• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
• /
• pp.673-676
• /
• 2003

This paper describes the modeling and experimental results for Bulk Acoustic Wave(BAW) Resonator using PolyVinyliDene Fluoride(PVDF). We measured the input reflection coefficient ($S_{11}$) of resonators using vector network analyzer and experimental results were measured fundamental resonance at 2.3 GHz with a return loss of -29 dB. Because of fabricated resonator without etching process, we can confirm a possibility of resonator application as using a PVDF.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제11권4호
• /
• pp.252-256
• /
• 2007

We demonstrate that the effect of the PCB ground length and the cover is important in the performance of 2.4 GHz patch antennas. The Center frequency in the return loss shifts as much as 0.5 GHz, when the length of the PCB ground increases from 30 to 85 mm. The position of 10-dB bandwidth accordingly shifts to lower frequency region. Finally, the resonance at 2.4 GHz becomes stronger when the top cover exists. The radiation pattern of the patch antenna is also strongly affected by the ground structure and the existence of the top cover. In both the return loss and the radiation pattern, 3-dimensional simulations are shown to be an efficient tool.

• Journal of information and communication convergence engineering
• /
• 제3권1호
• /
• pp.23-27
• /
• 2005

In this paper, the effects of various annealing conditions on the resonance characteristics of ZnO-based FBAR devices are compared. Several FBAR device samples were fabricated by using three different annealing methods while one sample remained non-annealed as a reference for comparison. Return loss ($S_11$) could be significantly improved by both Bragg reflector-annealing and/or post-annealing. Especially, the use of the combined annealings resulted in most desirable resonance improvement compared with the Bragg reflector-annealing or post-annealing method alone.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.53-58
• /
• 2008

본 연구에서는 상용화된 2.4 GHz 영역대에서 사용되어지는 WiFi용 DPDT(Double Pole Double throw) switch 칩을 laser 비아 가공과 도금 공정을 이용하여 폴리머 기판내에 내장시켜 그 특성을 분석하였으며 통상적으로 실장되는 wire 본딩방식으로 패키징된 기판과 특성차이를 분석 비교하였다. 폴리머는 FR4기판과 아지노 모토사의 ABF(Ajinomoto build up film)를 이용하여 패턴도금법으로 회로를 형성하였다. ABF공정의 최적화를 위해 폴리머의 경화정토를 DSC (Differenntial Scanning Calorimetry) 및 SEM (Scanning Electron microscope)으로 분석하여 경화도에 따라 도금된 구리패턴과의 접착력을 평가하였다. ABF의 가경화도가 $80\sim90%$일 경우 구리층과 최적의 접착강도를 보였으며 진공 열압착공정을 통해 기공(void)없이 칩을 내장할 수 있었다. 내장된 기관과 와이어 본딩된 기판의 측정은 S 파라미터를 이용하여 삽입손실과 반사손실을 비교 분석하였으며 그 결과 삽입손실은 두 경우 유사하게 나타났지만 반사손실의 경우 칩이 내장된 경우 6 GHz 까지 -25 dB 이하로 안정적으로 나오는 것을 확인할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제46권6호
• /
• pp.128-134
• /
• 2009

본 논문에서는 집중소자를 이용한 새로운 윌킨슨 전력 분배기를 제안한다. 제안된 구조는 기존 구조보다 임피던스 변환 과정에서 낮은 Q-지수를 가지도록 설계되어 우수한 대역폭 특성을 갖는다. 또한, 보다 작은 수의 집중소자를 사용하여 회로의 크기를 더욱 줄일 수 있다. 제안된 구조는 L-형태의 임피던스 정합회로를 사용하였으며 이에 대한 설계 방정식을 유도하였다. 시뮬레이션 결과, 제안된 구조는 기존 구조보다 임피던스 정합과 격리도에서 대역폭이 50% 우수하였고, 삽입손실은 줄어드는 장점이 있었다. 기존 구조와 제안된 구조의 집중소자 윌킨슨 전력 분배기는 중심주파수 2 GHz에서 설계, 제작 및 측정 되었다. 측정 결과, 제안된 구조는 중심 주파수에서 입력 반사계수($S_{11}$)는 -23.0 dB, 격리도($S_{23}$)는 29.0 dB, 삽입손실($S_{21}$)은 -3.12 dB 등의 우수한 특성을 보였으며 기존 구조보다 넓은 대역폭을 보임을 확인하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
• /
• 제22권2호
• /
• pp.21-26
• /
• 2022

