• 제목/요약/키워드: Scaling Factor

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Spatial Variability in Distribution, Abundance and Species Composition of the Subtidal Macronlgal Assemblages Found Along the Geumo Archipelago in the Central South Sea of Korea

  • Kang, Rae-Seon;Lee, Hak-Chul;Oh, Sung-Yong;Kim, Min-Suk;Hong, Kyung-Pyo;Kim, Jong-Man
    • Ocean and Polar Research
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    • 제26권4호
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    • pp.543-550
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    • 2004
  • Dense macroalgal assemblages are a common feature of the rocky subtidal habitats along the coast of Geumo Archipelago in the central South Sea of Korea, but are highly variable in space. This study addresses two questions concerning the algal assemblages: (1) how variable the distribution, abundance and species composition of the assemblages are in space, and (2) how closely the distribution, abundance and species composition of the assemblages are correlated to the spatial variation in abiotic factors. To answer these questions, we investigated 30 sites along the coast in autumn of 2003. The nonmetric multidimensional scaling analysis showed that there were strong differences in the composition and abundance of species in the assemblages among the sites. The similarity among the sites based on presence/absence data was approximately 51%, whereas the similarity based on abundance data was less than 37%, suggesting that the abundance of species contributed much to these differences. There were also strong differences in the number of species, abundance and vertical distribution of the assemblages along the coast. Multiple regression analyses revealed that the number of species, abundance and vertical distribution of the assemblages had a positive relationship with water depth, but less than 58% of total variation in these variables was explained by this abiotic factor. The results suggest that spatial (between habitats) variation is an important and consistent component of subtidal algal assemblages in Geumo Archipelago and should be explained before any differences between localities are assessed.

공예분야 사회적기업의 성공요인 분석: 인도 인더스트리 크래프트의 사례를 중심으로 (A Success Factors Analysis on Social Enterprise in the Field of Crafts: Focused on the Case of Industree Crafts in India)

  • 김명희
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제14권6호
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    • pp.73-83
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    • 2014
  • 이 논문은 인도의 공예분야 사회적기업 인더스트리 크래프트가 정부 보조금 의존에서 벗어나 지난 30년간 어떻게 수익을 창출하고 글로벌 사회적기업으로 지속가능한 성장이 가능했는지를 분석한 논문이다. 분석을 통해 도출한 성공요인들은 다음과 같다. 첫 번째 요인은 이해관계자들의 가치 창출로서 사회적 미션을 목표로 각 이해관계자들의 가치를 최우선 고려하였으며 가치를 상호간 공유했다는 점이다. 두 번째 요인은 독특한 내부경영방식으로서 더 많은 부가가치 창출을 위해 조직체계에 독특한 비즈니스 모형과 4P전략을 도입하고 생산자집단의 자립을 돕는 경영방식을 도입했다는 것이다. 세 번째 요인은 학습 및 혁신문화 조성으로서 변화를 두려워하지 않고 끊임 없이 새로운 디자인 전략을 세워 도전하고 시행착오를 조직학습으로 이끈 학습문화를 구축했다는 점이다. 마지막 네 번째 요인은 시의적절한 재정 및 자원의 확보로서 규모 확대 시기 때마다 민간기업과의 제휴 및 투자 유치, 충분한 기술인력자원 확보 등 적절한 재정 및 자원을 확보했던 점을 들 수 있다.

비대칭 DGMOSFET의 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Subthreshold Swing for Ratio of Channel Length and Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.581-586
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 구조를 달리 제작할 수 있어 단채널효과를 제어할 수 있는 요소가 증가한다는 장점이 있다. 특히 채널길이를 감소하였을 경우 문턱전압이하 스윙의 급격한 증가로 인한 특성저하 현상을 감소시킬 수 있다. 그러나 스켈링 이론에 따라 채널길이 감소에 따라 채널두께도 변화되어야하며 이에 문턱전압이하 스윙이 변화하게 된다. 그러므로 채널길이와 채널두께의 비가 문턱전압이하 스윙을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압이하 스윙을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였으며 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압이하 스윙을 계산한 결과 채널길이와 채널두께의 비에 따라 전도중심과 문턱전압이하 스윙이 변화한다는 것을 알 수 있었다.

