• 한국자기학회지
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• 제16권3호
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• pp.168-172
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• 2006

졸-겔(sol-gel) 방법을 이용하여 제작된 산소결핍(oxygen vacancy)들을 내포하는 Ni 도핑된 루타일(rutile) 구조의 $TiO_{2-{\delta}}$ 박막들에 대하여 그 자기적 성질 및 관련된 전자구조적 성질에 대하여 조사분석 하였다. $TiO_{2-{\delta}}$:Ni 박막들에서 상온 강자성이 관측되었으며 Ni 도핑량이 증가할수록 포화 자화량($M_s$)이 점차 감소하여 6 at% 이상에서 일정한 값으로 유지되었다. 이와 같은 Ni 도핑량 6 at% 이하에서의 강자성 현상은 산소결핍 자리에 속박된 전자를 매개로 그 주위에 존재하는 불순물 이온들의 자기 능률들이 강자성 정렬을 이루게 되는 자기 폴라론(magnetic polaron)의 형성에 의한 것으로 해석된다. 소량의 Ni 도핑 시 각 이온당 최대 $3.7{\mu}_B/Ni$의 큰 $M_s$ 값이 나타났으며 6 at% 이상에서의 일정한 $M_s$ 값은 Ni cluster 형성에 의한 것으로 해석된다. 이와 같은 Ni cluster의 존재는 시료들에 대한 Hall 측정 결과 나타난 Ni 도핑량 증가에 따르는 p-n 전도성 전이를 설명하여 줄 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.1537-1542
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널도핑이 비산형분포를 가질 때 게이트 산화막의 두께를 변화시키면서 문턱전압이하특성을 분석하였다. 이중게이트 MOSFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 이에 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압 이하 스윙의 저하에 대하여 비선형도핑분포를 이용한 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 또한 나노소자인 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터 중 가장 중요한 게이트 산화막의 두께에 대하여 문턱전압이하 특성을 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하였다.

• Progress in Superconductivity
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• 제11권2호
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• pp.87-91
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• 2010

We fabricated the polyacrylic acid (PAA)-doped $MgB_2$ bulks and characterized their lattice parameters, actual C substitutions, microstructures, and critical properties. The boron (B) powder was mixed with PAA using N,N-dimethylformamide as solvent and then the solution was dried out at $200^{\circ}C$ and crushed. The C treated B powder and magnesium powder were mixed and compacted by uniaxial pressing at 500 MPa, followed by sintering at $900^{\circ}C$ for 1 h in high purity Ar atmosphere. We observed that the PAA doping increased the MgO amount but decreased the grain size, a-axis lattice constant, and critical temperature ($T_c$), which is indicative of the C substitution for B sites in $MgB_2$. In addition, the critical current density ($J_c$) at high magnetic field was significantly improved with increasing PAA addition: at 5 K and 6.6 T, the $J_c$ of 7 wt% PAA-doped sample was $6.39\;{\times}\;10^3\;A/cm^2$ which was approximately 6-fold higher than that of the pure sample ($1.04\;{\times}\;10^3\;A/cm^2$). This improvement was probably due to the C substitution and the refinement of grain size by PAA doping, suggesting that PAA is an effective dopant in improving $J_c$(B) performance of $MgB_2$.

• 한국환경독성학회:학술대회논문집
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• 한국환경독성학회 1996년도 제19회정기학술대회(The 19th Symposium of the Korean Society of Environmental Toxicology)
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• pp.61-61
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• 1996

Taxol is used as cancer therapeutic agent. It has been known as weak posotive of chromosome aberration assay in vitro in our previous results (Ryu et al., 1996) and potent clastogens in the mouse bone marrow micronucleus (Tinwell and Ashby, 1994). We performed microgel electrophoresis to determine the effect of taxol and it's precursor 10-deacetyl baccatin III(DAB) on DNA. Microgel electrophoresis is useful, rapid, simple, visual, and sensitive technique for measuring DNA breakage and repair mechanisms in mammalian 근ells. The range of concentration used for taxol were 854, 427, 213.5, 106.8, 53.4 Ug/ml, for DAB 910 ,455, 227.5 U9/ml, Cell viability always exceed 85%. We analyzed the results by using the special software of image analyzer for this comet assay (Komet 3.0). By using this image analyzer software , we can get the result as the tail moment ((mean of tail length - mean of head lengh) x tail%DNA/100). A slight increase in DNA migration was observed for taxol at the concentration of 854 Ug/m4 in the absence of S9 mixture. No increased DNA migration was observed after treatment with DAB.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권10호
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• pp.62-66
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• 2011

본 연구에서는 측정된 S-파라미터를 사용하여 드레인-소스 전압 Vds에 무관한 게이트-소스 overlap 캐패시턴스를 추출하고, 이를 바탕으로 deep-submicron MOSFET의 Vds 종속 게이트-벌크 캐패시턴스 곡선을 추출하는 RF 방법이 새롭게 개발 되었다. 추출된 캐패시턴스 값들을 사용한 등가회로 모델과 측정된 데이터가 잘 일치하는 것을 관찰함으로써 추출방법의 정확도가 검증되었다. 추출된 데이터로부터 overlap과 depletion 길이의 Vds 종속 곡선이 얻어졌으며, 이를 통해 drain 영역의 채널 도핑 분포를 실험적으로 측정하였다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제1권1호
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• pp.69-72
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• 2013