본 논문에서는 자수된 2.45GHz ISM 밴드 다이폴 어레이 안테나가 인체의 움직임에 의해 발생된 기울임과 굽힘에 의해 받는 영향 대해 분석하였다. 안테나의 특성은 Y축으로 기울임보다는 X축으로 기울임에서 보다 큰 변화를 보였다. 안테나 이득은 3.5° 기우렸을 때 0.25[dB] 만큼의 변화했다. 기울임 각이 증가함에 따라 동작주파수(f_o)는 감소하는 경향을 보이고 반사손실(S₁₁)은 증가하는 경향을 보였다. 굽힘에 따른 안테나의 특성도 Y축보다 X축으로 굽힘에서 보다 큰 영향을 받았다. 안테나 이득은 곡률(1/R_rad)을 0.04[mm^-1]만큼 증가시켰을 때 3.73[dB] 만큼의 변화를 보였다. 굽힘이 증가함에 따라 동작주파수(f_o)는 감소했다 다시 증가하는 경향을 보이고 반사손실(S₁₁)은 계속 증가하는 경향을 보였다.

• Journal of information and communication convergence engineering
• /
• 제4권2호
• /
• pp.88-91
• /
• 2006

In this paper, a novel physical structure for planar spiral inductors is proposed. The spiral inductors were designed and fabricated on multi-layered substrate Bragg-reflector/silicon (BR/Si) wafer. The impacts of multi-layered structure substrate and pattern on characteristics of inductor were studied. Experimental results show that the inductor embedded on Bragg reflector/silicon substrate can achieve the best improvement. At 0.4-1.6 GHz, the Bragg reflector seems to significantly increase the S11-parameter of the inductor.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.255-258
• /
• 2006

In this paper, a novel physical structure for planar spiral inductors is proposed. The spiral inductors were designed and fabricated on multi-layered substrate Bragg-reflector/silicon (BR/Si) wafer. The impacts of multi-layered structure substrate and pattern on characteristics of inductor were studied. Experimental results show that the inductor embedded on Bragg reflector/silicon substrate can achieve the best improvement. At 0.4-1.6 GHz, the Bragg reflector seems to significantly increase the $S_{11}-parameter$ of the inductor.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제11권4호
• /
• pp.293-296
• /
• 2007

루프 공진기 구조를 가지는 비침습식 혈당 센서 구조를 제작하여 혈당 측정을 위한 민감도 측정을 하였다. 0%와 20%의 글루코스 용액의 전기적 특성을 확인하고, 25mm${\sim}$170mm의 지름을 가지는 링 구조를 이용하여 식염수 중 글루코스 농도에 따른 반사 손실의 차이를 측정하였다. 링 형태 프로브가 혈액과 같은 인체 내부의 물질을 측정하는데 종단 개방 프로브에 비해 유리한 특성을 가지며, 측정 주파수 중 가장 낮은 285MHz에서 S11이 0.94의 차이를 보여, 저주파일수록 민감도가 향상됨을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제16권4호
• /
• pp.443-450
• /
• 2016

The linearization technique for low noise amplifier (LNA) has been implemented in standard $0.18-{\mu}m$ BiCMOS process. The MOS-BJT derivative superposition (MBDS) technique exploits a parallel LC tank in the emitter of bipolar transistor to reduce the second-order non-linear coefficient ($g_{m2}$) which limits the enhancement of linearity performance. Two feedback capacitances are used in parallel with the base-collector and gate-drain capacitances to adjust the phase of third-order non-linear coefficients of bipolar and MOS transistors to improve the linearity characteristics. The MBDS technique is also employed cascode configuration to further reduce the second-order nonlinear coefficient. The proposed LNA exhibits gain of 9.3 dB and noise figure (NF) of 2.3 dB at 2 GHz. The excellent IIP3 of 20 dBm and low-power power consumption of 5.14 mW at the power supply of 1 V are achieved. The input return loss ($S_{11}$) and output return loss ($S_{22}$) are kept below - 10 dB and -15 dB, respectively. The reverse isolation ($S_{12}$) is better than -50 dB.