경사터널내 화재 발생시 경사도가 임계속도에 미치는 영향에 관한 연구 (An Experimental Study on the Critical Velocity Considering the Slope in Tunnel Fire)

  • 김승렬;장용준;유홍선
    • 한국철도학회논문집
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    • 제11권1호
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    • pp.7-12
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    • 2008
  • 본 연구에서는 경사각에 다른 임계속도 변화를 파악하기 위하여 축소모형 실험을 수행하였다. Froude 상사를 사용하여 1/20 축소모델 시험을 수행하였고, 화원은 메탄올, 아세톤, 헵탄을 연료로하여 Akinson과 Wu가 사용한 가스버너가 아닌 배연속도에 따라 달라지는 정사각형 풀을 사용하였으며, 터널의 각도는 $0^{\circ}$, $2^{\circ}$, $4^{\circ}$, $6^{\circ}$, $8^{\circ}$에 관하여 실험을 수행하였다. 발열량과 온도는 로드셀과 K-type 열전대를 사용하여 측정하였다. 실험결과 발열량 변화를 고려하지 않은 Atkinson과 Wu의 실험결과 보다 배연속도에 따른 발열량이 변화하는 풀화재를 사용한 경우가 더 큰 기울기 값을 얻었다. 따라서 배연속도는 화원의 연소율 변화에 직접적으로 영향을 미치기 때문에 경사터널화재 발생시 연소율의 변화에 따른 임계속도의 영향을 고려하는 것이 중요하다.

3-D Hetero-Integration Technologies for Multifunctional Convergence Systems

  • 이강욱
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.11-19
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    • 2015
  • Since CMOS device scaling has stalled, three-dimensional (3-D) integration allows extending Moore's law to ever high density, higher functionality, higher performance, and more diversed materials and devices to be integrated with lower cost. 3-D integration has many benefits such as increased multi-functionality, increased performance, increased data bandwidth, reduced power, small form factor, reduced packaging volume, because it vertically stacks multiple materials, technologies, and functional components such as processor, memory, sensors, logic, analog, and power ICs into one stacked chip. Anticipated applications start with memory, handheld devices, and high-performance computers and especially extend to multifunctional convengence systems such as cloud networking for internet of things, exascale computing for big data server, electrical vehicle system for future automotive, radioactivity safety system, energy harvesting system and, wireless implantable medical system by flexible heterogeneous integrations involving CMOS, MEMS, sensors and photonic circuits. However, heterogeneous integration of different functional devices has many technical challenges owing to various types of size, thickness, and substrate of different functional devices, because they were fabricated by different technologies. This paper describes new 3-D heterogeneous integration technologies of chip self-assembling stacking and 3-D heterogeneous opto-electronics integration, backside TSV fabrication developed by Tohoku University for multifunctional convergence systems. The paper introduce a high speed sensing, highly parallel processing image sensor system comprising a 3-D stacked image sensor with extremely fast signal sensing and processing speed and a 3-D stacked microprocessor with a self-test and self-repair function for autonomous driving assist fabricated by 3-D heterogeneous integration technologies.

고속 프랙탈 영상 부호와 기법 (The Method of fast Fractal Image Coding)

  • 김정일;송광석;강경인;박경배;이광배;김현욱
    • 한국정보처리학회논문지
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    • 제3권5호
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    • pp.1317-1328
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    • 1996
  • 본 논문에서는 프래탈 영상 부호화시 부호화 시간이 장시간 소요되는 단점을 보완하기 위한 고속 프랙탈 영상 부호화 알고리즘을 제안하고, 그 알고리즘의 성능 을 기존의 방법과 비교 분석하였다. 기존의 프랙탈 영상부호화 방식은 원영상을 축소하여 비교 될 영상으로 만들고, 축소된 영상에 대한 원영상의 축소변환의 고정 점을얻기 위해 축소된 영상의 전체영역을 탐색하므로써 많은 부호화 시간이 소요 되었다. 그러나, 제안한 알고리즘은 스케일링과 탐색영역제한 방식을 이용하여 부호화 시간을 대폭 단축 시켰다. 그 결과로서 Jacquin 방법과의 비교시, 제안한 알고리즘은 최보 180배 이상의 부호화 시간을 단축시켰으며, 복원된 영상의 화질은 다소 감소하고 압축율은 약간 증가하였다. 따라서 제안한 알고리즘이 기존의 방법 들에 비해 부호화 시간 면에서 크게 향상되었음을 확인할 수 있었다.

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노이즈 면역을 향상시킨 플립플롭 (A Flipflop with Improved Noise Immunity)

  • 김아름;김선권;이현중;김수환
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권8호
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    • pp.10-17
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    • 2011
  • 휴대용 전자 기기 수요가 증가하면서 저전력 회로에 대한 관심이 커지고 있다. 이와 더불어 프로세서 데이터 패스의 폭이 넓어지고, 파이프라인의 단계가 많아짐에 따라, 사용되는 플립플롭의 수가 증가하였다. 그로 인해 플립플롭의 전력 소모 및 성능이 전체 시스템에 미치는 영향이 커졌다. 또한, 반도체 공정 스케일이 점점 줄면서, 공급 전압과 문턱 전압이 감소되었고 이로 인해 노이즈가 회로에 미치는 영향이 커지고 있다. 본 논문에서는 노이즈 면역을 향상시키면서도 저전력 시스템에 사용할 수 있는 플립플롭을 제안하고자 한다. 제안한 회로는 1.2V에서 동작하는 65nm CMOS 공정으로 구현하였다.

