션 특성 사이의 결과를 보였다. 결과로써 순방향 턴-온 전압, 역방향 항복전압, 장벽 높이는 기판의 증가된 농도의 변화에 따라 감소되었지만, 포화전류와 이상인자는 증가되었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.33-39
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• 1983

종래의 쇼트키 다이오드들이 가지는 금속중첩 및 P보호환 구조와 비교하여 금속-반도체 접합면 가장자리에 얇은 계단형 산화막(약1000Å) 구조를 갖는 새로운 소자들을 설계 제작하였다. 별은 계단형 산화막의 형성은 T.C.E. 산화공정으로 처리하였으며 이러한 새로운 소자들의 항복현상을 비교 검토하기 위하여 이들과 함께 동일한 소자 크기를 갖는 종래의 금속 중첩 쇼트키 다이오드와 P보호환 쇼트키 다이오드를 같은 폐이퍼상에 집적시켰고 항복전압에 대한 측정을 통해 고찰해 본 결과 금속-반도체 접합면 가장자리에 얇은 계단형 산화막 구조를 갖는 소자들은 종래의 쇼트키 다이오드들에 비해 항복현상에 있어서 월등한 개선을 보여 주는 것으로 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.377-377
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• 2014

We demonstrate the high temperature-dependent electrical behavior at 2D multilayer MoS2 transistor. Our previous reports explain that the extracted field-effect mobility of good device was inversely proportional to the increase of temperature. Because scattering mechanism is dominated by phonon scattering at a well-designed MoS2 transistor, having, low Schottky barrier. However, mobility at an immature our $MoS_2$ transistor (${\mu}m$ < $10cm^2V^{-1}s^{-1}$) is proportional to the increase temperature. The existence of a big Schottky barrier at $MoS_2-Ti$ junction can reduce carrier transport and lead to lower transistor conductance. At high temperature (380K), the field-effect mobility of multilayer $MoS_2$ transistor increases from 8.93 to $16.9cm^2V^{-1}sec^{-1}$, which is 2 times higher than the value at room temperature. These results demonstrate that carrier transport at an immature $MoS_2$ with a high Schottky barrier is mainly affected by thermionic emission over the energy barrier at high temperature.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.1581-1584
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• 2008

버팅 콘택을 가진 쌍극 폴리사이드 게이트 구조에서 폴리실리콘 내의 순 도핑(net doping) 농도는 $n^+/p^+$ 중첩 및 실리사이드/폴리실리콘 층에서 도펀트의 수평 확산에 기인하여 감소하였다. 버팅 콘택 영역에서의 쇼트키 다이오드 형성은 $CoSi_2$의 열적 응집 현상에 의한 $CoSi_2$ 손실과 폴리실리콘 내의 농도 저하에 기인된다. DDI DRAM에서 기생 쇼트키 다이오드는 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 column성 불량을 일으킨다. Column성 불량은 $n^+/p^+$ 폴리실리콘 접합 부분을 물리적으로 분리시키거나, $CoSi_2$ 형성 전 질소 이온을 $p^+$ 영역에 주입 시켜 $CoSi_2$의 응집현상을 억제함으로써 줄일 수 있다.