• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.557-560
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• 2000

Combination of SDB(Si-wafer Direct Bonding) and electrochemical etch-stop in TMAH anisotropic etchant can be used to create a variety of MEMS(Micro Electro Mechanical System). Especially, fabrication of SDB SOI structures using electrochemical etch-stop is accurate method to fabrication of 3D(three-dimensional) microstructures. This paper describes on the fabrication of SDB SOI structures with sealed cavity for MEMS applications and thickness control of active layer on the SDB SOI structure by electrochemical etch-stop. The flatness of fabricated SDB SOI structure is very uniform and can be improved by addition of TMAH to IPA and pyrazine.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.579-582
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• 2000

This paper described on the fabrication of SOI(Si-on-insulator) structures with buried cavities by SDB technology and eletrochemical etch-stop. The cavity was fabricated the upper handling wafer by Si anisotropic etch technique. SDB process was performed to seal the fabricated cavity under vacuum condition at -760mmHg. In the SDB process, captured air and moisture inside of the cavities were removed by making channels towards outside. After annaling(100$0^{\circ}C$, 60 min.), the SDB SOI structure was thinned by electrochemical etch-stop. Finally, it was fabricated the SDB SOI structure with buried cavities as well as an accurate control and a good flatness.

• 대한소아치과학회지
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• 제49권2호
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• pp.180-187
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• 2022

이 연구의 목적은 소아 수면 설문지(PSQ)를 활용하여, 구강 내 소견, 체질량 지수(BMI) 및 병력과 비교함으로써 수면 호흡 장애(SDB)와 관련된 잠재적 위험 요인을 조사하는 것이다. 만 7세에서 11세 사이의 787명의 어린이가 포함되었으며, 어린이의 보호자는 설문지를 작성하였다. Angle의 분류, 수평피개 및 Brodsky 편도 등급을 포함한 구강 증상을 조사하였다. 이중 PSQ 점수가 0.33점 이상인 대상은 SDB 고위험군으로 분류되었다. 787명 중 34명(4.3%)이 SDB 고위험군으로 분류되었다. 알레르기성 비염, 아토피성 피부염, 과도한 수평피개, 편도 비대를 가진 어린이는 그렇지 않은 어린이보다 SDB 위험이 훨씬 더 높았다. 또한 BMI 상태에 따라 SDB 위험도에 유의한 차이가 있었다. 성별, 재태 연령, 모유 수유 및 Angle의 분류는 SDB와 관련이 없었다. 이 연구에서 SDB 고위험군의 어린이는 4.3%로 나타났으며, 예측인자로는 편도 비대, 알레르기성 비염, 비만 및 아토피성 피부염이 있었다. 이러한 예측인자를 가진 어린이는 SDB가 발생할 위험이 높고 조기개입이 필요한 대상이 될 수 있다.

• 방사성폐기물학회지
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• 제11권1호
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• pp.41-54
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• 2013

방사성폐기물 처분 안전성 평가를 위하여 방사성 핵종의 수착특성에 대한 정보제공이 필요하다. 그러나 우리나라는 최근까지 핵종 수착 데이터베이스에 대한 접근성이 취약하여 이용에 제한이 있었다. 사용자들에게 효율적인 방법으로 핵종 수착관련 정보를 제공하기 위해 웹을 기반으로 하는 핵종 수착 데이터베이스(KAERI-SDB)를 개발하였다. KAERI-SDB를 개발하기 위하여 1998년에 개발된 수착 데이터베이스 프로그램인 SDB-21C을 분석하고 사용자 요구사항을 반영하였으며, 사용자가 웹 브라우저를 통하여 실시간으로 수정 및 보완된 핵종 수착 자료에 실시간으로 접근이 가능하도록 구성하였다. KAERI-SDB는 로그인/회원가입, 자료 검색 및 저장 그리고 검색결과에 대한 차트 구현 등의 기능들이 포함되도록 고안되었다. KAERI-SDB는 수착 자료를 이용하고자 하는 이용자들의 접근성을 향상함으로써 방사성폐기물 처분 안전성 평가에 폭넓게 활용될 것으로 예상된다. 나아가, 핵종 수착관련 자료들을 일반인에게 공개함으로써 방사성폐기물 처분 프로그램에 대한 신뢰도와 대중 수용성을 증진시킬 수 있을 것으로 기대된다.