저속 결빙조건이 표면 조도 형성에 미치는 영향에 관한 실험적 연구 (Experimental Investigation on the Effect of Low-Speed Icing Condition to the Surface Roughness Formation)

  • 강유업;민승인;김태성;이관중
    • 한국항공우주학회지
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    • 제48권2호
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    • pp.99-108
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    • 2020
  • 항공기 결빙 분야에서 표면 조도는 대류 열전달을 강화하고 국소 액적 부착률(Local Collection Efficiency)을 변화시킨다는 점에서 매우 중요한 요소로 받아들여지고 있다. 이에 따라 최근 결빙실험 분야에서는 표면 조도 형성과정 데이터를 획득하기 위한 노력이 진행되고 있다. 한편, 이러한 실험은 데이터 측정의 어려움으로 인해 주로 저속 결빙조건에서 수행되고 있다. 그러나 저속조건이 표면 조도의 최종 형상에 미치는 영향은 아직 거의 알려진 바가 없다. 본 연구는 저속 결빙조건에서 실험을 수행하고, 획득한 표면 조도 데이터와 결빙조건과의 연관성을 분석하였다. 분석 방법으로는 기존 고속조건 실험에 활용되는 지배 파라미터를 이용하였으며, 표면 조도의 경향성을 기존 고속 실험 결과와 비교하였다. 표면 조도 크기는 기존에 알려진 경향성과 잘 일치했지만, smooth zone 폭은 차이를 보이는 것을 확인할 수 있었다.

Persicaria senticosa Ameliorates Imiquimod-induced Psoriasis-like Skin Lesions in Mice via Suppression of IL-6/STAT3 Expression and Proliferation of Keratinocytes

  • Jung, Sangmi;Park, Jeong-Ran;Ra, Moonjin;Kim, Young Han;Yu, Ji Hoon;Lee, Yongjun
    • Natural Product Sciences
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    • 제26권2호
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    • pp.136-143
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    • 2020
  • Psoriasis is one of the most common inflammatory skin disorders, with a global prevalence of 2% - 3%. It is an autoimmune skin disorder characterized by excessive generation of plaques on the skin with typical long-lasting red, itchy, and scaly lesions. In this study, we aimed to elucidate the anti-psoriatic effect of the methanolic extract of Persicaria senticosa (PS), a bioactive edible plant extract used in traditional medicine, using a mouse model of imiquimod (IMQ)-induced psoriasis. The daily topical application of IMQ could induce human psoriasis-like lesion. The extract ameliorated IMQ-induced psoriasis. Furthermore, hematoxylin and eosin staining and the Psoriasis Area and Severity Index (PASI) scores indicated that topical application of PS led to an improvement in erythema, scaling, and thickness scores of the mouse dorsal skin and a considerable decrease in the epidermal thickness of the ear and dorsal skin in the IMQ-induced psoriatic mouse model. We also studied the effect of PS on the proliferation of keratinocytes using HaCaT cells. The extract inhibited cell proliferation and IL-6 and pSTAT3 expression induced by M5 cocktail (comprising interleukin [IL]-1α, IL-17A, IL-22, oncostatin M, and tumor necrosis factor-α) in HaCaT cells. Thus, PS might serve as a potential therapeutic agent for the treatment of psoriasis.

Si CMOS Extension and Ge Technology Perspectives Forecast Through Metal-oxide-semiconductor Junctionless Field-effect Transistor

  • Kim, Youngmin;Lee, Junsoo;Cho, Seongjae
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권6호
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    • pp.847-853
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    • 2016
  • Applications of Si have been increasingly exploited and extended to More-Moore, More-than-Moore, and beyond-CMOS approaches. Ge is regarded as one of the supplements for Si owing to its higher carrier mobilities and peculiar band structure, facilitating both advanced and optical applications. As an emerging metal-oxide device, the junctionless field-effect transistor (JLFET) has drawn considerable attention because of its simple process, less performance fluctuation, and stronger immunity against short-channel effects due to the absence of anisotype junctions. In this study, we investigated lateral field scalability, which is equivalent to channel-length scaling, in Si and Ge JLFETs. Through this, we can determine the usability of Si CMOS and hypothesize its replacement by Ge. For simulations with high accuracy, we performed rigorous modeling for ${\mu}_n$ and ${\mu}_p$ of Ge, which has seldom been reported. Although Ge has much higher ${\mu}_n$ and ${\mu}_p$ than Si, its saturation velocity ($v_{sat}$) is a more determining factor for maximum $I_{on}$. Thus, there is still room for pushing More-Moore technology because Si and Ge have a slight difference in $v_{sat}$. We compared both p- and n-type JLFETs in terms of $I_{on}$, $I_{off}$, $I_{on}/I_{off}$, and swing with the same channel doping and channel length/thickness. $I_{on}/I_{off}$ is inherently low for Ge but is invariant with $V_{DS}$. It is estimated that More-Moore approach can be further driven if Si is mounted on a JLFET until Ge has a strong possibility to replace Si for both p- and n-type devices for ultra-low-power applications.