Combined nano- and micro-wires (CNMWs) Si arrays were prepared using PR patterning and silver-assisted electroless etching. A $POCl_3$ doping process was applied to the fabrication of CNMWs solar cells. KOH solution was used to remove bundles in CNMWs and the etching time was varied from 30 to 240 s. The lowest reflectance of 3.83% was obtained at KOH etching time of 30 s, but the highest carrier lifetime of $354{\mu}s$ was observed after the doping process at 60 s. At the same etching time, a $V_{oc}$ of 574 mV, $J_{sc}$ of $28.41mA/cm^2$, FF of 74.4%, and Eff. of 12.2% were achieved in the CNMWs solar cell. CNMWs solar cells have potential for higher efficiency by improving the post-process and surface-rear side structure.

• 한국세라믹학회지
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• 제29권10호
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• pp.822-826
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• 1992

SiO2 doped sapphire single crystals were grown by Verneuil method using feed material which prepared by adding SiO2 in Al2O3. Crystal growing were attempted with varing doping amount of SiO2 from 0.01 to 1.0 wt% and when the doping amount of SiO2 were 0.01~0.04 wt%, single crystals could be attained. Starting materials for feed powder were 99.99% purity alumina and extra pure SiO2 powder. Mixing these two materials by wet milling for 24 hours and drying the mixture and then was calcined at 900~110$0^{\circ}C$ for 2~4 hours. The grown crystals had yellowish color and were somewhat transparent. During growing process the flow range of oxygen was 5~7.5ι/min and of hydrogen was 13~25ι/min, the average growth rate was 7.0~11 mm/hr. The pressure of gases were fixed at 5psi. The color of crystal was appeared and mechanical property of sapphire was developed by doping of SiO2.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권6호
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• pp.248-252
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• 2008

전기전도성이 우수하면서 입자 크기가 작은 $LiFePO_4$ 분말을 얻기 위해서, 이종원소(Cr+B 또는 Cr+Al) 도핑이 $LiFePO_4$의 전기전도도에 미치는 영향과 열처리 조건이 입자 크기에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 조성이 $LiFe_{0.965}Cr_{0.03}B_{0.005}PO_4$ and $LiFe_{0.065}Cr_{0.03}Al_{0.005}PO_4$인 두 종류의 분말을 기계화학적 밀링법으로 혼합 후 $675{\sim}759^{\circ}C$에서 $5{\sim}10$시간 열처리하여 합성하였다. 이종원소 도핑은 입자성장을 촉진하였고 전기전도도를 높이는 효과가 있었다. $LiFe_{0.065}Cr_{0.03}Al_{0.005}PO_4$의 전기전도도는 $1{\times}10^{-8}S/cm$로 도핑하지 않은 것의 $5{\times}10^{-10}S/cm$보다 높았다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권10호
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• pp.2217-2222
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG)MOSFET의 채널내 전위와 전하분포의 관계를 가우스 함수를 이용한 포아송방정식으로부터 유도하고자 한다. 즉, 도핑분포는 가우스 함수를 이용하였으며 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압이하 스윙과 산화막 두께의 관계를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 산화막 두께에 대한 문턱전압이하 스윙값의 변화를 구하였다. 문턱전압이하 스윙은 게이트전압에 대한 드레인전류의 변화를 나타내고 이론적으론 최소값 60 mV/dec을 나타내며 디지털소자응용에 매우 중요한 요소이다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 도핑분포에 따라 문턱전압이하 스윙과 산화막두께의 관계를 분석하였다.

• 한국환경독성학회:학술대회논문집
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• 한국환경독성학회 1996년도 제19회정기학술대회(The 19th Symposium of the Korean Society of Environmental Toxicology)
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• pp.63-63
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• 1996

We performed chromosomal aberration assay in Chinese Hamster Lung (CHL) cells in vitro to evaluate theclastogenicity of 11 synthetic chemicals which were listed in Toxicity Evaluation Program of Ministry of Environment of Republic of Korea in 1996. All of the chemicals were carried out MTT assay to determine the 50% cell growth inhibition concentration. All compounds were tested with and without metabolic activation system. Benzoyl chloride revealed positive result at $43\;\mu\textrm{g}/m{\ell}$ in the presence of metabolic activation system, and at 30.8, 61.5 and $123\;\mu\textrm{g}/m{\ell}$ in the absence of metabolic activation system. And p-phenoxy ethanol was observed as positive with the metabolic activation system, but negative without metabolic activation system. Especially 2-propyn-l-ol showed high frequency of pulverization and showed critical difference of cytotoxicity between with and without S9 mixture. Pulverizatiuon is not included in the frequency of structural aberration in our criteria. Dicyclopentadiene, methacrylic acid, aa-dimethylbenzyl hydroperoxide, benzylbutyl phthalate, and p-chlorophenal were revealed negative results.esults.