• 대한소아치과학회지
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• 제49권4호
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• pp.357-367
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• 2022

수면호흡장애(sleep disordered breathing, SDB)는 상기도의 완전한 또는 부분적 폐쇄로 인해 수면 중 반복적인 저호흡과 무호흡이 나타나는 것을 특징으로 하는 질환이다. 소아 SDB 유병률은 대략 12 - 15%이며, 호발 연령은 주로 3 - 5세의 미취학 어린이이다. 어린이는 코골이와 잦은 각성부터 야뇨증, 과잉행동에 이르기까지 다양한 증상을 보인다. 어린이에서 SDB의 주원인은 편도 및 아데노이드 비대로 인한 상기도의 폐쇄이다. SDB를 치료하지 않으면 학습 장애, 인지 장애, 행동 문제, 심혈관 질환, 대사 증후군, 저성장 등과 같은 합병증을 초래할 수 있다. 소아치과 의사는 SDB의 위험이 있는 소아를 감별하는 특별한 위치에 있다. 소아치과 의사는 SDB와 관련 있는 임상 양상을 인지하고, 소아 수면설문지, 측 모두부계측 방사선사진, 휴대용 간이수면검사 등을 이용하여 SDB를 선별하여 전문가에게 의뢰할 수 있어야 한다. 소아치과에서는 치료를 위해 상악궁 확장, 하악 전방 유도장치, 설소대 절제술 등을 시행할 수 있다. 소아치과 의사는 장기간의 구호흡과 저위설, 설소대단축증 등이 비정상적인 안면골격 성장 및 수면 문제를 일으킬 수 있음을 인지하고, 이러한 문제점들을 예방할 수 있도록 조기에 개입할 수 있어야 할 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.958-962
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• 2002

This paper reports on the fabrication of free-standing microstructures by DRIE (deep reactive ion etching). SOI (Si-on-insulator) structures with buried cavities are fabricated by SDB (Si-wafer direct bonding) technology and electrochemical etch-stop. The cavity was formed the upper handling wafer by Si anisotropic etch technique. SDB process was performed to seal the formed cavity under vacuum condition at -760 mmHg. In the SDB process, captured air and moisture inside of the cavities were removed by making channels towards outside. After annealing (100$0^{\circ}C$, 60 min.), the SDB SOI structure with a accurate thickness and a good roughness was thinned by electrochemical etch-stop in TMAH solution. Finally, it was fabricated free-standing microstructures by DRIE. This result indicates that the fabrication technology of free-standing microstructures by combination SDB, electrochemical etch-stop and DRIE provides a powerful and versatile alternative process for high-performance bulk micromachining in MEMS fields.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.227-229
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• 1995

Using thermal oxide SiO$_2$ as a dielectrical isolation layer, SOI Hall sensors without pn junction isolation have been fabricated on Si/SiO$_2$/Si structures. The SOI structure was formed by SDB (Si- wafer direct bonding) technology. The Hall voltage and the sensitivity of Si Hall devices implemented on the SDB SOI structure show good linearity with respect to the appled magnetic flux density and supplied current. The product sensitivity of the SDB SOI Hall device is average 600V/V.T. In the trmperature range of 25 to 300$^{\circ}C$, the shifts of TCO(Temperature Coefficient of the Offset Voltage) and TCS(Temperature Coefficient of the Product Sensitivity) are less than ${\pm}$ 6.7x10$\^$-3/ C and ${\pm}$8.2x10$\^$04/$^{\circ}C$, respectively. These results indicate that the SDB SOI structure has potential for the development of Hall sensors with a high-sensitivity and high-temperature operation.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1890-1892
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• 2001

This paper described on the fabrication of microstructures by DRIE(Deep Reactive Ion Etching). SOI(Si-on-insulator) electric devices with buried cavities are fabricated by SDB technology and electrochemical etch-stop. The cavity was fabricated the upper handling wafer by Si anisotropic etch technique. SDB process was performed to seal the fabricated cavity under vacuum condition at -750 mm Hg. In the SDB process, captured air and moisture inside of the cavities were removed by making channels towards outside. After annealing(1000$^{\circ}C$, 60 min.), the SDB SOI structure was thinned by electrochemical etch-stop. Finally, it was fabricated microstructures by DRIE as well as a accurate thickness control and a good flatness.

• 수면정신생리
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• 제8권1호
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• pp.11-17
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• 2001

In 2000, the number of people aged 65 and over increased to 3.37 million, accounting for 7.1% of the total population of South Korea. The elderly population will increase up to 19.3% in 2030. Sleep disordered breathing (SDB) seems to increase with age. More than 50-60% of old people complain of SDB-related signs and symptoms including awakening headache, excessive daytime sleepiness, fatigue, cognitive dysfunction, memory loss, personality changes, and depression. The influence of a mild degree of SDB upon the elderly is unclear, but moderate to severe SDB is well known to be associated with many diseases including hypertension, arrhythmia, myocardial infarction, stroke, dementia, and sudden death. Therefore, physicians should pay attention to elderly patients who complain of SDB related symptoms and signs that may not be normal signs of aging. Physicians need to become more sensitive to treat SDB in the elderly.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.431-436
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• 2000

This paper describes on the fabrication of a SOI substrate by SDB technology and electrochemical etch-stop. The surface of the thinned SDB SOI substrate is more uniform than that of grinding or polishing by mechanical method and this process was found to be a very accurate method for SOI thickness control. During electrochemical etch-stop leakage current versus voltage curves were measured for analysis of the open current potential(OCP) point the passivation potential(PP) point and anodic passivation potential. The surface roughness and the controlled thickness selectivity of the fabricated a SDB SOI substrate were evaluated by using AFM and SEM respectively.